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公开(公告)号：CN104718497B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201380053489.2
申请日：2013-09-02
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 揭示硬罩幕组成物以及使用硬罩幕组成物的图案形成方法。硬罩幕组成物包括由下列化学式1表示的高分子、由下列化学式2表示的单体以及溶剂，其中所包含的单体的含量等同于或高于高分子的含量。一实施例的硬罩幕组成物确保耐热性以及耐蚀刻性，且满足填沟特性。
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公开(公告)号：CN104768912B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201380056460.X
申请日：2013-03-19
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C07C49/792 , G03F7/004
CPC classification number: G03F7/027 , C07C49/788 , C07C49/792 , C07C49/796 , C07C49/798 , C07C49/83 , C07C49/835 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/30 , G03F7/36
Abstract: 本发明是关于一种由化学式1表示的硬掩膜组成物用单体、一种含括所述单体的硬掩膜组成物，及一种使用所述硬掩膜组成物形成图案的方法。由所述硬掩膜组成物形成的薄层具有对抗蚀刻气体的充分的耐蚀刻性且因而具有更低的蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN103896736B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201310300799.1
申请日：2013-07-17
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: C07C33/26 , C07C43/23 , G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/40
Abstract: 本发明公开了用于硬掩模组合物的单体和包含单体的硬掩模组合物及使用硬掩模组合物形成图案的方法。用于硬掩模组合物的单体，由下面化学式1表示，其中在化学式1中，A0、A1、A2、L1、L1′、L2、L2′、X1、X2、m和n与具体实施方式中相同。[化学式1]
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公开(公告)号：CN105026389B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201380073499.2
申请日：2013-05-08
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C07D407/10 , G03F7/004 , C08G59/22
CPC classification number: G03F7/11 , C07D303/14 , C07D303/32 , C09D5/00 , C09D7/63 , C09D163/00 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/34
Abstract: 本发明揭示一种用于硬遮罩组成物的单体、包含所述单体的硬遮罩组成物及使用所述组成物形成图案的方法。本发明的用于硬遮罩组成物的单体，是以下列化学式1表示：[化学式1]其中，在以上的化学式1中，A是取代或未取代的多环芳香基，A'是取代或未取代的C6‑C20亚芳基，X是环氧基，Y是氢、羟基、C1至C10的烷基氨基、氨基、＝O或它们的组合，l是0至6的整数，及m和n是各自独立地为1至4的整数。本发明提供的用于硬遮罩组成物的单体，由于优异的交联而减少释气。
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公开(公告)号：CN102540729B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201110315277.X
申请日：2011-10-17
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/094
Abstract: 本发明提供了硬掩模组合物和形成图案的方法、以及包括图案的半导体集成电路器件。所述硬掩模组合物包括含芳环化合物和溶剂，所述含芳环化合物包括由以下化学式1表示的部分和由以下化学式2表示的部分中的至少一种。在化学式1或2中，Ar、R1至R3以及n如在详细描述中所定义。此外，提供了通过使用硬掩模组合物用于形成图案的方法、以及包括通过图案形成方法形成的多个图案的半导体集成电路器件。根据本发明的硬掩模组合物具有优异的间隙填充性能和平面化特性以及改善的耐蚀刻性和光学性能。[化学式1][化学式2]
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102540729A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110315277.X
申请日：2011-10-17
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/094
Abstract: 本发明提供了硬掩模组合物和形成图案的方法、以及包括图案的半导体集成电路器件。所述硬掩模组合物包括含芳环化合物和溶剂，所述含芳环化合物包括由以下化学式1表示的部分和由以下化学式2表示的部分中的至少一种。在化学式1或2中，Ar、R1至R3以及n如在详细描述中所定义。此外，提供了通过使用硬掩模组合物用于形成图案的方法、以及包括通过图案形成方法形成的多个图案的半导体集成电路器件。根据本发明的硬掩模组合物具有优异的间隙填充性能和平面化特性以及改善的耐蚀刻性和光学性能。[化学式1][化学式2]
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公开(公告)号：CN104768912A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201380056460.X
申请日：2013-03-19
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C07C49/792 , G03F7/004
CPC classification number: G03F7/027 , C07C49/788 , C07C49/792 , C07C49/796 , C07C49/798 , C07C49/83 , C07C49/835 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/30 , G03F7/36
Abstract: 本发明是关于一种由化学式1表示的硬掩膜组成物用单体、一种含括所述单体的硬掩膜组成物，及一种使用所述硬掩膜组成物形成图案的方法。
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公开(公告)号：CN103904024B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310516715.8
申请日：2013-10-28
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/311 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/76804 , H01L21/76808 , H01L23/5226 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了形成半导体器件的双镶嵌结构的方法以及由其制造的半导体器件。该方法包括：（a）在衬底上形成第一和第二绝缘层；（b）形成具有在第二绝缘层上形成通孔的图案的抗蚀剂掩模；（c）形成向下至第一绝缘层下端的通孔；（d）以旋涂法在通孔中和第二绝缘层上形成硬掩模层；（e）形成具有在硬掩模层上形成槽孔的图案的抗蚀剂掩模；（f）形成通过抗蚀剂掩模向下深入到第二绝缘层下端的第一槽孔；（g）去除通孔中和第二绝缘层上的硬掩模层的一部分；（h）通过去除通孔的顶角和第一槽孔的底角之间的第二绝缘层的一部分形成第二槽孔；（i）去除保留在通孔中和第二绝缘层上的硬掩模层；（j）通过用导电材料填充通孔和第二槽孔形成上部导线。
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公开(公告)号：CN105026389A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201380073499.2
申请日：2013-05-08
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C07D407/10 , G03F7/004 , C08G59/22
CPC classification number: G03F7/11 , C07D303/14 , C07D303/32 , C09D5/00 , C09D7/63 , C09D163/00 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/34 , C07D407/10 , C08G59/22 , G03F7/004
Abstract: 揭示一种以下列化学式1表示的用于硬遮罩组成物的单体、包含所述单体的硬遮罩组成物及使用所述硬遮罩组成物形成图案的方法。
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公开(公告)号：CN104718497A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201380053489.2
申请日：2013-09-02
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/004 , G03F7/0035 , G03F7/094
Abstract: 揭示硬罩幕组成物以及使用硬罩幕组成物的图案形成方法。硬罩幕组成物包括由下列化学式1表示的高分子、由下列化学式2表示的单体以及溶剂，其中所包含的单体的含量等同于或高于高分子的含量。
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