公开(公告)号：CN115881787A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211183593.0

申请日：2022-09-27

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 登尾正人 ,  加藤良隆 ,  远藤刚

IPC: H01L29/41 ,  H01L23/488 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

Abstract: 一种半导体器件包括：具有半导体元件和表面电极的有源区，表面电极由布线电极材料提供，并且在与所述半导体芯片的表面相邻的一侧上连接到所述半导体元件；和焊盘设置区，其具有由布线电极材料提供的焊盘。焊盘设置区在垂直于半导体芯片表面的方向上与有源区重叠。在焊盘设置区与有源区重叠的部分，焊盘通过隔离绝缘膜布置在表面电极上，使布线电极材料为两层，以提供双层布线电极结构。在有源区不与焊盘设置区重叠的部分，表面电极具有由单层布线电极材料组成的单层布线电极结构。

公开(公告)号：CN107615492B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201680030119.0

申请日：2016-04-05

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 远藤刚 ,  秋叶敦也 ,  竹内有一 ,  高谷秀史 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 半导体装置具有：基板(1)，其包括外周区域和具有半导体元件的单元区域；以及所述基板上的漂移层(2)。半导体元件具备基极区域(3)、源极区域(4)、沟槽栅构造、比栅极沟槽深的深层(5)、源极电极(11)、以及漏极电极(12)。外周区域具有使所述漂移层露出的凹部(20)、以及保护环层(21)，保护环层具有在露出了的所述漂移层的表面包围所述单元区域的多个框形状的保护环沟槽(21c)、以及配置于保护环沟槽内的第1保护环(21a)。所述深沟槽的宽度和所述保护环沟槽的宽度。

公开(公告)号：CN107615492A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680030119.0

申请日：2016-04-05

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 远藤刚 ,  秋叶敦也 ,  竹内有一 ,  高谷秀史 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 半导体装置具有：基板(1)，其包括外周区域和具有半导体元件的单元区域；以及所述基板上的漂移层(2)。半导体元件具备基极区域(3)、源极区域(4)、沟槽栅构造、比栅极沟槽深的深层(5)、源极电极(11)、以及漏极电极(12)。外周区域具有使所述漂移层露出的凹部(20)、以及保护环层(21)，保护环层具有在露出了的所述漂移层的表面包围所述单元区域的多个框形状的保护环沟槽(21c)、以及配置于保护环沟槽内的第1保护环(21a)。所述深沟槽的宽度和所述保护环沟槽的宽度。

公开(公告)号：CN102163627B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201110045710.2

申请日：2011-02-23

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 山本武雄 ,  远藤刚 ,  森本淳 ,  藤原广和 ,  渡边行彦 ,  胜野高志 ,  石川刚

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/16 ,  H01L21/329 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/47 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/402 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872

Abstract: 一种具有肖特基势垒二极管的碳化硅半导体装置，其包括：基板(1)，其由碳化硅制成且具有第一导电类型，其中所述基板包括主表面和背表面；漂移层(2)，其由碳化硅制成且具有第一导电类型，其中漂移层设置在基板的主表面上且具有比基板低的杂质浓度；肖特基电极(4)，其设置在漂移层上且与漂移层的表面肖特基接触；以及欧姆电极(5)，其设置在基板的背表面上。肖特基电极与漂移层直接接触，以使得肖特基电极的晶格与漂移层的晶格匹配。本发明还涉及一种具有肖特基势垒二极管的碳化硅半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN102163627A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110045710.2

申请日：2011-02-23

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 山本武雄 ,  远藤刚 ,  森本淳 ,  藤原广和 ,  渡边行彦 ,  胜野高志 ,  石川刚

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/16 ,  H01L21/329 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/47 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/402 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872

Abstract: 一种具有肖特基势垒二极管的碳化硅半导体装置，其包括：基板(1)，其由碳化硅制成且具有第一导电类型，其中所述基板包括主表面和背表面；漂移层(2)，其由碳化硅制成且具有第一导电类型，其中漂移层设置在基板的主表面上且具有比基板低的杂质浓度；肖特基电极(4)，其设置在漂移层上且与漂移层的表面肖特基接触；以及欧姆电极(5)，其设置在基板的背表面上。肖特基电极与漂移层直接接触，以使得肖特基电极的晶格与漂移层的晶格匹配。本发明还涉及一种具有肖特基势垒二极管的碳化硅半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN118824963A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410446572.6

