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公开(公告)号：CN113871478B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202111025927.7
申请日：2021-09-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开一种基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，在传统AlGaN/GaN HEMT器件中引入底部栅极，通过背栅与顶栅控制沟道，实现具有P沟道特性的HEMT器件。一方面，通过顶部栅极偏置电压，使得器件处于关断状态。降低底部栅极偏置电压，削弱顶部栅所产生的电场，使得沟道二维电子气重新产生，实现P型沟道器件特性。另一方面，在开态下，进一步减小底部栅极偏置电压，异质结界面三角形势阱的深度增加，从而增大器件的开态电流。本发明实现的是一种基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，避免了传统HEMT器件的无法实现二维空穴气，P型沟道的HEMT器件难以制造的难题，为实现具有P型沟道特性的HEMT器件提供新的思路。
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公开(公告)号：CN108417522B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201810044883.4
申请日：2018-01-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供了一种三层板结构电路封装方法，包括：将连接层覆盖于载板上；在连接层上设置定位标识；在连接层上按照定位标识设置载体和引脚；将芯片安装于载体上；将引线的两端分别与芯片和引脚键合；塑封芯片、引脚、引线和载体；去除连接层和载板；抛光引脚的第一接触面，第一接触面为引脚与连接层相接触的一面。本发明通过三层板结构实现一种快速电路封装方法，引脚与载体通过连接层与载板支撑，引脚与载体布局灵活，可实现引脚多圈或阵列布局；同时无连筋结构设计不会因为铜连筋切割形成较高的残余应力；并且热去除连接层与载板时，锡或锡合金连接层会自然保留一部分包裹于引脚与载体，提高了产品可焊性，无需后续电镀处理。
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公开(公告)号：CN108336053A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810231493.8
申请日：2018-03-20
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L23/492 , H01L23/498 , H01L21/603
Abstract: 本发明提供了一种封装器件和封装器件的制造方法，封装器件包括：基板、芯片、导电膜和封装体；基板的一侧设置有第一焊盘；芯片包括第二焊盘；导电膜的一侧与第一焊盘相贴合，导电膜的另一侧与第二焊盘相贴合，第一焊盘与第二焊盘相对设置；封装体至少包覆于芯片与导电膜的外侧。封装器件的封装体内，芯片的第二焊盘与基板的第一焊盘通过导电膜键合，通过压合的方式使芯片、导电膜与基板紧密相结合，在封装体封装固定后位置相互固定。由于不使用引线和焊料，不需要对第一焊盘和第二焊盘使用焊料焊接，所以第一焊盘和第二焊盘的键合处不会出现键合冲丝，也不会产生键合断裂、变形等问题，加工过程中没有异物参与，进而保证键合面清洁。
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公开(公告)号：CN108007878A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711105104.9
申请日：2017-11-10
Applicant: 桂林电子科技大学 , 广西绿异茶树良种研究院
IPC: G01N21/31
CPC classification number: G01N21/31
Abstract: 一种便携式茶氨酸检测仪器，包括密闭腔和显示模块；密闭腔内部依次为光源、加热装置、冷却装置、反应池、光电检测模块、控制模块、显示模块；所述加热装置、冷却装置、反应池通过管道相连，管道上设有气动阀、气动泵，所述光源中包括产生570nm的可见光光源和产生740nm可见光源的，根据朗伯-比尔定律，不同浓度的茶氨酸和茚三酮反应产生的络合物对特定波长的可见光吸光度的差异，实现对茶氨酸浓度的快速检测。和GB/T8314相比，改变茶氨酸、缓冲溶液和茚三酮比例，不需要做空白样对比。
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公开(公告)号：CN118747764A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410889977.7
申请日：2024-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及3D点云配准技术领域，具体涉及一种结合注意力机制与多模型校准的点云配准算法，重叠代表点云配准算法：基于原始点云和目标点云获取原始点云的点重叠分数、目标点云的点重叠分数和点云的初始对齐，去除非匹配点，加权奇异值分解估计变换得到第一变换参数；端到端对应点云配准算法：对原始点云和目标点云进行下采样和特征提取，获取不同分支的点云信息，预测转换后关键点的坐标输出第二变换参数；基于误差评估重叠代表点云配准算法和端到端对应点云配准算法，选择误差小的算法作为当前点云配准方案。本发明根据输入点云数据的不同特征，结合两种方法各自的优点，实现对原始点云针对性配准，提高配准精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108336053B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201810231493.8
