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公开(公告)号：CN119154689A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202410728078.9
申请日：2024-06-06
Inventor： 石野宽
Abstract: 半导体模块(10)中，O1端子(140)和O2端子(210)被连接，从而第1模块(11)和第2模块(12)被连接。此外，第1模块(11)与第2模块(12)在厚度方向上对置。进而，第1模块(11)中的电流路径方向成为第2模块(12)中的电流路径方向的相反方向。由此，在半导体模块中，能够抑制电感的增加。
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公开(公告)号：CN113661567A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202080027821.8
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备：半导体元件(40)，在一面侧具有第1主电极(41C)，在背面侧具有第2主电极(41E)；与一面侧的第1主电极连接的第1散热部件(50C)及背面侧的第2散热部件(50E)；以及引线框(60)，包括与第1散热部件连接的第1主端子(61C)以及与第2主电极连接的第2主端子(61E)。第2主端子具有与第2主电极连接的连接部(62E)、从连接部延伸设置且与第1散热部件对置的对置部(64E)、以及与连接部相反地与对置部相连且与第1主端子在正交于厚度方向的一个方向上排列的非对置部(65E)。第2散热部件经由第2主端子而与半导体元件连接。引线框中第1主端子以及第2主端子的非对置部的至少一方具有多个。非对置部以侧面相互对置的方式交替地排列，对置的侧面的组形成有多个。
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公开(公告)号：CN109417066A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780030762.8
申请日：2017-04-27
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 在半导体装置中，构成上臂电路的多个半导体芯片(120H、121H)在一对上臂板(14H、18H)之间并联连接。构成下臂电路的多个半导体芯片(120L、121L)在一对下臂板(14L、18L)之间并联连接。在各臂电路中，多个半导体芯片以与发射极电极和焊盘的排列方向正交的方式排列，焊盘相对于发射极电极配置在相同侧，信号端子在相同的方向上延伸设置。上臂电路和下臂电路的串联连接部(26)包括与对应的上臂板和下臂板(14L、18H)的侧面(14b、18b)相连的接头部(20)。在上臂板及下臂板中将半导体芯片并联连接的并联连接部(140H、140L、180H、180L)的电感分别比串联连接部的电感小。
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公开(公告)号：CN113557603B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202080019853.3
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备：半导体元件(40)，具有第1主电极(41C)以及在与第1主电极之间流过主电流的第2主电极(41E)；封固树脂体(30)，将半导体元件封固；以及作为多个主端子(71)的第1主端子(71C)及第2主端子(71E)，在封固树脂体的内部与对应的主电极电连接，向封固树脂体之外延伸设置。主端子从封固树脂体的一面(302)突出，第1主端子及第2主端子在与半导体元件的厚度方向正交的一个方向上以使侧面(710C、710E)相互对置的方式交替配置。对于主端子的突出部分的一个方向上的宽度而言，相比于与封固树脂体之间的边界部(713C、713E)，连接其他部件的外部连接部(712C、712E)更大。
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公开(公告)号：CN113678245B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202080027804.4
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体模组具备：半导体元件(30)，在一面侧具有第1主电极(31E)，在背面侧具有第2主电极(31C)；配置在一面侧并与第1主电极连接的第1导电部件(40E)以及配置在背面侧并与第2主电极连接的第2导电部件(40C)；从导电部件延伸设置的主端子(60)、即与第1导电部件相连的第1主端子(60E)以及与第2导电部件相连的第2主端子(60C)。主端子具有：对置部(61)，以将流过主电流时产生的磁通相互抵消的方式配置，第1主端子和第2主端子离开而对置；非对置部(62E)，与第1导电部件侧相反地与第1主端子的对置部相连；形成于第1主端子的非对置部的第1连接部(63E)、以及以宽度方向上的形成位置与第1连接部重合的方式形成于第2主端子的对置部的第2
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112166500B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201980035157.9
申请日：2019-03-28
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 石野宽
