公开(公告)号：CN1414633A

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN02147188.6

申请日：2002-10-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川岛博文 ,  执行直之 ,  安田圣治

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L27/0266 ,  H01L29/7833

Abstract: ESD保护器件具有场效应晶体管。该场效应晶体管具有在半导体区域中形成的源/漏扩散层、在上述源/漏扩散层间的沟道区上形成的栅绝缘膜和在上述栅绝缘膜上形成的栅电极。在上述源/漏扩散层的一部分区域上形成了硅化物层。在上述源/漏扩散层中未形成上述硅化物层的区域的半导体区域中形成扩散层。该扩散层的结深度比上述源/漏扩散层的结深度浅。

公开(公告)号：CN1123470A

公开(公告)日：1996-05-29

申请号：CN95118446.6

申请日：1995-09-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉见信 ,  稻叶聪 ,  村越笃 ,  寺内卫 ,  执行直之 ,  松下嘉明 ,  青木正身 ,  滨本毅司 ,  石桥裕 ,  尾崎彻 ,  H·川口谷 ,  松泽一也 ,  有隅修 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/108 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681

Abstract: 一种半导体器件结构及制造方法，在改善MOSFET、MOSSIT和MISFET等绝缘栅晶体管的漏击穿电压时降低漏电流，改善存储单元如用这些晶体管作开关晶体管的DRAM的保持特性，改善传输门中栅氧化膜的可靠性，具体地，在SOI·IG-器件的源区或漏区内部形成窄带隙半导体如SixGe1-x、SixSn1-x、PbS。选择窄带隙半导体区在SOI膜中的位置和/或摩尔百分比，或选择杂质元素，补偿晶格失配，抑制缺陷的产生。

公开(公告)号：CN101908007A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010122237.9

申请日：2010-03-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 近藤重雄 ,  成毛清实 ,  执行直之

IPC: G06F11/10 ,  G06F3/06

CPC classification number: G06F11/1044

Abstract: 本发明提供了存储系统和计算机系统。存储系统具有：存储芯片群，其分别具有按每个规定尺寸的单位区域分割管理的n个非易失性半导体存储器的芯片，上述n个芯片中的一个芯片的单位区域存储针对包含分别与上述单位区域对应的其他n-1个芯片的单位区域的群的纠错码，且每个存储上述纠错码的芯片的单位区域的位置互不相同；和访问处计算部，其在改写单位区域的数据时，将存储上述数据的纠错码的单位区域指定为改写数据的写入处，将存储有改写前的数据的单位区域指定为新纠错码的存储处。

公开(公告)号：CN1224101C

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN02147188.6

申请日：2002-10-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川岛博文 ,  执行直之 ,  安田圣治

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L27/0266 ,  H01L29/7833

Abstract: ESD保护器件具有场效应晶体管。该场效应晶体管具有在半导体区域中形成的源/漏扩散层、在上述源/漏扩散层间的沟道区上形成的栅绝缘膜和在上述栅绝缘膜上形成的栅电极。在上述源/漏扩散层的一部分区域上形成了硅化物层。在上述源/漏扩散层中未形成上述硅化物层的区域的半导体区域中形成扩散层。该扩散层的结深度比上述源/漏扩散层的结深度浅。

公开(公告)号：CN1052817C

公开(公告)日：2000-05-24

申请号：CN95118446.6

申请日：1995-09-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉见信 ,  稻叶聪 ,  村越笃 ,  寺内卫 ,  执行直之 ,  松下嘉明 ,  青木正身 ,  滨本毅司 ,  石桥裕 ,  尾崎彻 ,  H·川口谷 ,  松泽一也 ,  有隅修 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/108 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681

Abstract: 一种半导体器件结构及制造方法，在改善MOSFET、MOSSIT和MISFET等绝缘栅晶体管的漏击穿电压时降低漏电流，改善存储单元如用这些晶体管作开关晶体管的DRAM的保持特性，改善传输门中栅氧化膜的可靠性。具体地，在SOI·IG-器件的源区或漏区内部形成窄带隙半导体如SixGe1-x、SixSn1-x、PbS。选择窄带隙半导体区在SOI膜中的位置和/或摩尔百分比，或选择杂质元素，补偿晶格失配，抑制缺陷的产生。