申请日：2018-03-20
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L23/492 , H01L23/498 , H01L21/603
Abstract: 本发明提供了一种封装器件和封装器件的制造方法，封装器件包括：基板、芯片、导电膜和封装体；基板的一侧设置有第一焊盘；芯片包括第二焊盘；导电膜的一侧与第一焊盘相贴合，导电膜的另一侧与第二焊盘相贴合，第一焊盘与第二焊盘相对设置；封装体至少包覆于芯片与导电膜的外侧。封装器件的封装体内，芯片的第二焊盘与基板的第一焊盘通过导电膜键合，通过压合的方式使芯片、导电膜与基板紧密相结合，在封装体封装固定后位置相互固定。由于不使用引线和焊料，不需要对第一焊盘和第二焊盘使用焊料焊接，所以第一焊盘和第二焊盘的键合处不会出现键合冲丝，也不会产生键合断裂、变形等问题，加工过程中没有异物参与，进而保证键合面清洁。
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公开(公告)号：CN118804444A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410767674.8
申请日：2024-06-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H05B47/105 , H05B47/125 , H05B47/19 , H05B47/165 , G08G1/052 , G06N5/048
Abstract: 本发明涉及智能节电技术领域，尤其涉及一种基于云边端协同的智慧路灯节能控制系统，包括云平台管理端、边缘集中控制器、智能路灯控制器和控制算法，在工作时，边缘集中控制器通过检测车辆速度和车辆数目，然后将数据上传至云平台管理端，在进行控制算法处理后，边缘集中控制器将调度方式传输至智能路灯控制器，对路灯进行智能调度；同时将数据信息传输至云平台管理端，然后数据经过深度学习模型进行预测分析，通过实时反馈持续优化，自适应地调整深度学习模型和模糊逻辑规则，以应对环境和交通模式的变动，实现更高效和响应性更强的城市照明管理。
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公开(公告)号：CN111509038A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010481812.8
申请日：2020-05-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种多层堆叠的LDMOS功率器件，利用两个以上MOS器件单元堆叠所形成的双漂移区，而使得下方漂移区的顶部引入P重掺杂区和N重掺杂区，这样不仅增加一条新的电流路径，提升了开态时的工作电流；而且降低了下方漂移区栅漏两极的电场峰值，同时在器件内部引入了两个新的电场峰值，优化了器件的内部电场强度，改善器件内部的电场分布，从而提高了器件的耐压特性。此外，还通过在双漂移区之间引入轻掺杂的交叠浮空层辅助耗尽，以有效增加双漂移区的掺杂浓度，进一步改善耐压特性。再者，通过上部漂移区的底部引入重掺杂的单元内埋层和在双漂移区之间的轻掺杂区中引入重掺杂的单元内浮空层来进一步改善器件的耐压特性。
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公开(公告)号：CN117611810A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311457394.9
申请日：2023-11-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及图像分割技术领域，具体涉及一种基于Segformer的轻量化道路图像分割方法，针对Segformer模型存在的问题，基于交叉特征融合网络进行改进，在第一层中引入语义特征融合模块(semantic‑feature fusion，SFF)，在第二层中采用坐标注意力模块(coordinate attention，CA)，第三层中采用门控注意力机制模块(gated‑attention mechanism，GAM)，第四层中使用利用SENet模块重新校准特征映射，最后输送到语义分割解码器预测图像中各个像素的语义类别，本发明在不同情况下的语义特征融合分别采用了SFF和GAM模块，使分割效果更连续，更细化，同时采用了两种注意力模块CA和SENet，帮助模型精准地定位和识别感兴趣的目标，以少量的参数量和计算量保证高效且精准的图像分割，提高了自动驾驶时的实时性。
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公开(公告)号：CN113871478A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111025927.7
申请日：2021-09-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开一种基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，在传统AlGaN/GaN HEMT器件中引入底部栅极，通过背栅与顶栅控制沟道，实现具有P沟道特性的HEMT器件。一方面，通过顶部栅极偏置电压，使得器件处于关断状态。降低底部栅极偏置电压，削弱顶部栅所产生的电场，使得沟道二维电子气重新产生，实现P型沟道器件特性。另一方面，在开态下，进一步减小底部栅极偏置电压，异质结界面三角形势阱的深度增加，从而增大器件的开态电流。本发明实现的是一种基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，避免了传统HEMT器件的无法实现二维空穴气，P型沟道的HEMT器件难以制造的难题，为实现具有P型沟道特性的HEMT器件提供新的思路。
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