公开(公告)号：CN112689902B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN201980059059.9

申请日：2019-08-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 宫田征典 ,  米田秀司 ,  药师川裕贵 ,  妹尾贤

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，具备：漂移层(11)；基体层(12)，形成在漂移层(11)上；集电极层(21)，形成在漂移层(11)中的基体层(12)侧的相反侧；以及场阻挡层(20)，形成在集电极层(21)与漂移层(11)之间，与漂移层(11)相比为高载流子浓度；在将场阻挡层(20)中的载流子浓度的最大峰值与集电极层(21)中的载流子浓度的最大峰值之间的距离设为X[μm]、将构成集电极层(21)的剂量相对于构成场阻挡层(20)的剂量的比即杂质总量比设为Y的情况下，以满足Y≧0.69X2+0.08X+0.86的方式构成场阻挡层(20)及集电极层(21)。

公开(公告)号：CN114342087A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080062127.X

申请日：2020-09-02

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 宫田征典 ,  利田祐麻 ,  药师川裕贵 ,  妹尾贤 ,  细川博司 ,  永井昂哉

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423

Abstract: IGBT区域(11)为具有第1区域(11a)以及与第1区域(11a)不同的第2区域(11b)的结构。并且，在FWD区域(12)及IGBT区域(11)的第1区域(11a)中形成有当在第1电极(41)与第2电极(45)之间施加了使FWD元件进行二极管动作的正偏压时、与第2区域(11b)相比更容易抽取从第2电极(45)注入的载流子的载流子抽取部(38、39)。

公开(公告)号：CN112689902A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201980059059.9

申请日：2019-08-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 宫田征典 ,  米田秀司 ,  药师川裕贵 ,  妹尾贤

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，具备：漂移层(11)；基体层(12)，形成在漂移层(11)上；集电极层(21)，形成在漂移层(11)中的基体层(12)侧的相反侧；以及场阻挡层(20)，形成在集电极层(21)与漂移层(11)之间，与漂移层(11)相比为高载流子浓度；在将场阻挡层(20)中的载流子浓度的最大峰值与集电极层(21)中的载流子浓度的最大峰值之间的距离设为X[μm]、将构成集电极层(21)的剂量相对于构成场阻挡层(20)的剂量的比即杂质总量比设为Y的情况下，以满足Y≧0.69X2+0.08X+0.86的方式构成场阻挡层(20)及集电极层(21)。

公开(公告)号：CN115485857A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202180030791.0

申请日：2021-04-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 宫田征典 ,  米田秀司 ,  妹尾贤 ,  药师川裕贵

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 具备半导体衬底(10)，该半导体衬底(10)具有IGBT区域(1a)和FWD区域(1b)，包括第1导电型的漂移层(11)、形成在漂移层(11)上的第2导电型的基极层(12)、在IGBT区域(1a)中形成在漂移层(11)中的与基极层(12)侧相反的一侧的第2导电型的集电极层(21)、以及在FWD区域(1b)中形成在漂移层(11)中的与基极层(12)侧相反的一侧的第1导电型的阴极层(22)。并且，将集电极层(21)做成具有将阴极层(22)中的漂移层(11)侧的仅一部分区域覆盖的延伸设置部(21a)的结构。