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公开(公告)号:CN101821806A
公开(公告)日:2010-09-01
申请号:CN200880111460.4
申请日:2008-10-16
申请人: LG电子株式会社
IPC分类号: G11B7/24
CPC分类号: G11B7/254 , G11B7/24056 , G11B2007/25411 , G11B2007/25417
摘要: 本发明公开了一种记录介质及其制造方法。更具体而言,公开了一种具有高密度和高能量传递效率的记录介质及其制造方法。所述记录介质包含衬底、在衬底上形成的记录层、在记录层上形成的具有第一硬度的第一覆盖层以及布置在第一覆盖层上的具有第二硬度的第二覆盖层。
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公开(公告)号:CN101701889A
公开(公告)日:2010-05-05
申请号:CN200910158737.5
申请日:2003-07-31
申请人: LG电子株式会社
摘要: 本发明涉及测试光盘表面机械耐性的设备。该设备包括装载待划光盘的转盘,用来旋转所装载的光盘;和多个磨轮,用于与光盘相接触并产生划痕,当磨轮向光盘上施加预定的载荷时,在光盘旋转五圈的期间产生划痕,其中所述设备判断光盘是否具有预定的耐性。本发明还涉及利用所述设备进行测试的方法。
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公开(公告)号:CN100554871C
公开(公告)日:2009-10-28
申请号:CN03824795.X
申请日:2003-06-24
申请人: LG电子株式会社
IPC分类号: G01B11/06
CPC分类号: G01B11/0625 , G01B11/0675 , G11B7/00375 , G11B7/268
摘要: 本发明公开了一种利用光盘层的干涉效应来测量光盘厚度的方法,该方法包括:根据光的波长来检测反射光的强度并将其作为每个波长的光谱数据;将检测到的每个波长的光谱数据转换成作为反映了折射率的波长的函数的光谱值;以及通过傅立叶变换将该转换的值转换成干涉区的长度来代表光盘的层厚,检测反射光的强度具有峰值处的位置,分别作为衬底层和覆盖层的厚度。本发明所公开的方法在高精度测量光盘厚度方面具有优点。
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公开(公告)号:CN1695039A
公开(公告)日:2005-11-09
申请号:CN03824795.X
申请日:2003-06-24
申请人: LG电子株式会社
IPC分类号: G01B11/06
CPC分类号: G01B11/0625 , G01B11/0675 , G11B7/00375 , G11B7/268
摘要: 本发明公开了一种利用光盘层的干涉效应来测量光盘厚度的方法,该方法包括:根据光的波长来检测反射光的强度并将其作为每个波长的光谱数据;将检测到的每个波长的光谱数据转换成作为反映了折射率的波长的函数的光谱值;以及通过傅立叶变换将该转换的值转换成干涉区的长度来代表光盘的层厚,检测反射光的强度具有峰值处的位置,分别作为衬底层和覆盖层的厚度。本发明所公开的方法在高精度测量光盘厚度方面具有优点。
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公开(公告)号:CN100461274C
公开(公告)日:2009-02-11
申请号:CN200480026655.0
申请日:2004-09-16
申请人: LG电子株式会社
IPC分类号: G11B7/0045
摘要: 本发明揭示了一种相变光盘的记录方法。为了防止晶体材料从预定标记(例如4T或更长的标记)的前端开始生长,通过相对参考时钟延迟多个脉冲来增大用于形成4T或更长的标记的写脉冲中的第一脉冲和多个脉冲之间的间隔,并且增加多个脉冲的宽度或电平。在另一实施例中,为了防止由于第一脉冲和多个脉冲之间的间隔的增大引起的开始位置的变化,用于形成3T或更长的标记的写脉冲中的最后脉冲被提前一预定时间段。在又一个实施例中,用于形成4T或更长的标记的写脉冲中的第一脉冲和多个脉冲之间的间隔被增大,最后脉冲的开始位置和宽度、后沿冷却时间偏移被根据标记的长度单独地调整。
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公开(公告)号:CN101136225A
公开(公告)日:2008-03-05
申请号:CN200710142344.6
申请日:2004-09-14
申请人: LG电子株式会社
IPC分类号: G11B7/26 , G11B7/0037 , G01N3/56
CPC分类号: G01N3/56 , G11B7/00375 , G11B7/268
摘要: 揭示了一种用于测试光盘(30)表面机械耐磨性的装置和方法,它包括其上固定有光盘(30)以产生划痕并且旋转该被固定光盘(30)的旋转台(20);以及与旋转台(20)垂直放置的多个砂轮(10),所述砂轮与所述光盘(30)的表面相接触以在该光盘(30)表面生成划痕,其中所述划痕是在所述光盘旋转预定转数(例如低于10转)并且通过所述砂轮(10)将预定负荷施加给所述光盘(30)时产生的。
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公开(公告)号:CN1853219A
公开(公告)日:2006-10-25
申请号:CN200480026655.0
申请日:2004-09-16
申请人: LG电子株式会社
IPC分类号: G11B7/0045
摘要: 本发明揭示了一种相变光盘的记录方法。为了防止晶体材料从预定标记(例如4T或更长的标记)的前端开始生长,通过相对参考时钟延迟多个脉冲来增大用于形成4T或更长的标记的写脉冲中的第一脉冲和多个脉冲之间的间隔,并且增加多个脉冲的宽度或电平。在另一实施例中,为了防止由于第一脉冲和多个脉冲之间的间隔的增大引起的开始位置的变化,用于形成3T或更长的标记的写脉冲中的最后脉冲被提前一预定时间段。在又一个实施例中,用于形成4T或更长的标记的写脉冲中的第一脉冲和多个脉冲之间的间隔被增大,最后脉冲的开始位置和宽度、后沿冷却时间偏移被根据标记的长度单独地调整。
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