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公开(公告)号：CN104170070B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201380013477.7
申请日：2013-08-05
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/29 , C08K9/06 , C09J163/00 , H01L21/563 , H01L21/76841 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27312 , H01L2224/2732 , H01L2224/27416 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/29387 , H01L2224/2949 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/8113 , H01L2224/81132 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81444 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/83091 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83204 , H01L2224/83855 , H01L2224/83862 , H01L2224/83907 , H01L2224/83986 , H01L2224/9205 , H01L2224/9211 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/20106 , H01L2924/3512 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/27 , H01L2924/05442 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够通过抑制孔隙来实现高可靠性的半导体装置的制造方法。此外，本发明的目的还在于，提供在该半导体装置的制造方法中使用的倒装片安装用粘接剂。本发明的半导体装置的制造方法具有如下工序：工序1，使形成有突起电极的半导体芯片隔着粘接剂与基板对位，其中，所述突起电极具有由焊料形成的前端部；工序2，将上述半导体芯片加热到焊料熔点以上的温度，使上述半导体芯片的突起电极与上述基板的电极部熔融接合，同时使上述粘接剂临时粘接；以及工序3，在加压气氛下对上述粘接剂进行加热而除去孔隙，上述粘接剂利用差示扫描量热测定及小泽法所求出的活化能ΔE为100kJ/mol以下、于260℃经过2秒后的反应率为20％以下，于260℃经过4秒后的反应率为40％以下。
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公开(公告)号：CN1537133A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN02815010.4
申请日：2002-07-25
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: C08J5/18 , A61F13/514 , C08L29/04
CPC classification number: C08J5/18 , A61F13/15211 , B32B9/02 , B32B9/04 , B32B27/08 , C08J2329/04 , Y10T428/3158
Abstract: 本发明的水解性树脂薄膜的特征在于，在温度40℃、相对湿度90％的条件下，在树脂薄膜的表面上将浸渍40℃水的棉纱布以1.47N/cm2的压力挤压5小时后的拉伸断裂强度在2N/25mm宽以上，且在根据JIS P 4501的松解容易性的试验中，达到开始失去形态的状态所需要的水解开始时间在600秒以下，因此在高温湿润状态下具有所定的机械强度，而且相对于大量水的水解性优良，因而所述水解性树脂薄膜适用于同时要求耐水性和水解性的卫生用品衬垫的底衬。
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公开(公告)号：CN104170070A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201380013477.7
申请日：2013-08-05
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/29 , C08K9/06 , C09J163/00 , H01L21/563 , H01L21/76841 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27312 , H01L2224/2732 , H01L2224/27416 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/29387 , H01L2224/2949 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/8113 , H01L2224/81132 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81444 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/83091 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83204 , H01L2224/83855 , H01L2224/83862 , H01L2224/83907 , H01L2224/83986 , H01L2224/9205 , H01L2224/9211 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/20106 , H01L2924/3512 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/27 , H01L2924/05442 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够通过抑制孔隙来实现高可靠性的半导体装置的制造方法。此外，本发明的目的还在于，提供在该半导体装置的制造方法中使用的倒装片安装用粘接剂。本发明的半导体装置的制造方法具有如下工序：工序1，使形成有突起电极的半导体芯片隔着粘接剂与基板对位，其中，所述突起电极具有由焊料形成的前端部；工序2，将上述半导体芯片加热到焊料熔点以上的温度，使上述半导体芯片的突起电极与上述基板的电极部熔融接合，同时使上述粘接剂临时粘接；以及工序3，在加压气氛下对上述粘接剂进行加热而除去孔隙，上述粘接剂利用差示扫描量热测定及小泽法所求出的活化能ΔE为100kJ/mol以下、于260℃经过2秒后的反应率为20％以下，于260℃经过4秒后的反应率为40％以下。
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