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公开(公告)号：CN119008602A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411108612.2
申请日：2024-08-13
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L25/07 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/367 , H02M1/00
Abstract: 本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种基于铜夹扣的多芯片并联碳化硅功率模块，在多芯片并联碳化硅功率模块本体中通过铜夹扣连接组件将上桥臂DBC基板和下桥臂DBC基板连接，并且代替了传统铝键合线，完成碳化硅功率半导体芯片的功率源极和DBC基板的上表面金属区域间的电气互连，减小了互连部分的寄生参数，提高了互连结构的可靠性，同时为碳化硅功率半导体芯片增加了一条顶部的额外散热路径，从而增强了碳化硅功率模块的散热能力，通过调整铜夹扣的结构参数均衡了并联芯片的功率源极寄生电感，同时结合布局的对称性优化了多芯片并联碳化硅功率模块使用中存在的动态电流分配不均问题。
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公开(公告)号：CN114649279A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210269699.6
申请日：2022-03-18
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/49 , H01L23/16
Abstract: 本发明公开了一种基于导电金属带的宽禁带半导体双面散热模块封装结构，不同桥臂的半导体功率芯片设置于不同的功率衬底上，减小模块的体积，极大提高了模块功率密度；功率垫片设置于顶部、底部功率衬底之间，起机械支撑和电气连接作用，在双面散热的基础上为每一个半导体功率芯片提供额外的散热路径，降低芯片之间热耦合程度，达到芯片均温效果，同时改善芯片散热环境；驱动回路与换流回路近于在空间上近于垂直，回路之间电磁耦合程度得到极大降低，模块可靠性得到进一步提升；换流回路使用导电金属带完成芯片所须的电气连接，模块寄生电感数值极大减小，其中源极导电金属带于连接处开有孔槽，可以使寄生电感分布均匀度得到提升，达到芯片均流效果。
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公开(公告)号：CN111146164B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201911360511.3
申请日：2019-12-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , H01L23/495 , H01L25/07
Abstract: 本发明公开了一种适用于恶劣环境的宽禁带功率模块的封装结构，包括顶部功率基板、底部功率基板、若干功率垫片、功率端子以及电子电子功率半导体芯片；若干功率垫片设置于顶部导电金属基板和底部导电金属基板之间；功率端子包括一个与顶部导电金属基板相连的交流功率端子，以及两个与底部导电金属基板相连的直流功率端子正极和直流功率端子负极；相邻的芯片不在同一个水平面上，交错排布的方式能够极大的减小所有芯片之间的热耦合程度，使得所有芯片于其他芯片的热耦合程度较为平均，以便达到所有芯片均温的效果；本发明得益于模块的均温、均流和低热阻的优点，芯片可以轻松地紧密排布，从而缩小了功率模块的体积，减少了散热冷却系统的成本。
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公开(公告)号：CN119448742A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411532374.8
申请日：2024-10-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅功率模块动态均流方法及系统，设置多芯片并联碳化硅功率模块的基础布局，提取电路寄生参数；设置碳化硅功率模块工作条件，设置母线电压、负载电流、功率芯片开关速度；设置最高容许电压过冲，依据电压过冲限制分布式解耦电容组的总电容值；根据加入分布式解耦电容组后并联支路在设定开关速度下的等效阻抗，调整分布式解耦电容的电容值，使得各支路等效阻抗相同。本发明通过集成分布式解耦电容，解决了传统并联技术中电流分配不均的问题，对于提升电力电子系统的性能具有重要的理论和实际意义。
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公开(公告)号：CN114400220A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210037750.0
申请日：2022-01-13
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L25/07 , H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种适用于高温环境的宽禁带功率模块的双面倒装封装结构，包括顶部陶瓷基板、底部陶瓷基板、第一SiC MOSFET器件、第二SiC MOSFET器件、第三SiC MOSFET器件、第四SiC MOSFET器件、第五SiC MOSFET器件、第六SiC MOSFET器件、第七SiC MOSFET器件、第八SiC MOSFET器件、第一钼柱、第二钼柱、第三钼柱、第四钼柱、第五钼柱、第六钼柱、第七钼柱、第八钼柱、第一金属引出端子、第二金属引出端子、第三金属引出端子、第四金属引出端子、第五金属引出端子、第六金属引出端子及第七金属引出端子，该结构具有高集成度、低寄生参数、高散热效率、高功率密度以及便于级联的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111540730A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010324003.6
