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    磁随机存取存储器
    2.
    发明授权
    磁随机存取存储器 失效

    公开(公告)号：CN100367405C

    公开(公告)日：2008-02-06

    申请号：CN200310118708.9

    申请日：2003-11-28

    Applicant: 株式会社东芝

    Inventor： 福住嘉晃

    IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00

    CPC classification number: G11C11/16

    Abstract: 本发明提供一种有改进了的磁回路结构的磁随机存取存储器。该磁随机存取存储器包括：存储数据的磁阻元件(35)；有选择地将磁场施加在磁阻元件上的电流驱动线(72)；以及保持来自电流驱动线的磁场的磁回路(84)。电流驱动线(72)具有与磁阻元件(35)相对的第一面；与第一面相反一侧的第二面；以及第一及第二面之间的两个侧面。磁回路(84)具有由强磁性材料构成的一对板构件(85、86)，该一对板构件(85、86)以使电流驱动线(72)的第一及第二面侧开放的方式，沿着电流驱动线的两个侧面延伸。

    磁存储装置及其制造方法
    3.
    发明公开
    磁存储装置及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1495902A

    公开(公告)日：2004-05-12

    申请号：CN03158786.0

    申请日：2003-09-24

    Applicant: 株式会社东芝

    Inventor： 福住嘉晃

    IPC: H01L27/04 ,  H01L21/00 ,  G11C11/15

    CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  H01L43/08

    Abstract: 一种磁存储装置，包括：半导体衬底(21)；在上述半导体衬底上方配置的存储信息的MTJ元件(5)；在上述半导体衬底和上述MTJ元件之间沿第一方向配置的第一布线(2)，该第一布线向MTJ元件施加磁场，且具有面对上述MTJ元件的第二面和在该第二面相反侧的第一面，上述第二面的宽度比上述第一面的宽度小；以及在上述MTJ元件的上方沿与上述第一方向不同的第二方向配置的第二布线(3)，该第二布线向MTJ元件施加磁场。

    具有磁阻元件的半导体存储器件及其数据写入方法
    5.
    发明授权
    具有磁阻元件的半导体存储器件及其数据写入方法 失效

    公开(公告)号：CN1610001B

    公开(公告)日：2011-06-15

    申请号：CN200410095945.2

    申请日：2004-08-13

    Applicant: 株式会社东芝

    Inventor： 福住嘉晃

    IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08

    CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/16

    Abstract: 一种具有磁阻元件的半导体存储器件及其数据写入方法，该半导体存储器件，包括：多个存储单元、第1布线、第1电流驱动电路和第2电流驱动电路。存储单元包括具有第1铁磁性膜、在第1铁磁性膜上形成的绝缘膜，在绝缘膜上形成的第2铁磁性膜的磁阻元件。第1布线与存储单元中包含的磁阻元件靠近且隔离地设置。第1电流驱动电路在写入工作时向第1布线供给第1电流，在磁阻元件周围形成磁场。第2电流驱动电路在写入工作时和读出工作时，通过绝缘膜向第1、第2铁磁性膜之间供给第2电流。

    非易失性半导体存储器装置以及其中的数据读取方法
    6.
    发明公开
    非易失性半导体存储器装置以及其中的数据读取方法 失效

    公开(公告)号：CN102024495A

    公开(公告)日：2011-04-20

    申请号：CN201010135747.X

    申请日：2010-03-10

    Applicant: 株式会社东芝

    Inventor： 板垣清太郎 ,  福住嘉晃 ,  岩田佳久

    IPC: G11C16/02 ,  G11C16/26 ,  H01L27/115

    CPC classification number: H01L27/11578 ,  G11C16/26 ,  G11C16/32 ,  G11C16/3418 ,  H01L27/11582

    Abstract: 本发明涉及非易失性半导体存储器装置以及其中的数据读取方法。一种非易失性半导体存储器装置包括：存储器基元阵列，其具有多个存储器串，每一个所述存储器串具有串联连接的多个存储器基元；以及控制电路，其被配置为执行读取操作以从在所述多个存储器串当中的被选择的存储器串中所包括的所述存储器基元读取数据。在所述读取操作期间，所述控制电路被配置为向不进行所述读取操作的未选择的存储器串中的所述存储器基元中的至少一个存储器基元的栅极施加第一电压，并向不进行所述读取操作的所述未选择的存储器串中的所述存储器基元中的另一存储器基元的栅极施加低于所述第一电压的第二电压。

    磁随机存取存储器
    7.
    发明授权
    磁随机存取存储器 失效

    公开(公告)号：CN100354973C

    公开(公告)日：2007-12-12

    申请号：CN03156828.9

    申请日：2003-09-10

    Applicant: 株式会社东芝

    Inventor： 福住嘉晃

    IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00

    CPC classification number: G11C11/16

    Abstract: 提供一种磁随机存取存储器(MRAM)。其中，该MRAM的MTJ元件(35)，具有夹着隧道阻挡薄膜(36)配置的记录层(37)和参照层(38)、在记录层(37)中存储数据。为了有选择地对磁电阻元件(35)赋予磁场配设有电流驱动线(56)。记录层(37)具备第一强磁性层的同时参照层(38)具备第二强磁性层；对于由电流驱动线(56)赋予上述磁电阻元件(35)的磁场，保持上述第二强磁性层的磁化方向的保持力设定为小于保持上述第一强磁性层的磁化方向的保持力。

    磁存储装置及其制造方法
    8.
    发明授权
    磁存储装置及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1283006C

    公开(公告)日：2006-11-01

    申请号：CN03158786.0

    申请日：2003-09-24

    Applicant: 株式会社东芝

    Inventor： 福住嘉晃

    IPC: H01L27/04 ,  H01L21/00 ,  G11C11/15

    CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  H01L43/08

    Abstract: 一种磁存储装置，包括：半导体衬底(21)；在上述半导体衬底上方配置的存储信息的MTJ元件(5)；在上述半导体衬底和上述MTJ元件之间沿第一方向配置的第一布线(2)，该第一布线向MTJ元件施加磁场，且具有面对上述MTJ元件的第二面和在该第二面相反侧的第一面，上述第二面的宽度比上述第一面的宽度小；以及在上述MTJ元件的上方沿与上述第一方向不同的第二方向配置的第二布线(3)，该第二布线向MTJ元件施加磁场。

    磁存储装置及其制造方法
    10.
    发明公开
    磁存储装置及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1499518A

    公开(公告)日：2004-05-26

    申请号：CN200310114148.X

    申请日：2003-11-05

    Applicant: 株式会社东芝

    Inventor： 福住嘉晃

    IPC: G11C11/02 ,  H01L21/00

    CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08

    Abstract: 提供一种可防止写入电流值因存储单元不同而产生误差的磁存储装置。磁存储装置包括沿第1方向相互间隔设置，记录信息的第1、第2磁阻元件。用来给第1、第2磁阻元件施加磁场的第1布线沿第1方向设置。用来将第1布线来的磁场有效施加于第2磁阻元件的第1磁路在第1布线的侧面延伸并在第1、第2磁阻元件间形成缺口部分。

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