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公开(公告)号：CN111357120A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201880073763.5
申请日：2018-10-04
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0687 , H01L31/0725 , H01L31/0392 , H01L31/046
Abstract: 本发明涉及制造以下的方法：其中钙钛矿吸收层的层叠形状和组成得到控制的钙钛矿太阳能电池；和包括钙钛矿太阳能电池的串联型太阳能电池，并且钙钛矿吸收层通过太阳能电池的制造方法形成，其包括以下步骤：通过使用BO源、A掺杂的BO源、或者AxOy源和BO源在基材上形成与基材适形的无机晶种层；在晶种层上供给有机卤化物，从而可以形成具有与基材适形的复合组成的钙钛矿薄膜，从而可以实现能使光吸收增加的效果。
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公开(公告)号：CN107039536A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710018628.8
申请日：2017-01-11
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/02 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0682 , H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/036 , H01L31/0368 , H01L31/1872 , Y02E10/547 , H01L31/02008 , H01L31/068 , H01L31/1804
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；保护膜层，该保护膜层形成在所述半导体基板的一个表面上面；第一导电区，该第一导电区被设置在所述保护膜层上面，所述第一导电区具有第一导电类型并且包含晶体半导体；以及第一电极，该第一电极电连接到所述第一导电区。所述第一导电区包括第一部分和第二部分，该第一部分被设置在所述保护膜层上面并且具有第一晶粒尺寸，该第二部分被设置在所述第一部分上面并且具有大于所述第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。
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公开(公告)号：CN104810414A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510023406.6
申请日：2015-01-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/20
Abstract: 讨论了太阳能电池及其制造方法。该制造太阳能电池的方法包括：在包含第一导电类型的杂质的晶体半导体基板的背表面上，形成非晶硅层；执行将与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质扩散到所述非晶硅层的一部分中的第一扩散过程，以形成发射极区；执行将所述第一导电类型的杂质扩散到除了具有所述第二导电类型的杂质的所述非晶硅层的所述一部分外的剩余部分中，以形成背表面场区。当执行所述第一扩散过程和所述第二扩散过程中的至少一个时，所述非晶硅层结晶，以形成硅层。
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公开(公告)号：CN108074994A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201710918980.7
申请日：2017-09-30
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的表面上；中间层，其在隧穿层上，其中，该中间层包括羟基，即OH基团；第一导电区域，其在所述中间层上，其中，该第一导电区域包括用于提取第一载流子的金属氧化物层；以及第一电极，其电连接至第一导电区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103943710B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201410025785.8
申请日：2014-01-20
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/065 , H01L31/035272 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/068 , H01L31/1824 , Y02E10/547
Abstract: 讨论了一种太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括：基板，其包含第一导电类型的杂质；发射区，其设置在所述基板的前表面，并且包含与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；后钝化层，其设置的所述基板的后表面上，并且具有开口；后表面场区，其包含所述第一导电类型的杂质；第一电极，其连接到所述发射区；以及第二电极，其连接到所述后表面场区。所述后表面场区包括设置在所述后钝化层上第一后表面场区和设置在所述基板的通过所述后钝化层的开口所露出的后表面的第二后表面场区。
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公开(公告)号：CN104810414B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510023406.6
申请日：2015-01-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/20
Abstract: 讨论了太阳能电池及其制造方法。该制造太阳能电池的方法包括：在包含第一导电类型的杂质的晶体半导体基板的背表面上，形成非晶硅层；执行将与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质扩散到所述非晶硅层的一部分中的第一扩散过程，以形成发射极区；执行将所述第一导电类型的杂质扩散到除了具有所述第二导电类型的杂质的所述非晶硅层的所述一部分外的剩余部分中，以形成背表面场区。当执行所述第一扩散过程和所述第二扩散过程中的至少一个时，所述非晶硅层结晶，以形成硅层。
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公开(公告)号：CN107039536B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201710018628.8
申请日：2017-01-11
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0368 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；保护膜层，该保护膜层形成在所述半导体基板的一个表面上面；第一导电区，该第一导电区被设置在所述保护膜层上面，所述第一导电区具有第一导电类型并且包含晶体半导体；以及第一电极，该第一电极电连接到所述第一导电区。所述第一导电区包括第一部分和第二部分，该第一部分被设置在所述保护膜层上面并且具有第一晶粒尺寸，该第二部分被设置在所述第一部分上面并且具有大于所述第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。
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公开(公告)号：CN111886706A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201980018615.8
申请日：2019-03-18
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0687 , H01L31/0725 , H01L31/0376
Abstract: 根据涉及使用用于蚀刻晶体硅基板的方法的串联太阳能电池制造方法的本发明，可以获得这样的太阳能电池，其在基板表面上不具有金字塔形缺陷，通过具有优异表面粗糙度性质的基板抑制分流的产生，并且可以确保填充因子特性，通过串联式太阳能电池制造方法可获得太阳能电池，所述方法包括：制备晶体硅基板；各向同性地蚀刻所述基板；通过对经各向同性蚀刻的基板进行各向异性蚀刻而去除基板表面上的锯损伤；将第二太阳能电池定位在去除锯损伤的基板上；将中间层定位在第二太阳能电池上；将第一太阳能电池定位在中间层上。
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公开(公告)号：CN108074989A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201710895228.5
申请日：2017-09-28
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02167 , H01L31/022466 , H01L31/02363 , H01L31/03685 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/1884
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤：在半导体基板的一个表面上形成第一隧穿层；在第一隧穿层上形成第一导电区域，以使得该第一导电区域包括具有非晶结构的金属氧化物层；以及形成电连接至第一导电区域的第一电极。
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