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发明公开
一种适用于GaN功率半导体器件的功率循环主电路审中-实审

公开(公告)号：CN113138329A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110432469.2

申请日：2021-04-21

申请人： 重庆大学

发明人： 孙鹏菊 , 黄旭 , 贺致远 , 詹小华 , 王岩 , 王凯宏 , 罗全明 , 杜雄

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明公开了一种适用于GaN功率半导体器件的功率循环主电路，包含并联的多条待测器件电路和一条旁路电路，所述待测器件电路由第一大电流开关与待测器件串联组成，所述旁路电路由第二大电流开关与旁路电阻串联组成；还包括控制器，所述控制器用于控制各条待测器件电路与旁路电路中第一和第二大电流开关的通断，并采用分时导通的控制策略即同一时刻仅有一条电路流过大电流。该电路用于多个GaN功率半导体器件的功率循环测试，消除了传统功率循环电路可能引起的串联不均压或并联不均流问题，保证了功率循环测试条件的一致性，同时具有电源利用率高等优点。