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公开(公告)号:CN108950487B
公开(公告)日:2019-12-13
申请号:CN201710378910.7
申请日:2017-05-25
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: C23C14/30 , H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片电子束蒸发装置及其安装方法,用于将芯片安装至行星盘上,装置包括:用于安装芯片的盖板和挡环,挡环中部设置有挡环通孔,并包括沿芯片厚度方向形成的内卡环和外卡环。外卡环安装于行星盘的行星盘卡口中,盖板设置于内卡环的上方,芯片通过盖板安装于内卡环中。芯片设置有硅片的一面朝向蒸发源材料。依次将芯片、盖板放入挡环内,芯片设置有硅片的一面朝下,然后再将芯片、盖板和挡环整体放入行星盘的行星盘卡口内。本发明能够解决半导体芯片烧结后烧偏芯片不能进行蒸发工艺,以及蒸发完成后芯片与挡环因热胀冷缩而卡环造成芯片报废的技术问题。
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公开(公告)号:CN108950487A
公开(公告)日:2018-12-07
申请号:CN201710378910.7
申请日:2017-05-25
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: C23C14/30 , H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片电子束蒸发装置及其安装方法,用于将芯片安装至行星盘上,装置包括:用于安装芯片的盖板和挡环,挡环中部设置有挡环通孔,并包括沿芯片厚度方向形成的内卡环和外卡环。外卡环安装于行星盘的行星盘卡口中,盖板设置于内卡环的上方,芯片通过盖板安装于内卡环中。芯片设置有硅片的一面朝向蒸发源材料。依次将芯片、盖板放入挡环内,芯片设置有硅片的一面朝下,然后再将芯片、盖板和挡环整体放入行星盘的行星盘卡口内。本发明能够解决半导体芯片烧结后烧偏芯片不能进行蒸发工艺,以及蒸发完成后芯片与挡环因热胀冷缩而卡环造成芯片报废的技术问题。
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