公开(公告)号：CN101383303B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200810133743.0

申请日：2008-07-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 百浓宽之 ,  光山广志 ,  长谷川胜启 ,  西辻启子 ,  三木一伸

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明“半导体装置及其制造方法”可防止焊盘下的层间绝缘膜上产生裂纹，将形成在与焊盘同层上的上层布线微细化。在层间绝缘膜(17)上形成第1金属膜20。以第1抗蚀剂层(32)为掩模各向异性蚀刻第1金属膜(20)。在层间绝缘膜(17)上形成杨氏模量比第1金属膜(20)低的第2金属膜(24)，以覆盖存留的第1金属膜(20)。在层间绝缘膜(17)上方存在第1金属膜(20)的区域和不存在第1金属膜(20)的区域的一部分上，在第2金属膜(24)上形成第2抗蚀剂层(33)。以第2抗蚀剂层(33)为掩模，各向异性蚀刻第2金属膜24，形成具有第1金属膜(20)和第2金属膜(24)的焊盘，以及具有第2金属膜(24)而没有第1金属膜(20)的上层布线(22)。

公开(公告)号：CN101459172B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200810181599.8

申请日：2005-02-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 神崎照明 ,  出口善宣 ,  三木一伸

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4899 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，其中抗焊盘中所产生应力的强度被提高了。提供有多个焊盘(1)。在每个焊盘(1)中，在使用最上层形成的第一金属(11)下提供有多个线条状第二金属(12)。这样，为提高抗焊盘中所产生应力的强度，将焊盘(1)沿第二金属(12)的纵向排列。亦即：将焊盘(1)排列成使第二金属(12)的纵向(L1)和焊盘(1)的排列方向(L2)在同一方向。

公开(公告)号：CN101819956B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010168001.9

申请日：2005-02-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 神崎照明 ,  出口善宣 ,  三木一伸

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4899 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，其中抗焊盘中所产生应力的强度被提高了。提供有多个焊盘(1)。在每个焊盘(1)中，在使用最上层形成的第一金属(11)下提供有多个线条状第二金属(12)。这样，为提高抗焊盘中所产生应力的强度，将焊盘(1)沿第二金属(12)的纵向排列。亦即：将焊盘(1)排列成使第二金属(12)的纵向(L1)和焊盘(1)的排列方向(L2)在同一方向。