公开(公告)号：CN112673466B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201980058845.7

申请日：2019-08-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 赤井智喜 ,  利田祐麻 ,  妹尾贤 ,  大河原淳

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 将IGBT用第1沟槽(13a)中的最靠FWD用沟槽(13b)侧的沟槽(133a)的中心与FWD用第1沟槽(13b)中的最靠IGBT用沟槽侧(13a)的沟槽(133b)的中心之间的距离设为分离单元间距(W1)。将IGBT用第1沟槽彼此(131a)的中心间的最小距离设为IGBT用第1沟槽间距(D1a)，将相邻的IGBT用第2沟槽(132b)彼此的中心间的最小距离设为IGBT用第2沟槽间距(D2a)，将相邻的FWD用第1沟槽(131b)彼此的中心间的最小距离设为FWD用第1沟槽间距(D1b)，将相邻的FWD用第2沟槽132b彼此的中心间的最小距离设为FWD用第2(56)对比文件CN 105679814 A,2016.06.15CN 106463504 A,2017.02.22CN 103733344 A,2014.04.16US 2018047725 A1,2018.02.15CN 107534053 A,2018.01.02CN 104160512 A,2014.11.19US 2006286751 A1,2006.12.21JP 2017011171 A,2017.01.12JP 2009021557 A,2009.01.29JP 2014063960 A,2014.04.10Benedikt Gburek*, VeitWagner.Influence of the semiconductorthickness on the charge carrier mobilityin P3HT organic field-effect transistorsin top-gate architecture on flexiblesubstrates.Organic Electronics.2011,全文.翟东媛;赵毅;蔡银飞;施毅;郑有炓.沟槽形状对硅基沟槽式肖特基二极管电学特性的影响.物理学报.63(12),全文.

公开(公告)号：CN112673466A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201980058845.7

申请日：2019-08-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 赤井智喜 ,  利田祐麻 ,  妹尾贤 ,  大河原淳

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 将IGBT用第1沟槽(13a)中的最靠FWD用沟槽(13b)侧的沟槽(133a)的中心与FWD用第1沟槽(13b)中的最靠IGBT用沟槽侧(13a)的沟槽(133b)的中心之间的距离设为分离单元间距(W1)。将IGBT用第1沟槽彼此(131a)的中心间的最小距离设为IGBT用第1沟槽间距(D1a)，将相邻的IGBT用第2沟槽(132b)彼此的中心间的最小距离设为IGBT用第2沟槽间距(D2a)，将相邻的FWD用第1沟槽(131b)彼此的中心间的最小距离设为FWD用第1沟槽间距(D1b)，将相邻的FWD用第2沟槽132b彼此的中心间的最小距离设为FWD用第2沟槽间距(D2b)。并且，分离单元间距(W1)比各沟槽间距(D1a、D2a、D1b、D2b)窄。