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公开(公告)号：CN101108720B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200710137047.2
申请日：2007-07-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L29/84 , B81B2201/034 , B81C1/00246 , B81C2203/0742
Abstract: 本发明的目的在于：通过相同的工序，将微机电装置包括的微结构和电路制造在相同的绝缘表面上。本发明的微机电装置集成有在具有绝缘表面的衬底上包括晶体管的电路和微结构。微结构包括具有与晶体管的栅绝缘层以及在栅绝缘层上设计的半导体层的叠层体相同的叠层结构的结构层。就是说，结构层包括由与栅绝缘层相同的绝缘膜形成的层，并且还包括与晶体管的半导体层相同的半导体膜形成的层。进而，微结构通过将用于晶体管的栅电极、源电极、漏电极的导电层用作牺牲层来制造。
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公开(公告)号：CN1899951A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610128501.3
申请日：2006-06-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1255 , B81C1/00246 , B81C2203/0728 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/1277 , H01L27/13
Abstract: 一直以来在一个衬底上制造一种配置具有空间的微结构、用于控制该微结构的电路以及其他结构的半导体器件是困难的。本发明通过用这样的方式能够在半导体器件中提供微结构和用于控制该微结构的电路：在低温下形成和处理通过利用金属元件的激光结晶或热结晶获得的具有多晶硅的结构层。作为上述电子电路，有用于与天线进行无线通信的无线通信电路。
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公开(公告)号：CN1790748A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510118686.5
申请日：2005-11-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L2029/7863
Abstract: 本发明的目的是在一个工艺中以更少的处理步骤制造具有小尺寸LDD区域的TFT，并且独立制造出具有由每种电路而定的结构的TFT。依照本发明，栅电极是多层的，并且通过使得下层栅电极的栅极长度比上层栅电极的栅极长度长而形成帽形栅电极。此时，利用抗蚀剂凹口宽度使得仅上层栅电极被蚀刻以形成帽形栅电极。因此，也可在精细TFT中形成LDD区域；因此，可独立地制造出具有由每种电路而定的结构的TFT。
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公开(公告)号：CN1974373B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200610163096.9
申请日：2006-11-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00682 , B81B2203/0118
Abstract: 微结构、其制造方法、以及微电子机械系统。本发明的目的在于提供提高结构层的剪切应力的微结构、其制造方法、以及微电子机械系统。本发明包括以下步骤：在衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成金属膜；对于金属膜照射激光；减少或除去金属膜的针形结晶；对所述金属膜进行蚀刻加工成规定的形状来形成金属层；其后除去牺牲层。通过以上操作，可以提供微结构的可移动部分的耐破断性高且可靠性高的微电子机械系统。
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公开(公告)号：CN101872840B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010224583.8
申请日：2006-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0021 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L27/1266
Abstract: 本发明公开了一种制造有机晶体管的方法。该方法包括：在绝缘表面上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成第一层；蚀刻第一层以形成一对侧壁结构；在所述牺牲层和所述一对侧壁结构上形成第二层；通过蚀刻牺牲层在所述一对侧壁结构的里面形成空间；和在该空间中形成有机半导体层。微机械一般使用半导体衬底比如硅晶片形成。本发明的一个目的是通过将微细结构和用于控制微细结构的半导体元件在一个步骤中集成在一个绝缘表面上来进一步降低成本。一种微细结构具有这样的结构：其中形成为框架形状的第一层提供在绝缘表面上，空间形成在该框架的里面，形成第二层以与第一层交叉。这种微细结构和薄膜晶体管可以在一个步骤中集成在一个绝缘表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1872657B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200610087708.0
申请日：2006-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: B81C1/00142
Abstract: 传统上形成微机械的微结构是用硅晶片作为主体形成的。考虑到这一点，本发明提供微结构制造方法，其中微结构是在绝缘衬底上形成的。本发明提供的微结构包括含多晶硅的层，该多晶硅是以金属元素用热晶化或激光晶化而晶化的，且该层包括在其上或其下的空间。这样的多晶硅可在绝缘表面上形成并具有高强度，因此，可以用作微结构。作为结果，提供了在绝缘衬底上形成的微结构或提供有微结构的微机械。
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公开(公告)号：CN1893142B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200610099772.0
申请日：2006-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0021 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L27/1266
Abstract: 微机械一般使用半导体衬底比如硅晶片形成。本发明的一个目的是通过将微细结构和用于控制微细结构的半导体元件在一个步骤中集成在一个绝缘表面上来进一步降低成本。一种微细结构具有这样的结构：其中形成为框架形状的第一层提供在绝缘表面上，间隙形成在该框架的里面，形成第二层以与第一层交叉。这种微细结构和薄膜晶体管可以在一个步骤中集成在一个绝缘表面上。
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公开(公告)号：CN1975345A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610163607.7
申请日：2006-12-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: B81C99/004 , G01R31/3025
Abstract: 本发明的目的在于提供一种微机械的测试方法，其中无接触地进行微机械的结构体的过程检测的测试、电特性的测试及机械特性的测试。本发明的测试方法如下：包括具有第一导电层、设置为与所述第一导电层平行的第二导电层、设置在所述第一导电层和第二导电层之间的牺牲层或具有空间部分的结构体、以及与连接到所述结构体的天线，通过所述天线向所述结构体以无线供给电力，检验出从所述天线中产生的电磁波作为所述结构体的特性。
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公开(公告)号：CN1893142A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610099772.0
申请日：2006-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0021 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L27/1266
Abstract: 微机械一般使用半导体衬底比如硅晶片形成。本发明的一个目的是通过将微细结构和用于控制微细结构的半导体元件在一个步骤中集成在一个绝缘表面上来进一步降低成本。一种微细结构具有这样的结构：其中形成为框架形状的第一层提供在绝缘表面上，间隙形成在该框架的里面，形成第二层以与第一层交叉。这种微细结构和薄膜晶体管可以在一个步骤中集成在一个绝缘表面上。
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公开(公告)号：CN1790748B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200510118686.5
申请日：2005-11-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L2029/7863
Abstract: 本发明的目的是在一个工艺中以更少的处理步骤制造具有小尺寸LDD区域的TFT，并且独立制造出具有由每种电路而定的结构的TFT。依照本发明，栅电极是多层的，并且通过使得下层栅电极的栅极长度比上层栅电极的栅极长度长而形成帽形栅电极。此时，利用抗蚀剂凹口宽度使得仅上层栅电极被蚀刻以形成帽形栅电极。因此，也可在精细TFT中形成LDD区域；因此，可独立地制造出具有由每种电路而定的结构的TFT。
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