公开(公告)号：CN106816371A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201510864059.X

申请日：2015-12-01

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 张鸿鑫 ,  罗海辉 ,  谭灿健 ,  宁旭斌 ,  谭真华

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/306 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/67 ,  H01L21/67075

Abstract: 本发明提供一种IGBT晶圆制造方法及装置，其中，方法包括：设置预设值；对减薄后的IGBT晶圆背面使用混合酸液进行腐蚀，除去背面表层预设值厚度层。由于减薄后的IGBT晶圆背面表层会产生大量暗纹和损伤层，这些暗纹和损伤层带来的应力会使晶圆翘曲，翘曲的晶圆在后续工艺中容易破损，影响产品成品率，本发明提供的IGBT晶圆制作方法及装置，对减薄后的IGBT晶圆背面使用混合酸液进行腐蚀，除去背面表层预设值厚度层，以减少暗纹，从而减小由暗纹而产生的应力，最终减小IGBT晶圆翘曲度，另外由于去除了具有暗纹和损伤的表层，减少了晶圆内部的缺陷，优化了IGBT电学性能，提高了成品率。

公开(公告)号：CN105336581A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510740640.0

申请日：2015-11-04

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 贺洪露 ,  陈辉 ,  罗海辉 ,  谭灿健 ,  宁旭斌 ,  刘太忠

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/331 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L29/66325 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67011

Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件制作方法及装置，其中，方法包括：通过在功率半导体器件的第一硅片正面贴上胶膜；对胶膜进行裁剪，剪掉未覆盖在第一硅片上的部分，使胶膜与第一硅片形状大小相同；对第一硅片背面进行减薄以及其它工艺，直至对第一硅片背面的所有工艺全部完成；从第一硅片上除去胶膜，获得第二硅片。上述方法由于在第一硅片上贴了胶膜，可避免第一硅片减薄后翘曲过大，不利于后续加工，且同时能够降低成本，简化工艺过程。