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公开(公告)号:CN104641292B
公开(公告)日:2019-06-18
申请号:CN201380048934.6
申请日:2013-04-09
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/0226 , G03F7/0233 , G03F7/105
Abstract: 本发明是有关于用于显示装置绝缘膜的光敏树脂组成物、使用其的显示装置绝缘膜、及使用其的显示装置,所述组成物包括(A)一碱可溶树脂;(B)一光敏重氮醌化合物;(C)一有色材料,其具有400‑550nm的最大吸收波长;及(D)一溶剂。基于此,可实现高敏感性、高解析度,及优异图案性能及显影性,避免于相邻像素间漏光,及增加色纯度。
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公开(公告)号:CN104620326B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201380044747.0
申请日:2013-08-16
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 本发明提供一种用于氧化硅类绝缘层的组成物及其制造方法,并揭示一种氧化硅类绝缘层及其制造方法。本发明提供的用于氧化硅类绝缘层的组成物,包括氢化聚硅氮烷或氢化聚硅氧氮烷,且具有浓度为1,200ppm或小于1,200ppm的环状化合物,所述环状化合物的重量平均分子量为400或小于400。所述用于氧化硅类绝缘层的组成物可减小氧化硅类绝缘层形成期间的厚度分布,由此减少在半导体制造制程期间的化学机械抛光(CMP)制程之后在层中的缺陷。
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公开(公告)号:CN102585516B
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201110425397.5
申请日:2011-12-16
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C08L83/14 , C08G77/54 , H01L21/31 , H01L27/108
CPC classification number: C08G77/54 , H01L21/02164 , H01L21/02216 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L28/40
Abstract: 本发明提供用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法。该组合物包括氢化聚硅氧硅氮烷,该氢化聚硅氧硅氮烷包括化学式1的部分和化学式2的部分,且氯浓度为1ppm或更低。在化学式1和2中,R1至R7各自独立为氢、取代或未取代C1至C30烷基、取代或未取代C3至C30环烷基、取代或未取代C6至C30芳基、取代或未取代C7至C30芳烷基、取代或未取代C1至C30杂烷基、取代或未取代C2至C30杂环烷基、取代或未取代C2至C30烯基、取代或未取代烷氧基、取代或未取代羰基、羟基或它们的组合,条件是R1至R7中至少一个为氢。利用本发明组合物可形成有少量缺陷的硅基绝缘层。
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公开(公告)号:CN102695987B
公开(公告)日:2014-10-01
申请号:CN201080060384.6
申请日:2010-12-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/11
Abstract: 根据本发明的一个实施方式,一种光致抗蚀剂底层组合物,包括(A)下述化学式1表示的聚硅氧烷树脂和(B)溶剂。根据化学式1:{(SiO1.5-Y-SiO1.5)x(SiO2)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR1)f,所述光致抗蚀剂底层能够具有优良的储存性和耐蚀刻性,并且具有可容易控制的表面特性,以及能够使光致抗蚀剂图案稳定地形成。
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公开(公告)号:CN102819192B
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN201210272558.6
申请日:2009-12-30
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08K5/54 , G03F7/0752
Abstract: 本发明提供了一种抗蚀剂下层组合物及利用其制造集成电路器件的方法。所述抗蚀剂下层组合物包括由以下化学式1至3表示的化合物中的至少一种以及由以下化学式4和5表示的化合物中的至少一种的有机硅烷基聚合产物,以及溶剂。在以下化学式1至5中,R1至R10、X、n以及m与在说明书中所限定的相同。[化学式1] [R1]3Si-(CH2)nR2[化学式2][化学式3] [R6]3Si-R7-Si[R6]3[化学式4] [R8]3Si-R9[化学式5] [R10]3Si-X-Si[R10]3。
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公开(公告)号:CN103186048A
公开(公告)日:2013-07-03
申请号:CN201210351065.1
申请日:2012-09-19
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/105 , G03F7/0233 , G03F7/0757
Abstract: 本发明提供了正性光敏树脂组合物,及使用其的光敏树脂层和显示装置。该组合物包括选自聚苯并噁唑前体、聚酰亚胺前体,及其组合的(A)碱溶性树脂,(B)光敏重氮醌化合物,(C)苯酚化合物,(D)具有400nm到700nm吸收波长的至少一种有机染料,以及(E)溶剂,其中基于100重量份的碱溶性树脂(A),包括1至40重量份的有机染料(D)。
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公开(公告)号:CN101910947B
公开(公告)日:2013-07-03
申请号:CN200880124489.6
申请日:2008-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: H01L21/31144 , C08G77/16 , C08G77/50 , C08G77/52 , C08G77/70 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0332 , H01L21/3081 , H01L21/3122 , H01L21/32139
Abstract: 本发明提供了一种硅基硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含(a)有机硅烷聚合物及(b)溶剂。该有机硅烷聚合物以式1表示:{(SiO1.5-Y-SiO1.5)x(R3SiO1.5)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR6)f(1)。在式1中,x、y及z表示聚合物中的重复单元(SiO1.5-Y-SiO1.5)、(R3SiO1.5)及(XSiO1.5)的相对比例,且满足关系式0.05≤x≤0.9、0.05≤y≤0.9、0≤z≤0.9及x+y+z=1;e及f分别表示键结至硅(Si)原子的末端-OH基数目及末端-OR基数目对聚合物中的2x+y+z硅(Si)原子数目之比,且满足关系式0.03≤e≤0.2及0.03≤f≤0.25;X为含有至少一个经取代或未经取代的芳香环的C6-C30官能基;R3为C1-C6烷基;Y为选自由芳香环、经取代或未经取代的直链或支链C1-C20亚烷基、主链中含有至少一个芳香环或杂环系环或具有至少一个脲基或异氰尿酸酯基的C1-C20亚烷基及含有至少一个多重键的C2-C20烃基所组成的组中的连接基;及R6为C1-C6烷基。
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公开(公告)号:CN101506941B
公开(公告)日:2012-02-29
申请号:CN200680055586.5
申请日:2006-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , C08G77/04 , C09D183/04 , H01L21/0276
Abstract: 一种处理抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物,包含溶剂和有机硅聚合物,其中有机硅聚合物由结构式6表示:在结构式6中,R是甲基或乙基,R′是取代或未取代的环状或无环烷基,Ar是含芳环官能团,x、y和z满足关系式x+y=4,0.4≤x≤4,0≤y≤3.6,和4×10-4≤z≤1,而n为约3至约500。
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公开(公告)号:CN101042533A
公开(公告)日:2007-09-26
申请号:CN200710007513.5
申请日:2007-01-30
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/075 , G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了硬掩模组合物,该组合物含有通过一种或多种式(I)化合物的反应所制备的有机硅烷聚合物,其中,R1、R2和R3可以各自独立地为烷基、乙酰氧基或肟;且R4可以是氢、烷基、芳基或芳烷基;并且其中有机硅烷聚合物具有大约1.1至大约2的多分散性。Si(OR1)(OR2)(OR3)R4(I)
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公开(公告)号:CN102695770B
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201080060217.1
申请日:2010-12-14
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 提供了一种用于封装材料的透光树脂组合物,包括通过将由化学式1表示的第一硅化合物和包含由化学式2表示的化合物的第二硅化合物共聚而获得的聚硅氧烷。还提供了包含通过将所述透光树脂组合物硬化而获得的封装材料的电子装置。
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