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公开(公告)号：CN111934562A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010841130.3
申请日：2020-08-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02M7/00 , H01L29/872 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了一种基于横向氮化镓肖特基二极管的微波整流电路，主要解决现有技术无法同时实现大功率和高效率整流的问题。其从左到右依次由射频输入端、输入匹配电路、隔直电容、输入滤波器、二极管、输出滤波器和输出端口连接组成。该二极管采用具有凹槽阳极结构的横向氮化镓肖特基二极管，输入滤波器及输出滤波器采用多开路枝节结构的低通滤波器，电路工作频率为1-8GHz范围内的某一固定频率。实测表明，本发明在频率为2.45GHz，负载电阻为350Ω，输入功率为28.64dBm时获得了最高79％的整流效率，在输入功率为37.33dBm时整流效率仍有50％，显著提升了整流功率和效率，可应用于大功率微波能量传输系统。
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公开(公告)号：CN110534431A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910766692.3
申请日：2019-08-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/329 , H01L29/872 , H01L21/265 , C23C14/18 , C23C14/30 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/50 , C23C16/56
Abstract: 本发明公开了一种基于再生长和离子注入的GaN凹槽阳极肖特基二极管制备方法，主要解决现有方法制作的GaN肖特基二极管欧姆接触电阻较大的问题。其实现方案为：1)在清洗后的外延片上淀积SiN；2)在淀积有SiN的外延片上进行欧姆区离子注入，并将其清洗后进行热退火处理；3)在离子注入后的外延片上淀积SiO2；4)在淀积有SiO2的外延片上依次进行源漏区凹槽光刻和凹槽刻蚀，并进行清洗；5)在清洗后的外延片上生长n+-GaN，并去除生长有n+-GaN外延片上的剩余SiO2层，再进行阴极金属淀积，并热退火；6)在退火后的外延片上刻蚀出阳极凹槽并进行阳极制作。本发明的欧姆接触电阻低，刻蚀工艺简单，可用于制作电力电子器件。
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公开(公告)号：CN114497194A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210000077.3
申请日：2022-01-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/15 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/868 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种P型采用InGaN的PIN二极管，主要解决现有GaN PIN二极管P区难以实现有效高掺杂导致性能低的问题。其自下而上包括衬底(1)、N‑型层(2)、本征层(3)及P‑型层(4)，该N‑型层采用由GaN层(21)和AlxGa1‑xN层(22)周期交替排列的N‑型多沟道结构，以得到高浓度电子；本征层采用渐变Al组分的AlxGa1‑xN层，以得到低浓度载流子；P‑型层采用GaN插入层(41)与InxGa1‑xN层(42)两种材料交替排列的复合结构，以得到高载流子浓度。本发明通过插入层的引入提升了InxGa1‑xN层的生长质量。进而提高了器件性能，可用于LED、微波功率及电力电子电路。
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公开(公告)号：CN111934566A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010841129.0
申请日：2020-08-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02M7/06 , H01L29/872 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了一种多氮化镓肖特基二极管串并联结构的大功率微波整流电路，主要解决现有技术微波整流功率低的问题。其从左到右依次由输入端口(1)、匹配电路(2)、隔直电容(3)、输入滤波器(4)、整流器(5)、输出滤波器(6)以及负载(7)连接组成。该整流器采用多个氮化镓肖特基二极管串并联结构，且整体封装在一个二极管管壳内，并联接入电路。实测表明，本发明在频率为2.45GHz，负载电阻为350Ω，输入功率为10W时获得了71％的最高整流效率，显著提升了整流功率，可应用于大功率微波能量传输系统。
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公开(公告)号：CN111987144A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010846921.5
申请日：2020-08-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/40 , H01L29/872 , H03F1/52
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓肖特基二极管多级限幅电路，主要解决现有限幅器功率容量小，响应速度慢的问题。其自左到右依次为第一级对管(1)、第二级对管(2)、第三级对管(3)，各级对管之间通过微带线L连接，三级对管均采用凹槽阳极结构的横向氮化镓肖特基二极管，第一级对管中的两个二极管采用Pt作为阳极金属，开启电压1.2V；第二级对管中的两个二极管采用Ni作为阳极金属，开启电压0.8V，第三级对管中的两个二极管采用W或Mo作为阳极金属，开启电压0.4V。本发明通过采用开启电压逐级减小的氮化镓肖特基二极管，显著提升了限幅电路的频率响应，降低了限幅电平，提高了功率容量，可用于微波防护。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109728087B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201910016393.8
