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公开(公告)号：CN102666909A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080051495.0
申请日：2010-11-16
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/08
Abstract: 本发明提供一种透明导电膜的制造方法，无需使用水蒸气就可形成具有良好蚀刻特性及导电特性的透明导电膜。本发明的实施方式涉及的透明导电膜的制造方法包括：通过溅射靶材从而在基板上形成铟锡氧化物薄膜的工序，其中所述靶材包含由氧化铟组成的第一组分，由氧化锡组成的第二组分，以及由选自La、Nd、Dy、Eu、Gd、Tb、Zr、Al、Si、Ti及B的至少一种元素或其氧化物组成的第三组分；利用蚀刻液使所述铟锡氧化物薄膜进行图案化的工序；通过热处理使所述铟锡氧化物薄膜结晶的工序。由此，成膜不久后的ITO薄膜可以利用弱酸蚀刻，并且，可以对该ITO膜赋予期望的导电特性。
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公开(公告)号：CN101978094A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109274.1
申请日：2009-03-10
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3444
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以在长时间内生长具有均匀的膜厚分布的薄膜的磁控溅射技术。本发明的磁控溅射装置(1)具有：真空槽(2)；阴极部(6)，设置在真空槽2内，并且具有其正面侧支承标靶(7)、其背面侧支承多个磁体(12)的垫板(8)；和直流电源(30)，向阴极部(6)供给直流电。相对于垫板(8)，在标靶(7)侧的放电空间内设置有多个可以独立地进行电位控制的控制电极(21、22)。
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公开(公告)号：CN104213085A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410341203.7
申请日：2010-11-16
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/08
Abstract: 本发明提供一种透明导电膜的制造方法，无需使用水蒸气就可形成具有良好蚀刻特性及导电特性的透明导电膜。本发明的实施方式涉及的透明导电膜的制造方法包括：通过溅射靶材从而在基板上形成铟锡氧化物薄膜的工序，其中所述靶材包含由氧化铟组成的第一组分，由氧化锡组成的第二组分，以及由选自La、Nd、Dy、Eu、Gd、Tb、Zr、Al、Si、Ti及B的至少一种元素或其氧化物组成的第三组分；利用蚀刻液使所述铟锡氧化物薄膜进行图案化的工序；通过热处理使所述铟锡氧化物薄膜结晶的工序。由此，成膜不久后的ITO薄膜可以利用弱酸蚀刻，并且，可以对该ITO膜赋予期望的导电特性。
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公开(公告)号：CN105575803B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201610010064.9
申请日：2009-08-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/335 , H01L21/203 , H01L21/324 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管的制造方法，其无需进行高温退火处理也能提高晶体管特性。采用溅射法用100℃以上的成膜温度形成构成活性层的In‑Ga‑Zn‑O薄膜。再用300℃的温度在大气中进行退火处理。实施退火处理的目的是提高刚刚形成的活性层的晶体管特性。与未经加热而形成的In‑Ga‑Zn‑O薄膜相比，一边加热基材一边采用溅射法而形成的In‑Ga‑Zn‑O薄膜的内应变或缺陷较少。因此，与未经加热而形成的In‑Ga‑Zn‑O薄膜相比，将经加热而形成的相同材料薄膜作为活性层时可提高退火效果。因而本发明可通过低温退火处理形成具有优异晶体管特性的活性层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102165569A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980137848.6
申请日：2009-08-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管的制造方法，其无需进行高温退火处理也能提高晶体管特性。采用溅射法用100℃以上的成膜温度形成构成活性层的In-Ga-Zn-O薄膜。再用300℃的温度在大气中进行退火处理。实施退火处理的目的是提高刚刚形成的活性层的晶体管特性。与未经加热而形成的In-Ga-Zn-O薄膜相比，一边加热基材一边采用溅射法而形成的In-Ga-Zn-O薄膜的内应变或缺陷较少。因此，与未经加热而形成的In-Ga-Zn-O薄膜相比，将经加热而形成的相同材料薄膜作为活性层时可提高退火效果。因而本发明可通过低温退火处理形成具有优异晶体管特性的活性层。
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公开(公告)号：CN102165569B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN200980137848.6
申请日：2009-08-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管的制造方法，其无需进行高温退火处理也能提高晶体管特性。采用溅射法用100℃以上的成膜温度形成构成活性层的In?Ga?Zn?O薄膜。再用300℃的温度在大气中进行退火处理。实施退火处理的目的是提高刚刚形成的活性层的晶体管特性。与未经加热而形成的In?Ga?Zn?O薄膜相比，一边加热基材一边采用溅射法而形成的In?Ga?Zn?O薄膜的内应变或缺陷较少。因此，与未经加热而形成的In?Ga?Zn?O薄膜相比，将经加热而形成的相同材料薄膜作为活性层时可提高退火效果。因而本发明可通过低温退火处理形成具有优异晶体管特性的活性层。
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公开(公告)号：CN102666909B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201080051495.0
申请日：2010-11-16
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/08
Abstract: 本发明提供一种透明导电膜的制造方法，无需使用水蒸气就可形成具有良好蚀刻特性及导电特性的透明导电膜。本发明的实施方式涉及的透明导电膜的制造方法包括：通过溅射靶材从而在基板上形成铟锡氧化物薄膜的工序，其中所述靶材包含由氧化铟组成的第一组分，由氧化锡组成的第二组分，以及由选自La、Nd、Dy、Eu、Gd、Tb、Zr、Al、Si、Ti及B的至少一种元素或其氧化物组成的第三组分；利用蚀刻液使所述铟锡氧化物薄膜进行图案化的工序；通过热处理使所述铟锡氧化物薄膜结晶的工序。由此，成膜不久后的ITO薄膜可以利用弱酸蚀刻，并且，可以对该ITO膜赋予期望的导电特性。
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公开(公告)号：CN105575803A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610010064.9
申请日：2009-08-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/335 , H01L21/203 , H01L21/324 , C23C14/34
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/66409 , C23C14/34 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管的制造方法，其无需进行高温退火处理也能提高晶体管特性。采用溅射法用100℃以上的成膜温度形成构成活性层的In-Ga-Zn-O薄膜。再用300℃的温度在大气中进行退火处理。实施退火处理的目的是提高刚刚形成的活性层的晶体管特性。与未经加热而形成的In-Ga-Zn-O薄膜相比，一边加热基材一边采用溅射法而形成的In-Ga-Zn-O薄膜的内应变或缺陷较少。因此，与未经加热而形成的In-Ga-Zn-O薄膜相比，将经加热而形成的相同材料薄膜作为活性层时可提高退火效果。因而本发明可通过低温退火处理形成具有优异晶体管特性的活性层。
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公开(公告)号：CN101978094B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200980109274.1
申请日：2009-03-10
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3444
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以在长时间内生长具有均匀的膜厚分布的薄膜的磁控溅射技术。本发明的磁控溅射装置(1)具有：真空槽(2)；阴极部(6)，设置在真空槽2内，并且具有其正面侧支承标靶(7)、其背面侧支承多个磁体(12)的垫板(8)；和直流电源(30)，向阴极部(6)供给直流电。相对于垫板(8)，在标靶(7)侧的放电空间内设置有多个可以独立地进行电位控制的控制电极(21、22)。
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