公开(公告)号：CN102163627B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201110045710.2

申请日：2011-02-23

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 山本武雄 ,  远藤刚 ,  森本淳 ,  藤原广和 ,  渡边行彦 ,  胜野高志 ,  石川刚

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/16 ,  H01L21/329 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/47 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/402 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872

Abstract: 一种具有肖特基势垒二极管的碳化硅半导体装置，其包括：基板(1)，其由碳化硅制成且具有第一导电类型，其中所述基板包括主表面和背表面；漂移层(2)，其由碳化硅制成且具有第一导电类型，其中漂移层设置在基板的主表面上且具有比基板低的杂质浓度；肖特基电极(4)，其设置在漂移层上且与漂移层的表面肖特基接触；以及欧姆电极(5)，其设置在基板的背表面上。肖特基电极与漂移层直接接触，以使得肖特基电极的晶格与漂移层的晶格匹配。本发明还涉及一种具有肖特基势垒二极管的碳化硅半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN102163627A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110045710.2

申请日：2011-02-23

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 山本武雄 ,  远藤刚 ,  森本淳 ,  藤原广和 ,  渡边行彦 ,  胜野高志 ,  石川刚

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/16 ,  H01L21/329 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/47 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/402 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872

Abstract: 一种具有肖特基势垒二极管的碳化硅半导体装置，其包括：基板(1)，其由碳化硅制成且具有第一导电类型，其中所述基板包括主表面和背表面；漂移层(2)，其由碳化硅制成且具有第一导电类型，其中漂移层设置在基板的主表面上且具有比基板低的杂质浓度；肖特基电极(4)，其设置在漂移层上且与漂移层的表面肖特基接触；以及欧姆电极(5)，其设置在基板的背表面上。肖特基电极与漂移层直接接触，以使得肖特基电极的晶格与漂移层的晶格匹配。本发明还涉及一种具有肖特基势垒二极管的碳化硅半导体装置的制造方法。