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公开(公告)号：CN105911446B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201610223894.X
申请日：2016-04-12
申请人： 重庆大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供的IGBT老化状态监测方法及装置，其方法包括：通过测量电路中的稳压芯片输出正常电压，当稳压芯片控制信号为高电平时，测量电路输出驱动电压使待测IGBT导通；将稳压芯片控制信号置为低电平，使稳压芯片输出电压为零，当IGBT门极电压降至开通阈值电压时，流经IGBT集电极电流为零，控制驱动电压缓慢连续下降，并截取的测量电路输出驱动电压波形和相应的集电极电流波形,获取待测IGBT的传输特性曲线；将通过所述传输特性曲线提取的待测IGBT的导通阈值电压和跨导作为老化状态特征量，对待测IBGT的老化状态进行监测；本发明具有快速、准确的对IGBT的老化状态情况进行检测的特点。
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公开(公告)号：CN111610422B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010512891.4
申请日：2020-06-08
申请人： 重庆大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了多芯片IGBT模块键合线缺陷的监测电路及监测方法，该监测电路包括驱动器，驱动器包括隔离电源单元、信号比较单元、信号运算单元、工作驱动单元和状态监测单元；隔离电源单元用于向其它各单元供电；信号比较单元用于将多芯片IGBT模块的门极电压Vge与基准预设值Vsth进行比较；信号运算单元用于向工作驱动单元和状态监测单元输出不同的控制信号；工作驱动单元控制多芯片IGBT模块的开通和关断；状态监测单元控制是否向多芯片IGBT模块内注入恒定的门极电流。既能保证多芯片IGBT模块的正常工作，又能在不拆卸的情况下方便地进行监测，确保准确的评估多芯片IGBT模块老化状态。
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公开(公告)号：CN106443405A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610318578.0
申请日：2016-05-13
申请人： 重庆大学
IPC分类号： G01R31/28
CPC分类号： G01R31/2879
摘要： 本发明提供的多IGBT模块多老化特征量提取装置，包括待测IGBT模块、老化特征量测量主板和驱动电路，所述驱动电路设置于老化特征量测量主板，所述待测IGBT模块为多个，多个待测IGBT模块并联设置在老化特征量测量主板的测量工位，通过老化特征量测量主板获取待测IGBT模块的老化特征量参数；本发明中的多IGBT模块多老化特征量提取装置，可以在同一恒温环境下，对多个IGBT的多个老化特征量进行快速测量，最大限度的减少了测量时间和保证了测量环境的一致性，本发明通过饱和导通压降、传输特性曲线、寄生电容和IGBT开关暂态波形多种老化特征量共同进行判断，保证了测量结果的准确度。
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公开(公告)号：CN105911446A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610223894.X
申请日：2016-04-12
申请人： 重庆大学
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R31/2601 , G01R31/2608
摘要： 本发明提供的IGBT老化状态监测方法及装置，其方法包括：通过测量电路中的稳压芯片输出正常电压，当稳压芯片控制信号为高电平时，测量电路输出驱动电压使待测IGBT导通；将稳压芯片控制信号置为低电平，使稳压芯片输出电压为零，当IGBT门极电压降至开通阈值电压时，流经IGBT集电极电流为零，控制驱动电压缓慢连续下降，并截取的测量电路输出驱动电压波形和相应的集电极电流波形,获取待测IGBT的传输特性曲线；将通过所述传输特性曲线提取的待测IGBT的导通阈值电压和跨导作为老化状态特征量，对待测IBGT的老化状态进行监测；本发明具有快速、准确的对IGBT的老化状态情况进行检测的特点。
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公开(公告)号：CN113138329A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110432469.2
申请日：2021-04-21
申请人： 重庆大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种适用于GaN功率半导体器件的功率循环主电路，包含并联的多条待测器件电路和一条旁路电路，所述待测器件电路由第一大电流开关与待测器件串联组成，所述旁路电路由第二大电流开关与旁路电阻串联组成；还包括控制器，所述控制器用于控制各条待测器件电路与旁路电路中第一和第二大电流开关的通断，并采用分时导通的控制策略即同一时刻仅有一条电路流过大电流。该电路用于多个GaN功率半导体器件的功率循环测试，消除了传统功率循环电路可能引起的串联不均压或并联不均流问题，保证了功率循环测试条件的一致性，同时具有电源利用率高等优点。
