公开(公告)号：CN1866537A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610084704.7

申请日：2006-05-17

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 金昌男 ,  李镐年 ,  郑镇元 ,  姜善吉 ,  金渡烈 ,  金洪奎

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L51/5228 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5234 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/558

Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件及其制造方法，其适于增强器件可靠性，同时允许简化制造工艺。该有机电致发光(EL)器件包括：基片；TFT，其位于基片上的各个单位像素区域中；第一绝缘层，其绝缘TFT；第一电极，其分别在第一绝缘层上形成，同时接触TFT；隔离壁，其位于第一绝缘层上的各个单位像素区域之间；辅助电极，其在隔离壁上形成；有机发光层，其位于第一电极上；绝缘部分，其使每个第一电极与相关的辅助电极绝缘；和第二电极，其位于有机发光层上，且和辅助电极连接。

公开(公告)号：CN119836325A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202280099784.0

申请日：2022-09-07

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 申恩定 ,  郑镇元 ,  金重年 ,  李有真 ,  刘治宗 ,  安国焕

IPC: B05C1/08 ,  B05C1/12 ,  H01M4/04

Abstract: 根据实施方式，提供了一种电子装置，其包括：第一辊；第二辊，其布置为面向第一辊；以及驱动单元，其以第一速度可旋转地驱动第一辊并且以第二速度可旋转地驱动第二辊，以将输入在第一辊和第二辊之间的混合物形成为膜。

公开(公告)号：CN103887357A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310710850.6

申请日：2013-12-20

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 金洙贤 ,  李宪民 ,  李贤 ,  郑镇元

IPC: H01L31/05 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/078 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/202

Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：基于晶体半导体的第一光电转换单元；第二光电转换单元，该第二光电转换单元在所述第一光电转换单元上并且包括基于非晶半导体的多个转换部；结合层，该结合层布置在所述第一光电转换单元与所述第二光电转换单元之间，以将所述第一光电转换单元与所述第二光电转换单元相连接；以及多个电极，这些电极分别电连接到所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元。

公开(公告)号：CN107039536B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201710018628.8

申请日：2017-01-11

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李有真 ,  郑镇元 ,  池光善

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；保护膜层，该保护膜层形成在所述半导体基板的一个表面上面；第一导电区，该第一导电区被设置在所述保护膜层上面，所述第一导电区具有第一导电类型并且包含晶体半导体；以及第一电极，该第一电极电连接到所述第一导电区。所述第一导电区包括第一部分和第二部分，该第一部分被设置在所述保护膜层上面并且具有第一晶粒尺寸，该第二部分被设置在所述第一部分上面并且具有大于所述第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN111886706A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201980018615.8

申请日：2019-03-18

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李有真 ,  金成卓 ,  安世源 ,  郑镇元

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0376

Abstract: 根据涉及使用用于蚀刻晶体硅基板的方法的串联太阳能电池制造方法的本发明，可以获得这样的太阳能电池，其在基板表面上不具有金字塔形缺陷，通过具有优异表面粗糙度性质的基板抑制分流的产生，并且可以确保填充因子特性，通过串联式太阳能电池制造方法可获得太阳能电池，所述方法包括：制备晶体硅基板；各向同性地蚀刻所述基板；通过对经各向同性蚀刻的基板进行各向异性蚀刻而去除基板表面上的锯损伤；将第二太阳能电池定位在去除锯损伤的基板上；将中间层定位在第二太阳能电池上；将第一太阳能电池定位在中间层上。

公开(公告)号：CN111357120A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201880073763.5

申请日：2018-10-04

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 金成卓 ,  安世源 ,  李有真 ,  郑镇元

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/046

Abstract: 本发明涉及制造以下的方法：其中钙钛矿吸收层的层叠形状和组成得到控制的钙钛矿太阳能电池；和包括钙钛矿太阳能电池的串联型太阳能电池，并且钙钛矿吸收层通过太阳能电池的制造方法形成，其包括以下步骤：通过使用BO源、A掺杂的BO源、或者AxOy源和BO源在基材上形成与基材适形的无机晶种层；在晶种层上供给有机卤化物，从而可以形成具有与基材适形的复合组成的钙钛矿薄膜，从而可以实现能使光吸收增加的效果。

公开(公告)号：CN107039536A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710018628.8

申请日：2017-01-11

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李有真 ,  郑镇元 ,  池光善

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/547 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；保护膜层，该保护膜层形成在所述半导体基板的一个表面上面；第一导电区，该第一导电区被设置在所述保护膜层上面，所述第一导电区具有第一导电类型并且包含晶体半导体；以及第一电极，该第一电极电连接到所述第一导电区。所述第一导电区包括第一部分和第二部分，该第一部分被设置在所述保护膜层上面并且具有第一晶粒尺寸，该第二部分被设置在所述第一部分上面并且具有大于所述第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN1832223A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610008684.5

申请日：2006-02-21

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 金昌男 ,  韩荣洙 ,  李镐年 ,  郑镇元 ,  金洪奎

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32 ,  H05B33/12 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/529 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/5243

Abstract: 本发明公开了一种有机EL设备及其制造方法。该有机EL设备包括具有布置在有效区的第一电极的基板，形成于第一电极上的至少一个有机材料层，形成于该有机材料层上、以便延伸到该基板的无效区、以允许该设备的热量能够从中散发到外面的第二电极，和面对第二电极同时通过密封剂与位于密封线处的第二电极密封连接的密封盖。该有机EL设备能够有效地降低该设备的内部温度同时防止其劣化，由此显著地增加其使用寿命，并且增强该设备的界面稳定性，从而显著地抑制该设备性能的劣化。