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公开(公告)号：CN101939465A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200980104520.4
申请日：2009-03-24
Applicant: JSR株式会社
IPC: C23C16/42 , C08G77/50 , H01L21/312 , H01L21/316 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: C23C16/401 , C07F7/1804 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/31633 , H01L21/31695 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种化学气相沉积法用材料，其含有下述通式(1)表示的有机硅烷化合物。(式中，R1和R2相同或不同，表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、乙烯基或苯基；R3和R4相同或不同，表示碳原子数1～4的烷基、乙酰基或苯基；m表示0～2的整数；n表示1～3的整数)。
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公开(公告)号：CN101611043B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200880004682.6
申请日：2008-02-12
Applicant: JSR株式会社
IPC: C07F7/18 , C09D5/25 , C09D183/06 , C23C16/42 , H01L21/316
CPC classification number: H01B3/46 , C07F7/1804 , C08G77/50 , C09D4/00 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/31633 , C08G77/00 , C08G77/04
Abstract: 本发明提供一种含硅膜形成用材料，含有下述通式(1)所示的至少1种有机硅烷化合物。(式中，R1～R6相同或不同，表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、乙烯基、苯基、卤原子、羟基、乙酰氧基、苯氧基或烷氧基，并且R1～R6中的至少一个是卤原子、羟基、乙酰氧基、苯氧基或烷氧基，n表示0～3的整数)。
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公开(公告)号：CN101528874A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780030018.4
申请日：2007-08-14
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09D183/00 , C23C16/06 , H01L21/312
Abstract: 本发明提供一种含硅膜形成用材料，含有右述通式(1)所示的有机硅烷化合物。(式中，R1～R4相同或不同，表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、乙烯基、苯基，R5表示碳原子数1～4的烷基、乙酰基、苯基，n表示1～3的整数，m表示1～2的整数。)
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公开(公告)号：CN1957020A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200580015093.4
申请日：2005-04-28
Applicant: JSR株式会社
IPC: C08G77/50 , C08G77/42 , C08L83/14 , C09D183/14 , H01B3/46 , H01L21/312
Abstract: 本发明的有机二氧化硅系膜的形成方法包括在基材上形成包含具有－Si－O－Si－结构和－Si－CH2－Si－结构的硅化合物的涂膜的工序、加热上述涂膜的工序和对上述涂膜照射紫外线来进行硬化处理的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1954017A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200580015069.0
申请日：2005-05-11
Applicant: JSR株式会社
IPC: C08G77/50 , C08G77/42 , C08L83/14 , C09D183/14 , H01B3/46 , H01L21/312
Abstract: 本发明提供有机二氧化硅系膜的形成方法、该方法中所使用的膜形成用组合物、通过该方法得到的有机二氧化硅系膜、包含该有机二氧化硅系膜的布线结构体以及包含该布线结构体的半导体装置。所述有机二氧化硅系膜的形成方法能够以更低的电子束照射量、更短时间、更低温度高效地使涂膜硬化，而且能够形成可适合于作为比如半导体元件等中的层间绝缘膜使用的、相对介电常数小、机械强度及粘合性优异、而且等离子体耐受性和耐药液性均优异的膜。本发明的有机二氧化硅系膜的形成方法包括在基材上形成包含具有－Si－O－Si－结构和－Si－CH2－Si－结构的硅化合物的涂膜的工序、加热所述涂膜的工序和对所述涂膜照射电子束来进行硬化处理的工序。
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公开(公告)号：CN1957020B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200580015093.4
申请日：2005-04-28
Applicant: JSR株式会社
IPC: C08G77/50 , C08G77/42 , C08L83/14 , C09D183/14 , H01B3/46 , H01L21/312
Abstract: 本发明的有机二氧化硅系膜的形成方法包括在基材上形成包含具有-Si-O-Si-结构和-Si-CH2-Si-结构的硅化合物的涂膜的工序、加热上述涂膜的工序和对上述涂膜照射紫外线来进行硬化处理的工序。
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公开(公告)号：CN1950473B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200580014628.6
申请日：2005-04-28
Applicant: JSR株式会社
IPC: C08G77/50 , C09D183/14 , B05D5/12 , B05D7/24 , C09D5/25 , C09D7/12 , C09D183/02 , C09D183/04 , C09D183/08 , H01B3/46 , H01L21/312
Abstract: 本发明的绝缘膜形成用组合物含有水解缩合物和有机溶剂，所述水解缩合物是在(B)成分存在的条件下将(A)成分水解缩合而得到的。所述(B)成分为聚碳硅烷，其含有主链以-(Si-CH2)x-表示的结构，而且具有用下述通式(4)表示的结构、用下述通式(5)表示的结构、用下述通式(6)表示的结构以及用下述通式(7)表示的结构；所述(A)成分为选自用下述通式(1)～(3)表示的化合物中的至少1种的硅烷化合物。RaSi(OR1)4-a……(1)Si(OR2)4……(2)R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c……(3)
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公开(公告)号：CN101611043A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200880004682.6
申请日：2008-02-12
Applicant: JSR株式会社
IPC: C07F7/18 , C09D5/25 , C09D183/06 , C23C16/42 , H01L21/316
CPC classification number: H01B3/46 , C07F7/1804 , C08G77/50 , C09D4/00 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/31633 , C08G77/00 , C08G77/04
Abstract: 本发明提供一种含硅膜形成用材料，含有通式(1)所示的至少1种有机硅烷化合物。(式中，R1～R6相同或不同，表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、乙烯基、苯基、卤原子、羟基、乙酰氧基、苯氧基或烷氧基，并且R1～R6中的至少一个是卤原子、羟基、乙酰氧基、苯氧基或烷氧基，n表示0～3的整数。)
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公开(公告)号：CN1950473A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200580014628.6
申请日：2005-04-28
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09D183/14 , B05D5/12 , B05D7/24 , C08G77/50 , C09D5/25 , C09D7/12 , C09D183/02 , C09D183/04 , C09D183/08 , H01B3/46 , H01L21/312
Abstract: 本发明的绝缘膜形成用组合物含有水解缩合物和有机溶剂，所述水解缩合物是在(B)成分存在的条件下将(A)成分水解缩合而得到的。所述(B)成分为聚碳硅烷，其含有主链以－(Si－CH2)x－表示的结构，而且具有用下述通式(4)表示的结构、用下述通式(5)表示的结构、用下述通式(6)表示的结构以及用下述通式(7)表示的结构；所述(A)成分为选自用下述通式(1)～(3)表示的化合物中的至少1种的硅烷化合物。RaSi(OR1)4－a……(1)Si(OR2)4……(2)R3b(R4O)3－bSi－(R7)d－Si(OR5)3－cR6c……(3)。
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