申请日：2020-04-22
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L25/065 , H01L23/48 , H01L23/14 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种基于导电金属夹扣互连的多芯片宽禁带功率模块封装结构，包括功率基板、导电金属夹扣、功率端子、驱动端子以及电子电子功率半导体芯片，适用于多个宽禁带半导体功率芯片并联的大电流等级功率模块。若干串联或并联的电力电子功率半导体芯片排布在功率基板上表面的导电金属基板上；功率回路中使用导电金属夹扣替代传统的铝键合线完成功率模块中功率回路的电气连接；导电金属夹扣的布局设计使得功率模块中并联支路的寄生电感分布均匀度得到极大提升，达到并联芯片均流的效果；相邻芯片的间距相同保证散热条件几乎相同，达到芯片均温的效果；导电金属夹扣接头的形状设计降低了工作产生的热-机械应力，提升了功率模块的可靠性；导电金属夹扣的热量传递能力使功率模块实现双面散热结构。
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公开(公告)号：CN111146164A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911360511.3
申请日：2019-12-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , H01L23/495 , H01L25/07
Abstract: 本发明公开了一种适用于恶劣环境的宽禁带功率模块的封装结构，包括顶部功率基板、底部功率基板、若干功率垫片、功率端子以及电子电子功率半导体芯片；若干功率垫片设置于顶部导电金属基板和底部导电金属基板之间；功率端子包括一个与顶部导电金属基板相连的交流功率端子，以及两个与底部导电金属基板相连的直流功率端子正极和直流功率端子负极；相邻的芯片不在同一个水平面上，交错排布的方式能够极大的减小所有芯片之间的热耦合程度，使得所有芯片于其他芯片的热耦合程度较为平均，以便达到所有芯片均温的效果；本发明得益于模块的均温、均流和低热阻的优点，芯片可以轻松地紧密排布，从而缩小了功率模块的体积，减少了散热冷却系统的成本。
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公开(公告)号：CN100463524C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200610104776.3
申请日：2006-10-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H04N7/26
Abstract: 本发明提供了一种用于运动估计的VLSI装置及支持多尺寸搜索窗口和可变尺寸块的运动估计方法，可支持率失真代价的准则，降低运动估计的计算强度，减少硬件功耗和计算时间，并可以执行H.264/AVC标准和其它多种数字视频编码标准。本发明装置的工作模式为4种基本工作模式中的一种，将搜索窗口数据划分为2至5个窗口存入相应的2至5个搜索窗数据缓存中；总控制器根据不同基本工作模式将整个运动估计分成1至32个子过程，进行SAD的计算，由并行比较器分别将子块的SAD转变为率失真代价；每执行完一个子过程后，由串行比较器比较传入的局部最小值和内部的全局最小值，所有的子过程执行完毕后，由串行比较器输出运动估计的结果。
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公开(公告)号：CN118983280A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411066005.4
申请日：2024-08-05
Applicant: 西安交通大学 , 绍兴市通越宽禁带半导体研究院
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/488
Abstract: 本发明公开了一种基于高导热垫块的双面散热碳化硅功率模块，碳化硅芯片的上表面通过高导热垫块连接，主体为高导热绝缘材料的高导热垫块具有超出碳化硅功率芯片的面积，将芯片所产生的热量向上扩散至更大的面积，从而大幅提高了双面散热碳化硅功率模块的散热能力，有效降低了碳化硅芯片的最高温度与温度波动。
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公开(公告)号：CN114400220B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210037750.0
申请日：2022-01-13
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L25/07 , H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种适用于高温环境的宽禁带功率模块的双面倒装封装结构，包括顶部陶瓷基板、底部陶瓷基板、第一SiC MOSFET器件、第二SiC MOSFET器件、第三SiC MOSFET器件、第四SiC MOSFET器件、第五SiC MOSFET器件、第六SiC MOSFET器件、第七SiC MOSFET器件、第八SiC MOSFET器件、第一钼柱、第二钼柱、第三钼柱、第四钼柱、第五钼柱、第六钼柱、第七钼柱、第八钼柱、第一金属引出端子、第二金属引出端子、第三金属引出端子、第四金属引出端子、第五金属引出端子、第六金属引出端子及第七金属引出端子，该结构具有高集成度、低寄生参数、高散热效率、高功率密度以及便于级联的特点。
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