-
公开(公告)号：CN101609687A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910203244.9
申请日：2009-05-31
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/314 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明提供了一种薄膜磁头，其能够在即使存在频繁反向的方向的极强的写场的情况下，仍能稳定产生带有预期频率的电磁场。所述磁头包括在第一和第二磁极之间的电磁场发生元件。所述电磁场发生元件包括自旋波激励层，用以通过激励自旋波产生高频电磁场，其中该自旋波激励层相邻于所述第一磁极并且具有根据外部磁场而改变其方向的磁化。所述自旋波激励层的磁化通过从所述第一磁极中产生的磁场的一部分而被沿着基本垂直于其层表面的方向偏置，并且自旋波激励电流沿着从第二磁极到第一磁极的方向在电磁场发生元件中流动。
-
公开(公告)号：CN1280789C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200410062674.0
申请日：2004-08-06
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3912 , G11B5/3932 , Y10T29/49021 , Y10T29/49032 , Y10T29/49034 , Y10T29/49044 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明提供一种薄膜磁头的制造方法，包含以下工序：形成下部屏蔽层(S101)，其后，形成MR元件(S103)，实施牵制层退火处理(S105)，通过该牵制层退火处理，在抗强磁性层和牵制层之间就会赋予交换耦合，其后，形成磁区控制层以及电极层(S107)，形成上部屏蔽层(S109)，其后，沿着得到纵向偏移磁场的方向上对磁区控制层磁化(S111)，之后，形成记录头(S113)，之后，把行列状多个排列薄膜磁头形成的基台切断成一体排列多个薄膜磁头的多条杆(S115)。
-
公开(公告)号：CN102456355B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201110310014.X
申请日：2011-10-13
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/314 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/1278 , G11B5/3967 , G11B5/6088 , G11B2005/001 , G11B2005/0021 , G11B2005/3996 , Y10T29/49021 , Y10T29/49032 , Y10T29/5313 , Y10T29/53191
Abstract: 本发明提供了一种热辅助磁性记录头的制造方法，热辅助磁性记录头包括具有光源的光源单元和具有光学系统的滑块。所述制造方法包括以下步骤：通过抽吸，将单元单元与后保持模具粘合；移动后保持模具，然后在滑块后表面内的方向上，将光源的光发射中心与光学系统的光接收端面对准；使光源单元与滑块后表面相接触，其中，后保持模具的抽吸表面相对于滑块后表面的法线而倾斜；利用加负荷装置向单元基板的负荷施加表面施加负荷，以使光源单元的联接表面与滑块后表面一致；以及将光源单元和滑块接合。该方法可以提高一致性，从而实现充分强的联接以及充分高的位置精度。
-
公开(公告)号：CN101667427B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200910139071.9
申请日：2009-05-15
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11B5/3912 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了具有一对由屏蔽层控制其磁化的磁性层的薄膜磁头。薄膜磁头包含由第一和第二MR磁性层组成的MR层压体、第一和第二屏蔽层以及偏磁场施加层，所述偏磁场施加层被设置在MR层压体的气垫表面(ABS)的相对侧上，以施加垂直于ABS的偏磁场。第一屏蔽层包含第一交换耦合磁场施加层和第一反铁磁性层，并且第二屏蔽层包含第二交换耦合磁场施加层和第二反铁磁性层。将第一反铁磁性层设置为在第一交换耦合磁场施加层的背面与第一交换耦合磁场施加层接触，并且所述第一反铁磁性层与第一交换耦合磁场施加层反磁性地耦合。第二屏蔽层具有与第一屏蔽层相同的构造。
-
公开(公告)号：CN103440874B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310045946.5
申请日：2013-02-05
CPC classification number: H05K3/3421 , B23K1/0016 , H01S5/02236 , H01S5/02272 , Y10T29/49144
Abstract: 本发明的激光二极管单元的制造方法包括步骤：将激光二极管置于形成子基座的安装面的焊料构件之上；将加压载荷施加于激光二极管，并将激光二极管压向焊料构件；接着，在所述焊料构件被施加加压载荷的同时，通过对焊料构件以高于焊料构件的熔点的温度进行加热，使焊料构件熔融，其后，通过冷却并焊料构件使其固化，将激光二极管接合于子基座，其后，解除加压载荷；以及在已经除去加压载荷之后，通过以低于焊料构件的熔点的温度对焊料构件进行加热，使固化了的焊料构件软化，其后，冷却焊料构件并使其再固化。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101335325B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200810129328.8
申请日：2008-06-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B5/3967 , H01L43/10
