公开(公告)号：CN114582951A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111055745.4

申请日：2021-09-09

Applicant: 现代自动车株式会社 ,  起亚株式会社

Inventor： 周洛龙

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请涉及半导体设备及其制造方法。根据本公开的一个实施例的半导体设备，包括：导电区域、位于导电区域终止的部分处的末端区域，以及位于导电区域与末端区域之间的连接区域。导电区域包括：n+型衬底；n‑型层，该n‑型层位于n+型衬底的第一表面处；以及p型区域，该p型区域位于n‑型层上，以及栅电极，该栅电极填充穿透p型区域并位于n‑型层中的沟槽的内侧，并且位于导电区域终止的部分处的沟槽的侧壁是倾斜的。

公开(公告)号：CN115020498A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202110834993.2

申请日：2021-07-23

Applicant: 现代自动车株式会社 ,  起亚株式会社

Inventor： 千大焕 ,  朴正熙 ,  洪埩熀 ,  郑永均 ,  周洛龙

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L21/329

Abstract: 一种肖特基势垒二极管，包括：n+型衬底；n‑型外延层，设置在n+型衬底的第一表面上并具有在面对n+型衬底的表面的相对侧开口的沟槽；p型区域，设置在沟槽的侧面上；肖特基电极，设置在n‑型外延层上并位于沟槽内；以及欧姆电极，设置在n+型衬底的第二表面上。

公开(公告)号：CN113871452A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111138971.9

申请日：2016-11-22

Applicant: 现代自动车株式会社 ,  起亚株式会社

Inventor： 周洛龙 ,  郑永均 ,  朴正熙 ,  李钟锡 ,  千大焕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了半导体器件。一种半导体器件，包含：n‑型层，布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，形成在n‑型层中并且彼此分离；n+型区，布置在第一沟槽的侧面与第二沟槽的侧面之间并且布置在n‑型层上；栅极绝缘层，布置在第一沟槽内；源极绝缘层，布置在第二沟槽内；栅极，布置在栅极绝缘层上；氧化层，布置在栅极上；源极，布置在氧化层、n+型区、及源极绝缘层上；以及漏极，布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。

公开(公告)号：CN114695537A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202111403740.6

申请日：2021-11-24

Applicant: 现代自动车株式会社 ,  起亚株式会社

Inventor： 朴正熙 ,  千大焕 ,  洪埩熀 ,  郑永均 ,  周洛龙

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件，包括：在衬底的第一表面上的n‑型层、在n‑型层的一部分上的p型区、在n‑型层和p型区上的栅极、在栅极上的第一栅极保护层和在第一栅极保护层上的第二栅极保护层、在第二栅极保护层和p型区上的源极，以及在衬底的第二表面上的漏极。

公开(公告)号：CN111009575A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201811494037.9

申请日：2018-12-07

Applicant: 现代自动车株式会社 ,  起亚自动车株式会社

Inventor： 周洛龙

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L21/04 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。根据本发明的示例性实施方式的半导体器件包括：n-型外延层，布置在衬底的第一表面上；p型区，布置在n-型外延层上；n+型区，布置在p型区上；栅极，布置在n-型外延层上；氧化膜，布置在栅极上；源电极，布置在氧化膜和n+型区上；以及漏电极，布置在衬底的第二表面上。栅极包括PN结部分。

公开(公告)号：CN110444606A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201811333707.9

申请日：2018-11-09

Applicant: 现代自动车株式会社 ,  起亚自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  周洛龙

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置可以包括：n型层、p+型区域、p-型区域、第一电极和第二电极，所述n型层设置在衬底的第一表面上；所述p+型区域设置在衬底的第一表面上；所述p-型区域设置在n型层的顶表面上；所述第一电极设置在p+型区域上和p-型区域上；所述第二电极设置在衬底的第二表面上；其中，p+型区域的侧表面和n型层的侧表面接触，并且p+型区域的厚度与n型层的厚度和p-型区域的厚度相同。

公开(公告)号：CN108010957A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201710102089.6

申请日：2017-02-24

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 周洛龙 ,  郑永均 ,  朴正熙 ,  李钟锡 ,  千大焕

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的示例性实施例的半导体器件包括：电流施加区；和布置在电流施加区的端部的端接区。所述端接区包括：布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的n-型层；布置在n-型层中的p型端接结构；和布置在p型端接结构上，以致与p型端接结构重叠的下栅极流道。

公开(公告)号：CN107958936B

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN201710119656.9

申请日：2017-03-02

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  郑永均 ,  周洛龙 ,  朴正熙 ,  李钟锡

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括n+型碳化硅基板、n‑型层、n型层、多个沟槽、p型区域、n+型区域、栅极绝缘膜、栅电极、源电极、漏电极和沟道。多个沟槽被布置为平面矩阵形状。n+型区域被布置为具有开口的平面网格类型、围绕沟槽中的每一个、并且在平面对角线方向上彼此相邻的沟槽之间与源电极接触。p型区域被布置在平面网格类型的n+型区域的开口中。

公开(公告)号：CN111276530A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201910481899.6

申请日：2019-06-04

Applicant: 现代自动车株式会社 ,  起亚自动车株式会社

Inventor： 周洛龙

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L29/872

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。根据本公开的示例性实施例的半导体器件包括：设置在基底的第一表面中的n-型层；设置在n-型层上的n型层；设置在n型层上的第一电极，以及设置在基底的第二表面中的第二电极，其中，n-型层的能带隙大于n型层的能带隙。

公开(公告)号：CN108615758A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201710622691.2

申请日：2017-07-27

Applicant: 现代自动车株式会社 ,  起亚自动车株式会社

Inventor： 周洛龙 ,  郑永均 ,  朴正熙 ,  李钟锡 ,  千大焕

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66015 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，可包括：n-型层，依次布置在n+型碳化硅衬底的第一表面处；p型区域，布置在n-型层中；辅助n+型区域，布置在p型区域上或p型区域中；n+型区域，布置在p型区域中；辅助电极，布置在辅助n+型区域和p型区域上；栅电极，与辅助电极分离并布置在n-型层上；源电极，与辅助电极和栅电极分离；以及漏电极，布置在n+型碳化硅衬底的第二表面处，其中，辅助n+型区域与n+型区域彼此分离，并且源电极与n+型区域接触。