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公开(公告)号：CN119710621A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411885009.5
申请日：2024-12-19
Applicant: 桂林电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
IPC: C23C16/40 , C23C16/448
Abstract: 本申请提供一种基于雾化学气相沉积制备镓铟氧化物薄膜的方法，该方法包括配置含有镓离子和铟离子的前驱体溶液，并取适量前驱体溶液放入超声雾化罐中；将一衬底放入管式炉的生长腔中，启动管式炉升温至预设温度，同时向生长腔中通入氮气；待管式炉升温至预设温度后启动超声雾化罐以对前驱体溶液进行雾化，雾化气体从管式炉的进气端进入生长腔，同时向生长腔内通入氮气和氧气的混合气体，生长腔内开始进行气相沉积反应；气相沉积反应一定时间后，管式炉降至室温，衬底上生长得到镓铟氧化物薄膜，化学式为(Ga1‑xInx)2O3，其中，0.1≤x≤0.5。该方法具有工艺步骤简单、薄膜结晶质量高、可见光透过率好、制备成本低等优点。
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公开(公告)号：CN118169877A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410467488.2
申请日：2024-04-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于连续体准束缚态(Quasi‑BIC)强圆二色性的手性超表面器件，其结构由嵌入在各向异性介质中成对的硅(Si)介电棒构成，其中每对介电棒都有一个小的垂直位移d以消除镜像对称。本设计结构可以在650～700nm的近红外波长范围内实现强CD响应，当沿前向(+Z)或者后向(‑Z)入射圆偏振光时，结构会表现出相反的CD响应，并且使用旋转调制的方式可以使得最大CD响应为1。本设计所提出的方法新颖且容易实现，未来有望在对纳米光子学的柔性调谐和增强手性响应方面做出重要贡献。
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公开(公告)号：CN116819659A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310626575.3
申请日：2023-05-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多层石墨烯的多功能偏振选择性吸波器，该滤波器的结构是以金为衬底，二氧化硅介质层和三层不同结构的石墨烯构成，基于耦合模理论(CMT)，利用两个两亮模式和一个暗模式的耦合形成了三峰吸收，本发明可以通过分别施加在三个石墨烯模块的电压改变石墨烯的费米能级，实现完美吸收、电光开关、折射率传感、单一波长TM偏振平面光的完美吸收的功能，各种功能性能均良好，该发明对于光电集成和多功能光学器件有较好的发展前景。
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公开(公告)号：CN116598790A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310620400.1
申请日：2023-05-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明提出一种基于椭圆环形镂空石墨烯的宽带效率可调超透镜。该透镜由四层结构构成，自下而上分别是电介质层，椭圆环形镂空石墨烯阵列层，离子凝胶层以及金属电极。通过优化扫描选出了具有最优尺寸的镂空石墨烯椭圆环，使透射光在目标太赫兹波段能够满足2π相位的同时还保持着较高的透射率，这是实现超透镜聚焦所必须的。离子凝胶层和金属电极用于对石墨烯费米能级的统一调控，通过调节费米能级(0.6～1eV)，可以在宽频带内(4.9～5.3THZ)实现超透镜聚焦效率的动态调控。除此之外，该发明还具有高数值孔径、透射光工作和易于集成等优点。因此，在太赫兹应用领域中，如光通信、能量收集和成像等方面，它具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN116504878A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310522786.2
申请日：2023-05-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/032
Abstract: 本申请提供一种紫外探测器及其制备方法，先在一衬底上通过磁控溅射的方式生长一层能产生光电响应的薄膜层，再将薄膜层放置在刚玉坩埚后放入退火炉中在1100～1500℃下进行超高温退火处理，最后将薄膜层用掩模板遮住以在薄膜层上生长形成电极，制得紫外探测器。该制备方法简单，易操作，可适用于大规模生长处理薄膜，进而有效降低成本。通过该方法制备的紫外探测器，经过超高温处理，可大幅提升薄膜的结晶质量，所制备的器件具有光暗电流比高、响应时间短等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115542437A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211287322.X
