公开(公告)号：CN111886706A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201980018615.8

申请日：2019-03-18

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李有真 ,  金成卓 ,  安世源 ,  郑镇元

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0376

Abstract: 根据涉及使用用于蚀刻晶体硅基板的方法的串联太阳能电池制造方法的本发明，可以获得这样的太阳能电池，其在基板表面上不具有金字塔形缺陷，通过具有优异表面粗糙度性质的基板抑制分流的产生，并且可以确保填充因子特性，通过串联式太阳能电池制造方法可获得太阳能电池，所述方法包括：制备晶体硅基板；各向同性地蚀刻所述基板；通过对经各向同性蚀刻的基板进行各向异性蚀刻而去除基板表面上的锯损伤；将第二太阳能电池定位在去除锯损伤的基板上；将中间层定位在第二太阳能电池上；将第一太阳能电池定位在中间层上。

公开(公告)号：CN111357120A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201880073763.5

申请日：2018-10-04

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 金成卓 ,  安世源 ,  李有真 ,  郑镇元

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/046

Abstract: 本发明涉及制造以下的方法：其中钙钛矿吸收层的层叠形状和组成得到控制的钙钛矿太阳能电池；和包括钙钛矿太阳能电池的串联型太阳能电池，并且钙钛矿吸收层通过太阳能电池的制造方法形成，其包括以下步骤：通过使用BO源、A掺杂的BO源、或者AxOy源和BO源在基材上形成与基材适形的无机晶种层；在晶种层上供给有机卤化物，从而可以形成具有与基材适形的复合组成的钙钛矿薄膜，从而可以实现能使光吸收增加的效果。