公开(公告)号：CN110034113B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201811640218.8

申请日：2018-12-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 妹尾贤 ,  大河原淳

IPC: H01L27/07

Abstract: 半导体装置包括半导体衬底，该半导体衬底设置有多个二极管范围和多个IGBT范围。在沿着半导体衬底的厚度方向的半导体衬底的平面图中，IGBT范围和二极管范围沿着第一方向交替排列。每一二极管范围在与下电极接触的范围内设置有多个n型的阴极区和多个p型的限流区。在每一二极范围内，阴极区和限流区沿着与第一方向相交的第二方向交替排列。每一IGBT范围在与下电极接触的范围内设置有p型的集电极区。每一IGBT范围内的集电极区与相邻的二极管范围内的每一阴极区接触。

公开(公告)号：CN112673466A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201980058845.7

申请日：2019-08-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 赤井智喜 ,  利田祐麻 ,  妹尾贤 ,  大河原淳

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 将IGBT用第1沟槽(13a)中的最靠FWD用沟槽(13b)侧的沟槽(133a)的中心与FWD用第1沟槽(13b)中的最靠IGBT用沟槽侧(13a)的沟槽(133b)的中心之间的距离设为分离单元间距(W1)。将IGBT用第1沟槽彼此(131a)的中心间的最小距离设为IGBT用第1沟槽间距(D1a)，将相邻的IGBT用第2沟槽(132b)彼此的中心间的最小距离设为IGBT用第2沟槽间距(D2a)，将相邻的FWD用第1沟槽(131b)彼此的中心间的最小距离设为FWD用第1沟槽间距(D1b)，将相邻的FWD用第2沟槽132b彼此的中心间的最小距离设为FWD用第2沟槽间距(D2b)。并且，分离单元间距(W1)比各沟槽间距(D1a、D2a、D1b、D2b)窄。

公开(公告)号：CN114342087A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080062127.X

申请日：2020-09-02

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 宫田征典 ,  利田祐麻 ,  药师川裕贵 ,  妹尾贤 ,  细川博司 ,  永井昂哉

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423

Abstract: IGBT区域(11)为具有第1区域(11a)以及与第1区域(11a)不同的第2区域(11b)的结构。并且，在FWD区域(12)及IGBT区域(11)的第1区域(11a)中形成有当在第1电极(41)与第2电极(45)之间施加了使FWD元件进行二极管动作的正偏压时、与第2区域(11b)相比更容易抽取从第2电极(45)注入的载流子的载流子抽取部(38、39)。

公开(公告)号：CN112689902A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201980059059.9

申请日：2019-08-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 宫田征典 ,  米田秀司 ,  药师川裕贵 ,  妹尾贤

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，具备：漂移层(11)；基体层(12)，形成在漂移层(11)上；集电极层(21)，形成在漂移层(11)中的基体层(12)侧的相反侧；以及场阻挡层(20)，形成在集电极层(21)与漂移层(11)之间，与漂移层(11)相比为高载流子浓度；在将场阻挡层(20)中的载流子浓度的最大峰值与集电极层(21)中的载流子浓度的最大峰值之间的距离设为X[μm]、将构成集电极层(21)的剂量相对于构成场阻挡层(20)的剂量的比即杂质总量比设为Y的情况下，以满足Y≧0.69X2+0.08X+0.86的方式构成场阻挡层(20)及集电极层(21)。

公开(公告)号：CN112673466B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201980058845.7

申请日：2019-08-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 赤井智喜 ,  利田祐麻 ,  妹尾贤 ,  大河原淳

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 将IGBT用第1沟槽(13a)中的最靠FWD用沟槽(13b)侧的沟槽(133a)的中心与FWD用第1沟槽(13b)中的最靠IGBT用沟槽侧(13a)的沟槽(133b)的中心之间的距离设为分离单元间距(W1)。将IGBT用第1沟槽彼此(131a)的中心间的最小距离设为IGBT用第1沟槽间距(D1a)，将相邻的IGBT用第2沟槽(132b)彼此的中心间的最小距离设为IGBT用第2沟槽间距(D2a)，将相邻的FWD用第1沟槽(131b)彼此的中心间的最小距离设为FWD用第1沟槽间距(D1b)，将相邻的FWD用第2沟槽132b彼此的中心间的最小距离设为FWD用第2(56)对比文件CN 105679814 A,2016.06.15CN 106463504 A,2017.02.22CN 103733344 A,2014.04.16US 2018047725 A1,2018.02.15CN 107534053 A,2018.01.02CN 104160512 A,2014.11.19US 2006286751 A1,2006.12.21JP 2017011171 A,2017.01.12JP 2009021557 A,2009.01.29JP 2014063960 A,2014.04.10Benedikt Gburek*, VeitWagner.Influence of the semiconductorthickness on the charge carrier mobilityin P3HT organic field-effect transistorsin top-gate architecture on flexiblesubstrates.Organic Electronics.2011,全文.翟东媛;赵毅;蔡银飞;施毅;郑有炓.沟槽形状对硅基沟槽式肖特基二极管电学特性的影响.物理学报.63(12),全文.

