-
公开(公告)号：CN102473776A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080034233.3
申请日：2010-01-11
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/03685 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/0288 , H01L31/03762 , H01L31/076 , Y02E10/545 , Y02E10/548
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括基板、在所述基板上的第一电极、第二电极和位于所述第一电极和所述第二电极之间的光电转化单元。所述光电转化单元包括由掺杂有作为杂质的碳(C)和氧(O)中的至少一种的非晶硅形成的第一本征(称为i型)半导体层和由掺杂有锗(Ge)的微晶硅形成的第二i型半导体层。
-
公开(公告)号：CN102138224A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201080002434.5
申请日：2010-01-11
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明讨论了太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括非晶硅层，并且非晶硅层中的Si-Si键的密度是7.48×1022/cm3至9.4×1022/cm3。所述方法包括以下步骤：在基板上形成电极，并且在氢(H2)气量与硅烷(SiH4)气体量的比例为15∶1至30∶1的氛围中在所述基板上淀积非晶硅，以在所述基板上形成非晶硅层。
-
公开(公告)号：CN1849506A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200480026423.5
申请日：2004-09-14
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: G01N3/56 , G11B7/00375 , G11B7/268
Abstract: 揭示了一种用于测试光盘(30)表面机械耐磨性的装置和方法，它包括其上固定有光盘(30)以产生划痕并且旋转该被固定光盘(30)的旋转台(20)；以及与旋转台(20)垂直放置的多个砂轮(10)，所述砂轮与所述光盘(30)的表面相接触以在该光盘(30)表面生成划痕，其中所述划痕是在所述光盘旋转预定转数(例如低于10转)并且通过所述砂轮(10)将预定负荷施加给所述光盘(30)时产生的。
-
公开(公告)号：CN100461274C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200480026655.0
申请日：2004-09-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: G11B7/0045
Abstract: 本发明揭示了一种相变光盘的记录方法。为了防止晶体材料从预定标记(例如4T或更长的标记)的前端开始生长，通过相对参考时钟延迟多个脉冲来增大用于形成4T或更长的标记的写脉冲中的第一脉冲和多个脉冲之间的间隔，并且增加多个脉冲的宽度或电平。在另一实施例中，为了防止由于第一脉冲和多个脉冲之间的间隔的增大引起的开始位置的变化，用于形成3T或更长的标记的写脉冲中的最后脉冲被提前一预定时间段。在又一个实施例中，用于形成4T或更长的标记的写脉冲中的第一脉冲和多个脉冲之间的间隔被增大，最后脉冲的开始位置和宽度、后沿冷却时间偏移被根据标记的长度单独地调整。
-
公开(公告)号：CN101136225A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710142344.6
申请日：2004-09-14
Applicant: LG电子株式会社
IPC: G11B7/26 , G11B7/0037 , G01N3/56
CPC classification number: G01N3/56 , G11B7/00375 , G11B7/268
Abstract: 揭示了一种用于测试光盘(30)表面机械耐磨性的装置和方法，它包括其上固定有光盘(30)以产生划痕并且旋转该被固定光盘(30)的旋转台(20)；以及与旋转台(20)垂直放置的多个砂轮(10)，所述砂轮与所述光盘(30)的表面相接触以在该光盘(30)表面生成划痕，其中所述划痕是在所述光盘旋转预定转数(例如低于10转)并且通过所述砂轮(10)将预定负荷施加给所述光盘(30)时产生的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1853219A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200480026655.0
申请日：2004-09-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: G11B7/0045
Abstract: 本发明揭示了一种相变光盘的记录方法。为了防止晶体材料从预定标记(例如4T或更长的标记)的前端开始生长，通过相对参考时钟延迟多个脉冲来增大用于形成4T或更长的标记的写脉冲中的第一脉冲和多个脉冲之间的间隔，并且增加多个脉冲的宽度或电平。在另一实施例中，为了防止由于第一脉冲和多个脉冲之间的间隔的增大引起的开始位置的变化，用于形成3T或更长的标记的写脉冲中的最后脉冲被提前一预定时间段。在又一个实施例中，用于形成4T或更长的标记的写脉冲中的第一脉冲和多个脉冲之间的间隔被增大，最后脉冲的开始位置和宽度、后沿冷却时间偏移被根据标记的长度单独地调整。
-
公开(公告)号：CN108091706B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201711143544.3
申请日：2017-11-17
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/05
Abstract: 提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；导电区域，所述导电区域被设置在所述半导体基板的一个表面上；第一电极线，所述第一电极线被设置在所述导电区域上并沿着第一方向延伸；以及第二电极线，所述第二电极线被设置在所述导电区域上并沿着不同于所述第一方向的第二方向延伸，其中，所述第一电极线包括具有球形形状和第一平均直径的第一粒子，并且所述第二电极线包括具有非球形形状和第二平均直径的第二粒子。
-
公开(公告)号：CN106997906B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201710024078.0
申请日：2017-01-13
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/048
Abstract: 公开了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：第一导电类型的晶体半导体基板；前掺杂层，所述前掺杂层在所述半导体基板的前表面上并与所述半导体基板形成异质结；后掺杂层，所述后掺杂层在所述半导体基板的后表面上并与所述半导体基板形成异质结；前透明导电层，所述前透明导电层在所述前掺杂层上；后透明导电层，所述后透明导电层在所述后掺杂层下。所述前掺杂层和所述后掺杂层中的一个具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，以与所述半导体基板形成p‑n结，而所述前掺杂层和所述后掺杂层中的另一个具有所述第一导电类型。所述前透明导电层的平面面积大于所述后透明导电层的平面面积。
-
公开(公告)号：CN101208745B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200680018609.5
申请日：2006-05-29
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 当激光束投射到其上的时候，光记录介质以产生具有不同于信息记录层中其它的材料的反射系数的新材料的机制记录信息。该光记录介质包括基片(60)和放置在基片上以反射进入的激光束并且具有信息记录层(100)的反射层(50)。该信息记录层(100)包括包含从Si、Ge和Sb的组中选择出来的一个或多个元素的第一信息记录层(100)，和包含从Si、Sb、Te和Al的组中选择出来的一个或多个元素的第二信息记录层(120)。数据可以以高密度记录，并且该光记录介质提供高记录稳定性和记录灵敏度。
-
公开(公告)号：CN101136225B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200710142344.6
申请日：2004-09-14
Applicant: LG电子株式会社
IPC: G11B7/26 , G11B7/0037 , G01N3/56
CPC classification number: G01N3/56 , G11B7/00375 , G11B7/268
Abstract: 揭示了一种用于测试光盘(30)表面机械耐磨性的装置和方法，它包括其上固定有光盘(30)以产生划痕并且旋转该被固定光盘(30)的旋转台(20)；以及与旋转台(20)垂直放置的多个砂轮(10)，所述砂轮与所述光盘(30)的表面相接触以在该光盘(30)表面生成划痕，其中所述划痕是在所述光盘旋转预定转数(例如低于10转)并且通过所述砂轮(10)将预定负荷施加给所述光盘(30)时产生的。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.018 seconds)
