半导体装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104979384A

    公开(公告)日:2015-10-14

    申请号:CN201510165805.6

    申请日:2015-04-09

    Abstract: 本发明提供半导体装置。在由n+型基板、n-型外延层以及p-型主体层构成的半导体层上配置有栅极焊盘。栅极焊盘俯视时,配置在半导体层的中央部。在半导体层设有多个构成沟槽型MOSFET元件的单位元件。多个单位元件俯视时,以栅极焊盘为中心排列在辐射方向,离栅极焊盘最近的单位元件(中央侧单位元件)的栅电极与栅极焊盘电连接。在辐射方向相邻的单位元件的栅电极相互连接。

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