公开(公告)号：CN1716539A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510078541.7

申请日：2005-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  篠田裕人 ,  中村理 ,  磯部敦生 ,  山口哲司 ,  鄉戶宏充

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/67213 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624 ,  H01L2029/7863

Abstract: 本发明提供一种具有使用大量生产上可多件提取的大面积衬底并且均匀掺入杂质元素的装置的半导体器件制造装置。本发明的一个特征为：将离子流的截面取为线状或正方形，而且使大面积衬底保持对离子流倾斜规定的倾斜角θ不变，同时使该衬底往垂直于离子流的纵向的方向移动。本发明中，通过改变倾斜角调整离子束的入射角。使大面积衬底对水平面为倾斜状态，从而能使离子流纵向宽度小于衬底1条边的长度。

公开(公告)号：CN101431082B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810184314.6

申请日：2005-06-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  磯部敦生 ,  山口哲司 ,  鄉戶宏充

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/13 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624

Abstract: 本发明的目的在于不用复杂的工艺、器件就能制造具有所要求特性的薄膜晶体管。其目的还在于，通过对薄膜晶体管的特性进行精密、自由的控制，提供一种能以低成本高合格率来制造可靠性高电特性好的半导体器件的技术。本发明的薄膜晶体管，在被栅极电极层覆盖的半导体层的源极区域侧或漏极区域侧制作低浓度的掺杂区域。低浓度掺杂区域是通过将栅极电极层作为掩膜，对着半导体层表面斜着进行掺杂而形成的。因而，能进行薄膜晶体管的精细特性的控制。

公开(公告)号：CN1716539B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200510078541.7

申请日：2005-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  篠田裕人 ,  中村理 ,  磯部敦生 ,  山口哲司 ,  鄉戶宏充

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/67213 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624 ,  H01L2029/7863

Abstract: 本发明提供一种具有使用大量生产上可多件提取的大面积衬底并且均匀掺入杂质元素的装置的半导体器件制造装置。本发明的一个特征为：将离子流的截面取为线状或正方形，而且使大面积衬底保持对离子流倾斜规定的倾斜角θ不变，同时使该衬底往垂直于离子流的纵向的方向移动。本发明中，通过改变倾斜角调整离子束的入射角。使大面积衬底对水平面为倾斜状态，从而能使离子流纵向宽度小于衬底1条边的长度。

公开(公告)号：CN1770474B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200510079030.7

申请日：2005-06-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  磯部敦生 ,  山口哲司 ,  鄉戶宏充

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/13 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624

Abstract: 本发明的目的在于不用复杂的工艺、装置就能制造具有所要求特性的薄膜晶体管。其目的还在于，通过对薄膜晶体管的特性进行精密、自由的控制，提供一种能以低成本高合格率来制造可靠性高电特性好的半导体器件的技术。本发明在薄膜晶体管上，在被栅极电极层覆盖的半导体层的源极区域一侧或漏极区域一侧中的一侧制作低浓度的掺杂区域。低浓度掺杂区域是通过将栅极电极层作为掩模，对着半导体层表面斜着进行掺杂而形成的。因而，能精细地控制薄膜晶体管的特性。

公开(公告)号：CN101431082A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810184314.6

申请日：2005-06-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  磯部敦生 ,  山口哲司 ,  鄉戶宏充

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/13 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624

Abstract: 本发明的目的在于不用复杂的工艺、器件就能制造具有所要求特性的薄膜晶体管。其目的还在于，通过对薄膜晶体管的特性进行精密、自由的控制，提供一种能以低成本高合格率来制造可靠性高电特性好的半导体器件的技术。本发明的薄膜晶体管，在被栅极电极层覆盖的半导体层的源极区域侧或漏极区域侧制作低浓度的掺杂区域。低浓度掺杂区域是通过将栅极电极层作为掩膜，对着半导体层表面斜着进行掺杂而形成的。因而，能进行薄膜晶体管的精细特性的控制。

公开(公告)号：CN1770474A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510079030.7

申请日：2005-06-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  磯部敦生 ,  山口哲司 ,  鄉戶宏充

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/13 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624

Abstract: 本发明的目的在于不用复杂的工艺、装置就能制造具有所要求特性的薄膜晶体管。其目的还在于，通过对薄膜晶体管的特性进行精密、自由的控制，提供一种能以低成本高合格率来制造可靠性高电特性好的半导体器件的技术。本发明在薄膜晶体管上，在被栅极电极层覆盖的半导体层的源极区域一侧或漏极区域一侧中的一侧制作低浓度的掺杂区域。低浓度掺杂区域是通过将栅极电极层作为掩模，对着半导体层表面斜着进行掺杂而形成的。因而，能精细地控制薄膜晶体管的特性。