公开(公告)号：CN110190049B

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN201910428010.8

申请日：2019-05-22

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王来利 ,  侯晓东 ,  赵成 ,  王见鹏 ,  马定坤 ,  杨成子 ,  杨旭

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 发明公开了一种高压功率模块封装结构，其包括自上而下的源极基板芯片子模块、驱动基板、驱动端子、外壳、漏极基板，其中芯片子模块由驱动连接基板、功率源极金属块、驱动栅极金属柱、驱动源极金属柱、碳化硅裸片、绝缘结构等。本发明结构合理，采用纳米银烧结工艺的新型高压碳化硅封装结构有利于提高压接模块的可靠性；在芯片终端设置绝缘结构以及用固体绝缘材料填充模块提高了器件的耐压性；封装结构集成了驱动基板并实现开尔文连接，提高了驱动的可靠性。

公开(公告)号：CN110246835A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910428016.5

申请日：2019-05-22

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王来利 ,  侯晓东 ,  赵成 ,  王见鹏 ,  马定坤 ,  杨成子 ,  杨旭

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 发明公开了一种三维集成高压碳化硅模块封装结构，其包括自上而下的源极基板、芯片子模块、上驱动端子、上驱动基板、陶瓷外壳、可集成水冷散热器的金属基板、进水口、出水口、芯片子模块、下驱动端子、下驱动基板、漏极基板，其中芯片子模块由驱动连接基板、功率源极金属块、驱动栅极金属柱、驱动栅极金属柱、碳化硅裸片、绝缘结构等组成。采用三维集成结构让回路不收二维布局的局限，寄生参数大幅降低；采用集成水冷散热器的中间基板能保证每层芯片都是双面散热结构，提高模块的散热效率；采用外接解耦电容组，减小电压振荡的同时也不会影响模块内部的可靠性；采用金属平板作为引出端子，能够与现有的电网输变电系统相兼容。

公开(公告)号：CN110246835B

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN201910428016.5

申请日：2019-05-22

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王来利 ,  侯晓东 ,  赵成 ,  王见鹏 ,  马定坤 ,  杨成子 ,  杨旭

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 发明公开了一种三维集成高压碳化硅模块封装结构，其包括自上而下的源极基板、芯片子模块、上驱动端子、上驱动基板、陶瓷外壳、可集成水冷散热器的金属基板、进水口、出水口、芯片子模块、下驱动端子、下驱动基板、漏极基板，其中芯片子模块由驱动连接基板、功率源极金属块、驱动栅极金属柱、驱动源极金属柱、碳化硅裸片、绝缘结构等组成。采用三维集成结构让回路不收二维布局的局限，寄生参数大幅降低；采用集成水冷散热器的中间基板能保证每层芯片都是双面散热结构，提高模块的散热效率；采用外接解耦电容组，减小电压振荡的同时也不会影响模块内部的可靠性；采用金属平板作为引出端子，能够与现有的电网输变电系统相兼容。

公开(公告)号：CN110190049A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910428010.8

申请日：2019-05-22

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王来利 ,  侯晓东 ,  赵成 ,  王见鹏 ,  马定坤 ,  杨成子 ,  杨旭

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 发明公开了一种高压功率模块封装结构，其包括自上而下的源极基板芯片子模块、驱动基板、驱动端子、外壳、漏极基板，其中芯片子模块由驱动连接基板、功率源极金属块、驱动栅极金属柱、驱动源极金属柱、碳化硅裸片、绝缘结构等。本发明结构合理，采用纳米银烧结工艺的新型高压碳化硅封装结构有利于提高压接模块的可靠性；在芯片终端设置绝缘结构以及用固体绝缘材料填充模块提高了器件的耐压性；封装结构集成了驱动基板并实现开尔文连接，提高了驱动的可靠性。

公开(公告)号：CN119008602A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411108612.2

申请日：2024-08-13

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王来利 ,  张鑫 ,  张彤宇 ,  侯晓东 ,  关国廉 ,  汪岩 ,  龚泓舟 ,  赵明智

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H02M1/00

Abstract: 本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种基于铜夹扣的多芯片并联碳化硅功率模块，在多芯片并联碳化硅功率模块本体中通过铜夹扣连接组件将上桥臂DBC基板和下桥臂DBC基板连接，并且代替了传统铝键合线，完成碳化硅功率半导体芯片的功率源极和DBC基板的上表面金属区域间的电气互连，减小了互连部分的寄生参数，提高了互连结构的可靠性，同时为碳化硅功率半导体芯片增加了一条顶部的额外散热路径，从而增强了碳化硅功率模块的散热能力，通过调整铜夹扣的结构参数均衡了并联芯片的功率源极寄生电感，同时结合布局的对称性优化了多芯片并联碳化硅功率模块使用中存在的动态电流分配不均问题。