-
公开(公告)号：CN118971627A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411374140.5
申请日：2024-09-29
Applicant: 西安交通大学 , 绍兴市通越宽禁带半导体研究院
Abstract: 本发明公开了一种半桥LCLCL谐振电路的直流变换器及其设计方法，包括：根据工程需求，确定半桥LCLCL变换器的参数；根据LCLCL变换器全范围ZVS的要求及所述半桥LCLCL变换器的参数，计算磁性元件的参数；根据所述磁性元件的参数，建立磁性元件模型，通过对所述磁性元件模型进行损耗仿真，评估LCLCL变换器的效率；调整LCLCL变换器的谐振开关频率，在LCLCL变换器的预设体积范围内，使得LCLCL变换器的效率最优；或者LCLCL变换器效率在最低限时，使得LCLCL变换器的体积最小化，该变换器及其设计方法能够实现体积与效率的平衡。
-
公开(公告)号：CN118315381B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410429282.0
申请日：2024-04-10
Applicant: 西安交通大学 , 绍兴市通越宽禁带半导体研究院
Abstract: 本发明属于电气机械及器材制造以及功率器件封装技术领域，具体涉及一种柔性氮化镓功率模块及其封装方法。柔性氮化镓功率模块包括基板，包括第一导电层和第二导电层，在第一导电层与第二导电层之间填充聚酰亚胺材料以形成聚酰亚胺介质层，第一导电层通过多个焊点与第二导电层电气连接；GaN器件具有至少两个，配置在第一导电层的一侧；解耦电容具有至少一个，配置在相邻两个GaN器件之间；第一导电层通过互联焊层分别与GaN器件、解耦电容连接；解耦电容与其相邻的两个GaN器件形成功率环路。本发明主要从低封装寄生参数和低芯片应力来保证功率模块在高频、高功率密度下安全高效运行，解决现有的封装方法寄生电感难以进一步减小的问题。
-
公开(公告)号：CN117709282B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202311742144.X
申请日：2023-12-18
Applicant: 西安交通大学 , 绍兴市通越宽禁带半导体研究院
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06F17/13 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块的最小结温布局方法，涉及功率半导体技术领域，包括以下步骤：分别构建两个功率半导体绝对温度的拉普拉斯三维导热偏微分方程；将两个功率半导体的相对温度的偏微分方程展开为傅里叶级数，得到两个功率半导体的相对温度；根据两个功率半导体的相对温度得到两个功率半导体的自热阻和耦合热阻；对第一功率半导体的自热阻和耦合热阻进行求和；求解第一功率半导体的总热阻的偏导数，根据偏导数结果对第一功率半导体和第二功率半导体的位置进行布局。本发明不增加设计的复杂度，仅通过优化功率半导体的位置和功率半导体之间的相对位置，降低功率半导体的工作结温，可以减小连接层承受的应力，增强整体的可靠性。
-
公开(公告)号：CN118983280A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411066005.4
申请日：2024-08-05
Applicant: 西安交通大学 , 绍兴市通越宽禁带半导体研究院
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/488
Abstract: 本发明公开了一种基于高导热垫块的双面散热碳化硅功率模块，碳化硅芯片的上表面通过高导热垫块连接，主体为高导热绝缘材料的高导热垫块具有超出碳化硅功率芯片的面积，将芯片所产生的热量向上扩散至更大的面积，从而大幅提高了双面散热碳化硅功率模块的散热能力，有效降低了碳化硅芯片的最高温度与温度波动。
-
公开(公告)号：CN118315381A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410429282.0
申请日：2024-04-10
Applicant: 西安交通大学 , 绍兴市通越宽禁带半导体研究院
Abstract: 本发明属于电气机械及器材制造以及功率器件封装技术领域，具体涉及一种柔性氮化镓功率模块及其封装方法。柔性氮化镓功率模块包括基板，包括第一导电层和第二导电层，在第一导电层与第二导电层之间填充聚酰亚胺材料以形成聚酰亚胺介质层，第一导电层通过多个焊点与第二导电层电气连接；GaN器件具有至少两个，配置在第一导电层的一侧；解耦电容具有至少一个，配置在相邻两个GaN器件之间；第一导电层通过互联焊层分别与GaN器件、解耦电容连接；解耦电容与其相邻的两个GaN器件形成功率环路。本发明主要从低封装寄生参数和低芯片应力来保证功率模块在高频、高功率密度下安全高效运行，解决现有的封装方法寄生电感难以进一步减小的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118033357A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410165273.5