Abstract: 本发明涉及一种具备间隔层和包夹上述间隔层而层叠形成的磁化固定层和自由层、在该层叠方向上施加了检测电流而成的CPP(CurrentPerpendicular to Plane)结构的巨磁阻效应元件(CPP-GMR元件)，自由层以磁化方向相应于外部磁场而变化的方式发挥作用，间隔层具有：由非磁性金属材料形成的第一非磁性金属层和第二非磁性金属层、以及介于该第一非磁性金属层和第二非磁性金属层之间的半导体氧化物层，构成间隔层的半导体氧化物层由从氧化锌、氧化锡、氧化铟和氧化铟锡(ITO：Indium Tin Oxide)的组中选择的至少一种构成，第一非磁性金属层由Cu构成，第二非磁性金属层实质上由Zn构成，因此，可以进一步提高MR变化率和耐热性。
-
公开(公告)号：CN101478028A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810185252.0
申请日：2008-12-24
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B5/3929 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明提供磁阻效应元件，薄膜磁头，滑触头，晶片，磁头万向节组件和硬盘驱动器。磁阻效应元件包含：一对磁性层，在所述磁性层的磁化方向之间形成根据外磁场变化的相对角；以及结晶隔体层，所述结晶隔体层夹在所述一对磁性层之间；其中感应电流可以在垂直于所述一对磁性层和所述隔体层的膜平面的方向上流动；其中所述隔体层包含结晶氧化物；并且磁化方向根据外磁场变化的磁性层的一个或两个具有层结构，其中CoFeB层夹在CoFe层和NiFe层之间，并且位于所述隔体层和所述NiFe层之间。
-
公开(公告)号：CN101174420A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710184983.9
申请日：2007-10-31
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B2005/3996 , H01F10/3272 , H01F41/305 , Y10T29/49044 , Y10T29/49048
Abstract: 本发明是一种具有间隔层、夹持上述间隔层而层叠形成的磁化固定层和自由层的，在层叠方向施加读出电流的CPP(Current Perpendicularto Plane：电流垂直于平面)结构的巨磁阻效应元件(CPP－GMR元件)，由于上述自由层具有使磁化方向随外部磁场变化的功能，上述间隔层具有由非磁性金属材料形成的第1非磁性金属层和第2非磁性金属层以及在所述第1非磁性金属层与第2非磁性金属层之间形成的半导体层，上述半导体层是n型的氧化物半导体，上述第1非磁性金属层是在成膜顺序比上述第2非磁性金属层先成膜的膜，在该第1非磁性金属层与上述半导体层之间，形成防氧化层，上述防氧化层由在与上述半导体层的接合中不生成肖特基势垒(Schottoky barrier)的材料形成，故在不使磁头噪声增大，得到高的MR特性的同时，得到抑制元件面电阻率(AR)的分散性，使膜特性的可靠性得到格外提高的极其优异的效果。
-
公开(公告)号：CN102456355A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110310014.X
申请日：2011-10-13
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/314 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/1278 , G11B5/3967 , G11B5/6088 , G11B2005/001 , G11B2005/0021 , G11B2005/3996 , Y10T29/49021 , Y10T29/49032 , Y10T29/5313 , Y10T29/53191
Abstract: 本发明提供了一种热辅助磁性记录头的制造方法，热辅助磁性记录头包括具有光源的光源单元和具有光学系统的滑块。所述制造方法包括以下步骤：通过抽吸，将单元单元与后保持模具粘合；移动后保持模具，然后在滑块后表面内的方向上，将光源的光发射中心与光学系统的光接收端面对准；使光源单元与滑块后表面相接触，其中，后保持模具的抽吸表面相对于滑块后表面的法线而倾斜；利用加负荷装置向单元基板的负荷施加表面施加负荷，以使光源单元的联接表面与滑块后表面一致；以及将光源单元和滑块接合。该方法可以提高一致性，从而实现充分强的联接以及充分高的位置精度。
-
公开(公告)号：CN101174420B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200710184983.9
申请日：2007-10-31
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B2005/3996 , H01F10/3272 , H01F41/305 , Y10T29/49044 , Y10T29/49048
Abstract: 本发明是一种具有间隔层、夹持上述间隔层而层叠形成的磁化固定层和自由层的，在层叠方向施加读出电流的CPP(Current Perpendicularto Plane：电流垂直于平面)结构的巨磁阻效应元件(CPP-GMR元件)，由于上述自由层具有使磁化方向随外部磁场变化的功能，上述间隔层具有由非磁性金属材料形成的第1非磁性金属层和第2非磁性金属层以及在所述第1非磁性金属层与第2非磁性金属层之间形成的半导体层，上述半导体层是n型的氧化物半导体，上述第1非磁性金属层是在成膜顺序比上述第2非磁性金属层先成膜的膜，在该第1非磁性金属层与上述半导体层之间，形成防氧化层，上述防氧化层由在与上述半导体层的接合中不生成肖特基势垒(Schottoky barrier)的材料形成，故在不使磁头噪声增大，得到高的MR特性的同时，得到抑制元件面电阻率(AR)的分散性，使膜特性的可靠性得到格外提高的极其优异的效果。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.016 seconds)
