公开(公告)号：CN104681574A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410698597.1

申请日：2014-11-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 板垣圭一

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包含半导体衬底、光电转换元件、第一隔离绝缘膜和电流阻挡区域。第一隔离绝缘膜在光电转换元件周围形成。电流阻挡区域在光电转换元件与第一隔离绝缘膜之间的区域中形成。电流阻挡区域包含杂质扩散层和被设置为与杂质扩散层接触以与杂质扩散层形成孪晶的缺陷延伸防止层。缺陷延伸防止层具有与杂质扩散层不同的晶体结构。电流阻挡区域的至少一部分被设置为与第一隔离绝缘膜接触。

公开(公告)号：CN104882459A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510088918.0

申请日：2015-02-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 板垣圭一 ,  国清辰也

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/66

CPC classification number: H04N5/341 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/2254

Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法和控制方法，该半导体器件能够在不使用彩色滤光片的情况下高精确度地检测每个颜色的光，特别是增强通过长波长光的光电转换获得的电荷的检测精确度。该半导体器件具有p型半导体衬底以及第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域。这些区域均包括在p型半导体衬底中的p型阱区域和与其构成pn结的n型区域。第一像素区域的p型阱区域从主表面到最下部分比第二像素区域和第三像素区域的p型阱区域从主表面到最下部分更薄。在与第一像素区域和第二像素区域的p型阱区域的主表面相对的侧上，与p型阱区域邻接的掩埋p型阱区域被进一步放置。

公开(公告)号：CN102237389A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110122447.2

申请日：2011-05-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 板垣圭一

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L23/544 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L23/544 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件具有包括层间绝缘膜的低轮廓层叠结构，并且该半导体器件包括容易形成的对准标记。半导体器件包括在半导体衬底中形成的光电转换器、在标记区域中的阻拦膜、在所述阻拦膜和光电转换器之上形成的第一层间绝缘膜、第一金属互连和第二层间绝缘膜。制作穿入第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜并到达阻拦膜的通孔，并在通孔中的导电层的上表面中制作第一凹陷。在第一凹陷之上的第二金属互连中制作用作对准标记的第二凹陷。