申请日：2024-04-15

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 加藤良隆 ,  远藤刚 ,  石野宽

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L23/373

Abstract: 半导体装置具备具有形成有半导体元件的半导体芯片(20，30)的半导体模块(PM)、与半导体模块(PM)电连接的布线基板(60)、以及将半导体模块(PM)及布线基板(60)密封的密封部件(70)。在半导体模块(PM)与布线基板(60)之间，配置有与密封部件(70)相比热传导率高的热扩散板(53，90)，热扩散板(90)为板状，以使面方向沿着与半导体模块(PM)和布线基板(60)的排列方向交叉的方向的状态而被配置于密封部件(70)。

公开(公告)号：CN110024266B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201780072872.0

申请日：2017-11-16

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 高桥芳光 ,  伊藤满孝 ,  清水浩史 ,  远藤刚

IPC: H02K3/04 ,  H02K3/28 ,  H02M7/49

Abstract: 作为旋转电机的电动发电机(5)具有壳体(10)、轴(15)、转子(16)、定子(20)。定子(20)具有定子铁芯(21)以及三相的绕组。定子铁芯(21)形成有沿周向排列的多个切槽。三相的绕组卷绕于定子铁芯(21)。设与三相对应的绕组为第一绕组、第二绕组及第三绕组。第一绕组的一端设置于比将切槽在定子(20)的径向分割为两部分的第一分割线更靠定子(20)的径向外侧。第二绕组的一端设置于比第一分割线更靠定子(20)的径向内侧。第三绕组的一端至少隔着一个切槽，相对于定子(20)的径向设置于第一绕组的一端与第二绕组的一端之间。

公开(公告)号：CN102386100B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201110259637.9

申请日：2011-08-30

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 远藤刚 ,  宫原真一朗 ,  森野友生 ,  小西正树 ,  藤原广和 ,  森本淳 ,  石川刚 ,  胜野高志 ,  渡边行彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底(1)上形成漂移层(2)；在漂移层(2)上形成基极层(3)；形成沟槽(6)以穿透所述基极层(3)，并到达所述漂移层(2)；修圆沟槽(6)的肩部角落和底部角落；利用有机膜(21)覆盖所述沟槽(6)的内壁；向基极层(3)的表面部分注入杂质；通过激活所注入的杂质来形成源极区(4)；以及在形成所述源极区(4)之后去除所述有机膜(21)。衬底(1)、漂移层(2)、基极层(3)和源极区(4)由碳化硅制成，在沟槽(6)被有机膜(21)覆盖的情况下执行杂质的注入和激活。

公开(公告)号：CN102386100A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110259637.9

申请日：2011-08-30

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 远藤刚 ,  宫原真一朗 ,  森野友生 ,  小西正树 ,  藤原广和 ,  森本淳 ,  石川刚 ,  胜野高志 ,  渡边行彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底(1)上形成漂移层(2)；在漂移层(2)上形成基极层(3)；形成沟槽(6)以穿透所述基极层(3)，并到达所述漂移层(2)；修圆沟槽(6)的肩部角落和底部角落；利用有机膜(21)覆盖所述沟槽(6)的内壁；向基极层(3)的表面部分注入杂质；通过激活所注入的杂质来形成源极区(4)；以及在形成所述源极区(4)之后去除所述有机膜(21)。衬底(1)、漂移层(2)、基极层(3)和源极区(4)由碳化硅制成，在沟槽(6)被有机膜(21)覆盖的情况下执行杂质的注入和激活。

公开(公告)号：CN1925169A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610126666.7

申请日：2006-08-31

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 远藤刚 ,  山本刚 ,  河合润 ,  山本建策 ,  奥野英一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7838

Abstract: 一种具有MOS结构的碳化硅半导体器件，包括：衬底(1、31、61)；在所述衬底(1、31、61)中的沟道区(2、34、64)；第一杂质区(4、36、66、67)；第二杂质区(5、37、73)；在所述沟道区(2、34、64)上的栅极绝缘膜(6、38、68)；以及在所述栅极绝缘膜(6、38、68)上的栅极(7、35、65)；所述沟道区(2、34、64)提供电流通路。所述沟道区(2、34、64)与所述栅极绝缘膜(6、38、68)彼此之间具有界面。所述界面包含由氢原子或羟基终止的悬挂键。所述界面具有等于或大于2.6×1020cm－3的氢浓度。