Abstract: 一种半导体装置，具备：半导体元件(30，30A，30B)，在一面侧具有第1主电极(32)，在背面侧具有第2主电极(33)；第1导电部件(40C)及第2导电部件(40E)，是将半导体元件夹着而配置的导电部件(40)，上述第1导电部件配置在一面侧且与第1主电极连接，上述第2导电部件配置在背面侧且与第2主电极连接；绝缘部件(20)，将导电部件各自的至少一部分以及半导体元件一体地覆盖并保护；以及第1主端子(60C)及第2主端子(60E)，是与导电部件相连且向绝缘部件之外延伸设置的主端子(60)，上述第1主端子与第1导电部件相连，上述第2主端子与第2导电部件相连。主端子中，作为向绝缘部件之外突出的突出部分，具有对置部(62)和多个非对置部(63C，63E)，上述对置部以使主电流流动时产生的磁通相互抵消的方式配置，并且是第1主端子及第2主端子的板面彼此分离而对置的部分，上述多个非对置部是第1主端子及第2主端子各自中板面不对置的部分。
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公开(公告)号：CN113557603A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202080019853.3
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备：半导体元件(40)，具有第1主电极(41C)以及在与第1主电极之间流过主电流的第2主电极(41E)；封固树脂体(30)，将半导体元件封固；以及作为多个主端子(71)的第1主端子(71C)及第2主端子(71E)，在封固树脂体的内部与对应的主电极电连接，向封固树脂体之外延伸设置。主端子从封固树脂体的一面(302)突出，第1主端子及第2主端子在与半导体元件的厚度方向正交的一个方向上以使侧面(710C、710E)相互对置的方式交替配置。对于主端子的突出部分的一个方向上的宽度而言，相比于与封固树脂体之间的边界部(713C、713E)，连接其他部件的外部连接部(712C、712E)更大。
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公开(公告)号：CN112543994A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201980048810.5
申请日：2019-05-28
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置包括：至少一个半导体元件(30)，该半导体元件具有第一主电极(32)和在与第一主电极之间流过主电流的第二主电极(33)；以及主端子(60)，该主端子具有连接到第一主电极的第一主端子(60C)和连接到第二主电极的第二主端子(60E)，并且第一主端子和第二主端子的至少一方为多个，第一主端子和第二主端子在与半导体元件的厚度方向正交的一方向上以使侧面彼此相对的方式相邻配置。由在一方向上连续配置的三个以上的主端子构成主端子组(61)。构成主端子组的主端子各自的至少一部分在一方向上配置于从半导体元件的两端面(36、37)延长的延长线之间的区域(A1)内。
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公开(公告)号：CN106463491A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580029109.0
申请日：2015-05-21
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L23/3675 , H01L23/3107 , H01L23/3736 , H01L23/48 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L2224/32245 , H01L2224/33 , H01L2224/33181 , H01L2224/371 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01042 , H01L2924/0665 , H01L2924/10162 , H01L2924/10272 , H01L2924/1203 , H01L2924/13091 , H01L2924/1425 , H01L2924/181 , H01L2924/186 , H01L2924/351 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 半导体装置具备：半导体芯片(12)，使用碳化硅形成，在第1面(12a)及与该第1面相反的第2面具有电极；端子(14)，配置在第1面侧，经由接合部件而与第1面侧的电极连接；热沉(22)，配置在第2面侧，经由接合部件而与第2面侧的电极连接。设第1面(12a)为(0001)面，设半导体芯片的厚度方向为[0001]方向。并且，呈平面正方形的半导体芯片(12)的端部与呈平面长方形的端子最短距离(L1)比[11－20]方向上的最短距离(L2)短。由此，能够在抑制散热性的下降的同时、提高半导体芯片对热应力的耐受力。(14)的端部之间的距离中的[1－100]方向上的
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公开(公告)号：CN113661567B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202080027821.8
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 多个。非对置部以侧面相互对置的方式交替地排半导体装置具备：半导体元件(40)，在一面 列，对置的侧面的组形成有多个。侧具有第1主电极(41C)，在背面侧具有第2主电极(41E)；与一面侧的第1主电极连接的第1散热部件(50C)及背面侧的第2散热部件(50E)；以及引线框(60)，包括与第1散热部件连接的第1主端子(61C)以及与第2主电极连接的第2主端子(61E)。第2主端子具有与第2主电极连接的连接部(62E)、从连接部延伸设置且与第1散热部件对置的对置部(64E)、以及与连接部相反地与对置部相连且与第1主端子在正交于厚度方向的一个方向上排列的非对置部(65E)。第2散热部件经由(56)对比文件尧舜;丁鹏;张亮;张辉;曹银花;王智勇.大功率半导体激光器模块散热结构的数值优化.半导体光电.2008,(01),全文.
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