公开(公告)号：CN108074989A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710895228.5

申请日：2017-09-28

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李有真 ,  权泰寅 ,  池光善 ,  李洪哲

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1884

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤：在半导体基板的一个表面上形成第一隧穿层；在第一隧穿层上形成第一导电区域，以使得该第一导电区域包括具有非晶结构的金属氧化物层；以及形成电连接至第一导电区域的第一电极。

公开(公告)号：CN108074994A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710918980.7

申请日：2017-09-30

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李有真 ,  权泰寅 ,  池光善 ,  李洪哲

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的表面上；中间层，其在隧穿层上，其中，该中间层包括羟基，即OH基团；第一导电区域，其在所述中间层上，其中，该第一导电区域包括用于提取第一载流子的金属氧化物层；以及第一电极，其电连接至第一导电区域。