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公开(公告)号：CN112114237A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202011016747.8
申请日：2020-09-24
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明公开了基于门极电荷变化的IGBT模块内部缺陷监测方法及电路，该方法基于IGBT模块在开关过程中的门极电信号会受到因IGBT模块老化导致其内部参数变化的影响的特点，通过监测IGBT模块在开关过程中的门极电信号来评估当期IGBT模块的健康状态；具体的，以IGBT模块门极电荷为监测对象，通过监测运行过程中IGBT模块门极电荷的变化来评估当前IGBT模块的内部缺陷情况；并通过连续对多个开关周期下获得的门极电荷信息进行累积，以放大IGBT模块内部的缺陷。本方案能在不拆卸IGBT模块的情况下方便地进行监测，同时又能确保在IGBT模块正常工作下就能实现对其健康状态的准确评估，提高模块和系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN105811944B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610225437.4
申请日：2016-04-12
申请人： 重庆大学
IPC分类号： H03K17/567 , G01R31/26
摘要： 本发明提供的用于IGBT结温估计的驱动装置及方法，装置包括待测IGBT模块、用于通过改变门极开通电流并从门极开通电压中提取温度感应电参数的恒流源驱动模块和用于在恒流源驱动下对IGBT结温进行估计的门极开通密勒平台；所述恒流源驱动模块包括推挽驱动电路和恒流源电路，当驱动脉宽信号为高电平时，恒流源驱动模块稳压在一个固定值；本发明中的用于IGBT结温估计的驱动装置及方法，可以使门极开通电流快速稳定在一个恒定值，进而使门极开通电压波形中的密勒平台的持续时间要比常规驱动中的密勒平台长，温敏感度与温线性度大幅提高，本发明可以在不破坏模块结构的前提下，对IGBT模块结温进行快速、准确的测量，相应速度快、测试过程简单。
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公开(公告)号：CN105811944A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610225437.4
申请日：2016-04-12
申请人： 重庆大学
IPC分类号： H03K17/567 , G01R31/26
CPC分类号： H03K17/567 , G01R31/2619
摘要： 本发明提供的用于IGBT结温估计的驱动装置及方法，装置包括待测IGBT模块、用于通过改变门极开通电流并从门极开通电压中提取温度感应电参数的恒流源驱动模块和用于在恒流源驱动下对IGBT结温进行估计的门极开通密勒平台；所述恒流源驱动模块包括推挽驱动电路和恒流源电路，当驱动脉宽信号为高电平时，恒流源驱动模块稳压在一个固定值；本发明中的用于IGBT结温估计的驱动装置及方法，可以使门极开通电流快速稳定在一个恒定值，进而使门极开通电压波形中的密勒平台的持续时间要比常规驱动中的密勒平台长，温敏感度与温线性度大幅提高，本发明可以在不破坏模块结构的前提下，对IGBT模块结温进行快速、准确的测量，相应速度快、测试过程简单。
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公开(公告)号：CN105699775A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610156973.3
申请日：2016-03-18
申请人： 重庆大学
IPC分类号： G01R27/02
摘要： 本发明提供的IGBT耦合热阻抗的离散化方波提取方法，包括对IGBT加热，测量小电流密度下FWD导通压降；对FWD加热，测量小电流密度下IGBT的饱和压降，根据测量小电流密度下FWD导通压降和IGBT的饱和压降，间接获取IGBT与FWD结温变化曲线，计算得到连续变化的耦合热阻抗曲线，通过所述耦合热阻抗曲线拟合得到IGBT与FWD的耦合热阻抗；本发明通过较为简单的方法通过对端部电气特征量的测量来提取IGBT模块的耦合热阻抗，进而建立较为完善的IGBT综合热网络模型，本发明通过将IGBT模块视为一个黑盒子，忽略其内部封装结构，在不破坏模块封装的情况下，利用现有的热敏参数法测量热阻的原理，采用离散化测量方波，实现对耦合热阻抗的测量，本发明具有简单有效、响应快速、测量准确的优点。
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公开(公告)号：CN111610422A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010512891.4
申请日：2020-06-08
申请人： 重庆大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了多芯片IGBT模块键合线缺陷的监测电路及监测方法，该监测电路包括驱动器，驱动器包括隔离电源单元、信号比较单元、信号运算单元、工作驱动单元和状态监测单元；隔离电源单元用于向其它各单元供电；信号比较单元用于将多芯片IGBT模块的门极电压Vge与基准预设值Vsth进行比较；信号运算单元用于向工作驱动单元和状态监测单元输出不同的控制信号；工作驱动单元控制多芯片IGBT模块的开通和关断；状态监测单元控制是否向多芯片IGBT模块内注入恒定的门极电流。既能保证多芯片IGBT模块的正常工作，又能在不拆卸的情况下方便地进行监测，确保准确的评估多芯片IGBT模块老化状态。
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