申请日：2024-02-05
Applicant: 西安交通大学 , 绍兴市通越宽禁带半导体研究院
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件结温在线检测系统及方法和控制器，包括控制器、在线测量电路以及用于提取待测器件饱和漏极电流信息的检测模块，其中，在线测量电路的一端与待测器件的漏极相连接，在线测量电路的另一端及待测器件的源极相连接；当待测器件进入饱和区工作时，在线测量电路中的储能元件自动向待测器件的漏极注入电流，使得待测器件的漏极电流上升；控制器与所述检测模块相连接，控制器根据所述检测模块提取的待测器件饱和漏极电流信息确定待测器件的结温，该系统、方法及控制器能够在线检测半导体器件的结温，且具有低成本、高精度、高灵敏度以及高响应速度的特点。
-
公开(公告)号：CN117175808A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311285176.1
申请日：2023-10-07
Applicant: 绍兴市通越宽禁带半导体研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于无线电能传输系统的同步锁相方法，涉及新能源及节能技术领域，包括以下步骤：将谐振电容电压输入至电流过零采样电路，得到电流同步信号；将桥臂中点对地电压输入至反向导通检测电路，得到反向导通信号；将反向导通信号和第三时钟信号输入至死区时间控制模块，得到死区时间控制量；将电流同步信号和第一时钟信号输入至驱动相角控制模块，得到驱动相角采样值；根据驱动相角采样值得到驱动相角控制量；将载波、死区时间控制量和驱动相角控制量输入至PWM调制模块，产生驱动信号，实现了整流器的同步锁相。本发明实现了无线电能传输系统的整流器的同步锁相和临界零电压开通工况，提高无线电能传输系统控制的稳定性和准确性。
-
公开(公告)号：CN119069438A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411202926.9
申请日：2024-08-29
Applicant: 西安交通大学 , 绍兴市通越宽禁带半导体研究院
IPC: H01L23/473 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种以液态金属作为传热介质的热互连结构及其制备方法，包括热沉、液态金属、多孔钢网及热源；所述多孔钢网为孔阵列结构，所述热沉的表面分布有柱阵列，多孔钢网粘贴于热源的表面，所述柱阵列与孔阵列结构嵌套配合，液态金属滴入于所述孔阵列结构中，通过所述液态金属将热源与热沉相连接，该结构及其制备方法能够解决散热效率不足以及存在液态金属泄露风险的问题。
-
公开(公告)号：CN118398357B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410866128.X
申请日：2024-07-01
Applicant: 西安交通大学 , 绍兴市通越宽禁带半导体研究院
IPC: H01F27/30 , H01F19/04 , H01F27/08 , H01F27/26 , H01F27/28 , H01F27/32 , H01F27/34 , H01F41/00 , H01F41/02 , H01F41/04 , H01F41/06
Abstract: 本发明公开了一种基于非切割型纳米晶的高频变压器及设计方法，属于变压器制造技术领域。本发明的第一内层骨架和第二内层骨架通过第一插接组件连接构成内层骨架，原边绕组绕设在内层骨架上；第一外层骨架和第二外层骨架通过第二插接组件连接构成外层骨架，副边绕组绕设在外层骨架上；第一内层骨架与第一外层骨架以及第二内层骨架和第二外层骨架之间也采用插接组件连接；磁芯为两组对称安装在骨架上的非切割纳米晶磁芯，本发明针对基于非切割型纳米晶磁芯，考虑磁芯、骨架以及绕组之间的配合，巧妙灵活地设计内外层骨架，通过骨架上的插接组件实现骨架可拆卸功能的同时保证了变压器整体的机械强度和绝缘强度和散热能力，并尽可能减小体积。
-
公开(公告)号：CN118586198A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410761896.9
申请日：2024-06-13
Applicant: 西安交通大学 , 绍兴市通越宽禁带半导体研究院
IPC: G06F30/20 , G06F111/04
Abstract: 本发明公开了一种双有源桥变换器的磁性元件设计方法、装置和设备，涉及变压器、整流器及电感器制造技术领域。本发明方法可以快速高效可靠地完成DAB中磁性元件的设计，达到高效率、高功率密度、高可靠性的目的。多目标优化方法以磁性元件磁芯形状、电感值、绕组匝数为设计变量，结合DAB具体参数，构建具备电路约束和器件约束两大约束条件的模型，以高效率和高功率密度作为目的进行多目标优化。从理论上推导变换器参数对效率和功率密度的影响，总结设计变量与优化目标的相关规律，有效降低了设计变量维度。本发明对于基于单移相调制策略的DAB中磁性元件的设计具备普适性，可以针对变换器的高效率和高功率密度的需求，完成磁性元件的快速设计。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.025 seconds)