申请日：2019-01-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/033 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米球掩膜的低欧姆接触GaN基高电子迁移率晶体管制备方法，主要解决GaN高电子迁移率晶体管欧姆接触电阻较大的问题。其实现为：在清洗后的外延片上淀积SiO2；在淀积有SiO2的外延片上依次进行源漏区域光刻和涂附微纳米氧化铝微纳球；通过纳米球掩模刻蚀掉外延片上源漏区的SiO2层和AlGaN层，形成源漏区图形化纳米通孔，并进行清洗；在清洗后的外延片上生长n+‑GaN，并去除生长有n+‑GaN的外延片上的剩余的SiO2层；再进行源漏金属淀积，并热退火；在退火后的外延片上进行栅极制作。本发明欧姆接触电阻低，刻蚀工艺简单，可用于制作电力电子器件。
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公开(公告)号：CN109728087A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201910016393.8
申请日：2019-01-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/033 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米球掩膜的低欧姆接触GaN基高电子迁移率晶体管制备方法，主要解决GaN高电子迁移率晶体管欧姆接触电阻较大的问题。其实现为：在清洗后的外延片上淀积SiO2；在淀积有SiO2的外延片上依次进行源漏区域光刻和涂附微纳米氧化铝微纳球；通过纳米球掩模刻蚀掉外延片上源漏区的SiO2层和AlGaN层，形成源漏区图形化纳米通孔，并进行清洗；在清洗后的外延片上生长n+-GaN，并去除生长有n+-GaN的外延片上的剩余的SiO2层；再进行源漏金属淀积，并热退火；在退火后的外延片上进行栅极制作。本发明欧姆接触电阻低，刻蚀工艺简单，可用于制作电力电子器件。
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公开(公告)号：CN111987144B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202010846921.5
申请日：2020-08-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/40 , H01L29/872 , H03F1/52
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓肖特基二极管多级限幅电路，主要解决现有限幅器功率容量小，响应速度慢的问题。其自左到右依次为第一级对管(1)、第二级对管(2)、第三级对管(3)，各级对管之间通过微带线L连接，三级对管均采用凹槽阳极结构的横向氮化镓肖特基二极管，第一级对管中的两个二极管采用Pt作为阳极金属，开启电压1.2V；第二级对管中的两个二极管采用Ni作为阳极金属，开启电压0.8V，第三级对管中的两个二极管采用W或Mo作为阳极金属，开启电压0.4V。本发明通过采用开启电压逐级减小的氮化镓肖特基二极管，显著提升了限幅电路的频率响应，降低了限幅电平，提高了功率容量，可用于微波防护。
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公开(公告)号：CN114497195A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210000078.8
申请日：2022-01-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/15 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/868 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种基于超晶格的PIN二极管，主要解决现有GaN PIN二极管难以形成高有效掺杂P区及低载流子浓度本征区导致性能低的问题。其自下而上包括衬底(1)、N‑型层(2)、本征层(3)及P‑型层(4)，该N‑型层采用由GaN层(21)和AlxGa1‑xN层(22)周期交替排列的N‑型多沟道结构以得到高浓度载流子；本征层采用渐变Al组分的AlxGa1‑xN层或轻掺杂GaN层以得到低载流子浓度；P‑型层采用由AlxGa1‑xN层(41)和GaN层(42)周期交替排列的超晶格结构易得到高载流子浓度。两种材料交替排列的周期由实际需要决定。本发明提高了器件性能，可用于LED、微波功率及电力电子电路。
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公开(公告)号：CN110571284A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910808515.7
申请日：2019-08-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/40 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种基于浮空场板结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管器件，主要解决现有技术击穿电压较低，可靠性较差的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、插入层(4)、势垒层(5)，势垒层(5)上方设有阳极(6)和阴极(7)，该阳极(6)与阴极(7)之间为钝化层(8)，钝化层(8)上淀积有浮空场板(9)，用于降低阳极下方边缘电场峰值，提高击穿电压。本发明具有工艺简单、成品率高和可靠性好的优点，可作为大功率系统以及开关应用的基本器件。
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