半导体器件和数据生成方法

    公开(公告)号:CN102735360A

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201210108048.5

    申请日:2012-04-13

    CPC classification number: G01K15/005 G01K7/01 G05F3/30

    Abstract: 本公开涉及半导体器件和数据生成方法。目标在于提高温度传感器的精度,抑制测试过程中测试温度的数量。半导体器件包括系数计算单元和校正运算单元,系数计算单元计算系数直至N阶(N为大于等于一的整数)的校正函数作为特征函数的N阶近似,特征函数表示由温度传感器单元测量的温度数据与基于N+1个温度数据得到的温度的对应关系,这N+1个温度数据包括特征函数在预定温度下的理论值以及由温度传感器单元在N个温度点测量的N个温度数据测量值;校正运算单元通过借助应用了算出系数的校正函数以由温度传感器单元测量的温度数据为基础执行计算来生成包括温度相关信息的数据。

    半导体器件
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105738001B

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201510976406.8

    申请日:2015-12-23

    Abstract: 本发明提供一种半导体器件,其具有能在抑制占据面积增大的同时提高精度的传感器。半导体器件具有:第一计数器;以及第二计数器即时间测量电路,其测量直至通过计数具有对应于第一电压的频率的第一信号获得的计数值达到可通过第一计数器计数的最大计数值的时间。根据时间测量电路测量的时间,第一计数器基于通过计数具有对应于不同于第一电压的第二电压的频率的第二信号获得的计数值,获得对应于第一电压的数字信息。

    半导体器件和数据生成方法

    公开(公告)号:CN102735360B

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201210108048.5

    申请日:2012-04-13

    CPC classification number: G01K15/005 G01K7/01 G05F3/30

    Abstract: 本公开涉及半导体器件和数据生成方法。目标在于提高温度传感器的精度,抑制测试过程中测试温度的数量。半导体器件包括系数计算单元和校正运算单元,系数计算单元计算系数直至N阶(N为大于等于一的整数)的校正函数作为特征函数的N阶近似,特征函数表示由温度传感器单元测量的温度数据与基于N+1个温度数据得到的温度的对应关系,这N+1个温度数据包括特征函数在预定温度下的理论值以及由温度传感器单元在N个温度点测量的N个温度数据测量值;校正运算单元通过借助应用了算出系数的校正函数以由温度传感器单元测量的温度数据为基础执行计算来生成包括温度相关信息的数据。

    半导体器件
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105738001A

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201510976406.8

    申请日:2015-12-23

    Abstract: 本发明提供一种半导体器件,其具有能在抑制占据面积增大的同时提高精度的传感器。半导体器件具有:第一计数器;以及第二计数器即时间测量电路,其测量直至通过计数具有对应于第一电压的频率的第一信号获得的计数值达到可通过第一计数器计数的最大计数值的时间。根据时间测量电路测量的时间,第一计数器基于通过计数具有对应于不同于第一电压的第二电压的频率的第二信号获得的计数值,获得对应于第一电压的数字信息。

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