申请日：2022-10-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种嵌入式结构可调短波段共焦纵向双焦点超透镜，首先在实现采样精度高而要求周期小的情况下，对结构单元采用1：1的嵌入式比例，可以降低深宽比的限制。根据广义斯涅尔定律求解出不同空间位置的相位，构建超透镜。数值分析表明在λ＝600nm线偏振光时，焦距偏差约为2.2％，焦点半高全宽(FWHM)打破了衍射极限，具有高精度要求。在650～550nm下，焦距最大误差2.39um，因为焦深的存在，误差可以忽略；在波长550nm处出现明显纵深强度相当的双焦点；在550～490nm处表现处一个数值孔径更大、FWHM仅为0.5um的强度可调的焦点。因此本设计的超透镜可以实现消高宽比、纵向双焦点聚焦、强度可控、短波段共焦的特性，可应用在彩色成像，光路复用，透镜聚焦集成器件上。
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公开(公告)号：CN119644616A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411886792.7
申请日：2024-12-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及电光调制器技术领域，具体涉及一种下沉式双层电极铌酸锂电光调制器，包括衬底、氧化层、光波导、过渡层和金属电极；所述衬底位于最下方，所述氧化层位于所述衬底的顶部，所述光波导、过渡层和金属电极均设置在所述氧化层的上方，光波导为X型切割LN薄膜，采用传统的脊状结构，金属电极为双层电极结构，包括一层的行波电极与二层的T型结构电极，可有效降低损耗，提高调制效率。为了减少光吸收损耗，使用0.2um的二氧化硅过渡层分隔金属电极和光波导，金属电极沿光波导的Z轴排列，下沉式双层电极铌酸锂电光调制器在0.14dB/cm的光吸收损耗下实现了1.52V·cm的半波电压长度积，对电光调制器的设计具有重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN116736421A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310772946.9
申请日：2023-06-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多波段可调谐偏振无关吸波器。该吸波器由两个平行于x轴的黑磷纳米带、二氧化硅介质层、两个平行于y轴的黑磷纳米带、二氧化硅衬底和金属层组成。当只有两个平行于y轴的黑磷纳米带、二氧化硅衬底和金属层时，所提出的结构可以实现偏振相关的各向异性吸收。通过改变右侧黑磷纳米带的宽度，可以实现可调谐的三波段吸收，并且证明改变黑磷纳米带的电子掺杂浓度，可以实现吸收光谱的调节。此外，在完整的结构下可以实现偏振无关的吸收。该发明提供了一种在多波段可调谐偏振无关吸波器件中具有极大应用潜力的结构。
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公开(公告)号：CN116590660A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310524470.7
申请日：2023-05-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种能够增强氧化镓紫外吸光度的制备方法及根据该方法制备的氧化镓材料，先在一衬底上通过磁控溅射的方式生长一层能产生紫外吸收的氧化镓薄膜，对氧化镓薄膜进行退火处理，再将氧化镓薄膜通过磁控溅射的方式生长一层铜薄膜，然后进行快速退火，使得铜薄膜受热量作用而裂成铜纳米粒子。该制备方法利用铜纳米粒子来增强氧化镓的紫外吸光性能，工艺步骤简单，易操作，进而有效降低制备成本，且通过该制备方法制备的氧化镓材料紫外吸光度提升效果显著。
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公开(公告)号：CN116454642A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310620401.6
申请日：2023-05-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明提出一种可调谐窄带太赫兹吸收器，该吸收器自下而上分别是完美电导体(PEC)衬底，周期性的电介质纳米阵列单元结构，以及覆盖在电介质结构上的二维黑磷薄膜。其中，电介质纳米阵列单元结构由嵌入了聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA,n＝1.5)圆柱体的方形硅块(n＝3.42)组成，嵌入的圆柱体与硅块具有相同的高度h。黑磷的电子掺杂浓度为3×1013cm‑2，利用黑磷薄膜与具有折射率差的介质表面发生的等离子体激元共振效应，可以在太赫兹波段内产生共振从而达到完美吸收的效果。本发明可以通过改变电介质圆柱的直径D，电介质层高度h，以及黑磷电子的掺杂浓度，可以在TM、TE偏振下达到高吸收率，并且在66～75μm波段范围内，实现共振吸收峰的动态调控。
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