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公开(公告)号：CN102005700B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010129717.8
申请日：2010-03-08
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置，可降低偏振方向的角度偏离，其包括：激光器阵列，其具有：具有脊型波导且发出第一波长的光的第一层叠体、夹着沟与其分离且发出比上述第一波长长的第二波长的光的第二层叠体、以及设置在上述第一和第二层叠体上的包含金膜的第一和第二电极；底座，其具有：绝缘体、以及具有在其上分别设置的基底金属膜和厚度在0.05～0.3μm的范围内的金膜的第一和第二导电层；把上述第一电极与上述第一导电层接合且比上述第一导电层的上述金膜厚的第一合金焊料层；以及把上述第二电极与上述第二导电层接合且比上述第二导电层的上述金膜厚的第二合金焊料层，上述脊型波导的靠近上述沟的一侧的侧面倾角比远离上述沟的一侧的侧面倾角平缓。
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公开(公告)号：CN1445893A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03120627.1
申请日：2003-03-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/30
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/2086 , H01S5/2201 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3432
Abstract: 本发明对实折射率波导型半导体激光器，得到高输出功率的半导体激光器。提供一种半导体激光器，其特征在于，具有：第1导电型包层；通过注入电流而放射光的有源层；第1的第2导电型包层；作为脊形波导路的第2的第2导电型包层；带隙比夹着上述第2的第2导电型包层在其两侧形成的上述第1及第2的第2导电型包层大的电流阻挡层；向上述第2的第2导电型包层导入电流时，具有足以防止漏电流流入上述电流阻挡层的迁移率的第3的第2导电型包层。
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公开(公告)号：CN102005700A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010129717.8
申请日：2010-03-08
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置，可降低偏振方向的角度偏离，其包括：激光器阵列，其具有：具有脊型波导且发出第一波长的光的第一层叠体、夹着沟与其分离且发出比上述第一波长长的第二波长的光的第二层叠体、以及设置在上述第一和第二层叠体上的包含金膜的第一和第二电极；底座，其具有：绝缘体、以及具有在其上分别设置的基底金属膜和厚度在0.05～0.3μm的范围内的金膜的第一和第二导电层；把上述第一电极与上述第一导电层接合且比上述第一导电层的上述金膜厚的第一合金焊料层；以及把上述第二电极与上述第二导电层接合且比上述第二导电层的上述金膜厚的第二合金焊料层，上述脊型波导的靠近上述沟的一侧的侧面倾角比远离上述沟的一侧的侧面倾角平缓。
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