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公开(公告)号：CN118983280A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411066005.4
申请日：2024-08-05
Applicant: 西安交通大学 , 绍兴市通越宽禁带半导体研究院
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/488
Abstract: 本发明公开了一种基于高导热垫块的双面散热碳化硅功率模块，碳化硅芯片的上表面通过高导热垫块连接，主体为高导热绝缘材料的高导热垫块具有超出碳化硅功率芯片的面积，将芯片所产生的热量向上扩散至更大的面积，从而大幅提高了双面散热碳化硅功率模块的散热能力，有效降低了碳化硅芯片的最高温度与温度波动。
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公开(公告)号：CN114400220B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210037750.0
申请日：2022-01-13
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L25/07 , H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种适用于高温环境的宽禁带功率模块的双面倒装封装结构，包括顶部陶瓷基板、底部陶瓷基板、第一SiC MOSFET器件、第二SiC MOSFET器件、第三SiC MOSFET器件、第四SiC MOSFET器件、第五SiC MOSFET器件、第六SiC MOSFET器件、第七SiC MOSFET器件、第八SiC MOSFET器件、第一钼柱、第二钼柱、第三钼柱、第四钼柱、第五钼柱、第六钼柱、第七钼柱、第八钼柱、第一金属引出端子、第二金属引出端子、第三金属引出端子、第四金属引出端子、第五金属引出端子、第六金属引出端子及第七金属引出端子，该结构具有高集成度、低寄生参数、高散热效率、高功率密度以及便于级联的特点。
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公开(公告)号：CN112710940B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011541017.X
申请日：2020-12-23
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET反向转移电容测量方法，包括以下步骤：栅极驱动器输出的高电平电压Vgg、下桥臂SiC MOSFET的漏极外接引线端子G与母线电源的负极性端子S’之间的电压uGS’、外加驱动电阻Rg_de、栅极驱动器内部驱动电阻Rg_dr、下桥臂SiC MOSFET的栅漏极PCB布线产生的杂散电容Cdg’、SiC MOSFET漏源极电容两端的电压uDS及SiC MOSFET漏栅极电容两端的电压uDG，得SiC MOSFET的反向转移电容Cdg，该方法能够较为准确测量SiC MOSFET的反向转移电容，且测量较为简单。
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公开(公告)号：CN114400210A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210039284.X
申请日：2022-01-13
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 本发明公开了一种双面散热芯片倒装的气密性耐高温封装结构，包括上陶瓷基板、下陶瓷基板及金属密封带；上陶瓷基板的内部设置有第一金属化区域、第二金属化区域、第三金属化区域、第四金属化区域、第五金属化区域、第六金属化区域、第七金属化区域、第八金属化区域、上桥臂的SiC MOSFET、下桥臂的SiC MOSFET、第一垫片、第二垫片、第三垫片及第四垫片；上陶瓷基板的背面设置有第一背部金属化区域、第二背部金属化区域、第三背部金属化区域、第四背部金属化区域、第五背部金属化区域、第六背部金属化区域及第七背部金属化区域，该结构具有低成本、高可靠性、低寄生参数及耐高温的特点。
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公开(公告)号：CN112864140A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011638747.1
申请日：2020-12-31
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种新型耐高温SiC MOSFET半桥多层封装结构，包括封装层及引片结构，其中，封装层内设置有第一镀金金属化芯区及第二镀金金属化芯区，封装层的表面开设有自上到下分布的通孔结构，引片结构插入于通孔结构内后与封装层之间密封，第一镀金金属化芯区上设置有上桥臂半导体芯片，第二镀金金属化芯区上设置有下桥臂半导体芯片，其中，引片结构与上桥臂半导体芯片及下桥臂半导体芯片相连，该结构具有低成本、高可靠性、低寄生参数及耐高温的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110212764A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910481842.6
申请日：2019-06-04
Applicant: 西安交通大学
IPC: H02M3/158
Abstract: 本发明公开了一种适用于数据中心电压调节模块的非隔离直流斩波电路，电源的负极接地，电源的正极经第一开关管与第一电容的一端及第二开关管的一端相连接，第二开关管的另一端与第三开关管的一端及第二电容的一端相连接，第三开关管的另一端与第三电容的一端及第四开关管的一端相连接，第四开关管的另一端与第五开关管的一端、第一电感的一端及第二电容的另一端相连接，第五开关管的另一端接地，第一电感的另一端与负载的一端及第二电感的一端相连接，第一电容的另一端与第三电容的另一端、第二电感的另一端及第六开关管的一端相连接，第六开关管的另一端接地，负载的另一端接地，该电路的体积小，且电容及开关管的数量较少。
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公开(公告)号：CN114400210B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202210039284.X
申请日：2022-01-13
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 本发明公开了一种双面散热芯片倒装的气密性耐高温封装结构，包括上陶瓷基板、下陶瓷基板及金属密封带；上陶瓷基板的内部设置有第一金属化区域、第二金属化区域、第三金属化区域、第四金属化区域、第五金属化区域、第六金属化区域、第七金属化区域、第八金属化区域、上桥臂的SiC MOSFET、下桥臂的SiC MOSFET、第一垫片、第二垫片、第三垫片及第四垫片；上陶瓷基板的背面设置有第一背部金属化区域、第二背部金属化区域、第三背部金属化区域、第四背部金属化区域、第五背部金属化区域、第六背部金属化区域及第七背部金属化区域，该结构具有低成本、高可靠性、低寄生参数及耐高温的特点。
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公开(公告)号：CN112630544B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202011534487.3
申请日：2020-12-22
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R27/26 , G01R31/26 , G06F30/3308
Abstract: 本发明公开了一种高压SiC MOSFET漏源极间非线性电容测量及建模方法，包括以下步骤：1)进行米勒平台外的漏源极间电容Cds分段表征；2)进行开关动态过程中米勒平台区的漏源极间电容测量表征；3)根据米勒平台外的漏源极间电容Cds分段表征及开关动态过程中米勒平台区的漏源极间电容测量表征进行SiC MOSFET漏源极间电容Cds的建模，该方法能够实现高压SiC MOSFET漏源极间非线性电容的精确测量及建模，且适应范围较广。
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公开(公告)号：CN114400223A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210039293.9
申请日：2022-01-13
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种高集成的单陶瓷基板双面散热封装结构，包括陶瓷基板、上桥臂的SiC肖特基二极管、上桥臂的SiC MOSFET、下桥臂的SiC肖特基二极管、下桥臂的SiC MOSFET、第一金属端子盖板、第二金属端子盖板、第三金属端子盖板、第四金属端子盖板、第五金属端子盖板、第六金属端子盖板及第七金属端子盖板，该结构具有高集成度、低寄生参数、高散热效率、高功率密度及便于级联的特点。
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公开(公告)号：CN114384298A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210039296.2
申请日：2022-01-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种用于双面冷却模块的电流检测和垫块一体式电流传感器，包括以AlN陶瓷为骨架的罗氏线圈，所述罗氏线圈包括顶层、中层、底层，及中间垫块，中间垫块为Cu‑Mo‑Cu合金结构，该传感器能够有效解决安装过程中测量位置和测量角度不固定的问题，同时能够满足高温环境中应用。
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