公开(公告)号：CN115485857A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202180030791.0

申请日：2021-04-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 宫田征典 ,  米田秀司 ,  妹尾贤 ,  药师川裕贵

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 具备半导体衬底(10)，该半导体衬底(10)具有IGBT区域(1a)和FWD区域(1b)，包括第1导电型的漂移层(11)、形成在漂移层(11)上的第2导电型的基极层(12)、在IGBT区域(1a)中形成在漂移层(11)中的与基极层(12)侧相反的一侧的第2导电型的集电极层(21)、以及在FWD区域(1b)中形成在漂移层(11)中的与基极层(12)侧相反的一侧的第1导电型的阴极层(22)。并且，将集电极层(21)做成具有将阴极层(22)中的漂移层(11)侧的仅一部分区域覆盖的延伸设置部(21a)的结构。

公开(公告)号：CN108470732B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN201810150243.1

申请日：2018-02-13

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 妹尾贤

IPC: H01L27/02 ,  H03K17/567

Abstract: 本发明提供半导体装置，抑制感测二极管的恢复电流。半导体装置具有：半导体基板；上部主电极，配置在所述半导体基板的上部；感测阳极电极，配置在所述半导体基板的上部；电阻层，配置在所述半导体基板的上部且具有比所述感测阳极电极高的电阻率；及下部主电极，配置在所述半导体基板的下部。所述半导体基板具有开关元件和感测二极管。所述开关元件连接在所述上部主电极与所述下部主电极之间。所述感测二极管具有经由所述电阻层而与所述感测阳极电极连接的p型的第一阳极区和与所述下部主电极连接的n型的第一阴极区。

公开(公告)号：CN106972051B

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201611108931.9

申请日：2016-12-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大河原淳 ,  妹尾贤

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种IGBT，具体提供一种使具有矩形沟槽的IGBT的饱和电流降低的技术。该IGBT具备：矩形沟槽，其具有第一沟槽～第四沟槽；栅电极，其被配置在矩形沟槽内。发射区具备：第一发射区，其与第一沟槽相接；第二发射区，其与第三沟槽相接。体接触区具备：第一体接触区，其与第二沟槽相接；第二体接触区，其与第四沟槽相接。表层体区在从各个连接部起至发射区的范围内与沟槽相接。

公开(公告)号：CN107148675B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201580042749.5

申请日：2015-09-04

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 妹尾贤 ,  平林康弘

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/04 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种IGBT的导通电压较低且二极管的反向恢复电流较小的半导体装置。所述半导体装置具有半导体基板，所述半导体基板具有被形成在表面上的栅极沟槽和虚设沟槽。半导体基板在栅极沟槽与虚设沟槽之间具有发射区、体区、势垒区和柱区。发射区为与栅极绝缘膜相接且露出于表面的n型区域。体区为在发射区的背面侧与栅极绝缘膜相接的p型区域。势垒区为在体区的背面侧与栅极绝缘膜相接且与虚设绝缘膜相接的n型区域。柱区为与表面电极连接且与势垒区相连的n型区域。

公开(公告)号：CN112689902B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN201980059059.9

申请日：2019-08-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 宫田征典 ,  米田秀司 ,  药师川裕贵 ,  妹尾贤

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，具备：漂移层(11)；基体层(12)，形成在漂移层(11)上；集电极层(21)，形成在漂移层(11)中的基体层(12)侧的相反侧；以及场阻挡层(20)，形成在集电极层(21)与漂移层(11)之间，与漂移层(11)相比为高载流子浓度；在将场阻挡层(20)中的载流子浓度的最大峰值与集电极层(21)中的载流子浓度的最大峰值之间的距离设为X[μm]、将构成集电极层(21)的剂量相对于构成场阻挡层(20)的剂量的比即杂质总量比设为Y的情况下，以满足Y≧0.69X2+0.08X+0.86的方式构成场阻挡层(20)及集电极层(21)。