公开(公告)号：CN101383303B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200810133743.0

申请日：2008-07-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 百浓宽之 ,  光山广志 ,  长谷川胜启 ,  西辻启子 ,  三木一伸

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明“半导体装置及其制造方法”可防止焊盘下的层间绝缘膜上产生裂纹，将形成在与焊盘同层上的上层布线微细化。在层间绝缘膜(17)上形成第1金属膜20。以第1抗蚀剂层(32)为掩模各向异性蚀刻第1金属膜(20)。在层间绝缘膜(17)上形成杨氏模量比第1金属膜(20)低的第2金属膜(24)，以覆盖存留的第1金属膜(20)。在层间绝缘膜(17)上方存在第1金属膜(20)的区域和不存在第1金属膜(20)的区域的一部分上，在第2金属膜(24)上形成第2抗蚀剂层(33)。以第2抗蚀剂层(33)为掩模，各向异性蚀刻第2金属膜24，形成具有第1金属膜(20)和第2金属膜(24)的焊盘，以及具有第2金属膜(24)而没有第1金属膜(20)的上层布线(22)。