公开(公告)号：CN1224101C

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN02147188.6

申请日：2002-10-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川岛博文 ,  执行直之 ,  安田圣治

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L27/0266 ,  H01L29/7833

Abstract: ESD保护器件具有场效应晶体管。该场效应晶体管具有在半导体区域中形成的源/漏扩散层、在上述源/漏扩散层间的沟道区上形成的栅绝缘膜和在上述栅绝缘膜上形成的栅电极。在上述源/漏扩散层的一部分区域上形成了硅化物层。在上述源/漏扩散层中未形成上述硅化物层的区域的半导体区域中形成扩散层。该扩散层的结深度比上述源/漏扩散层的结深度浅。

公开(公告)号：CN1414633A

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN02147188.6

申请日：2002-10-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川岛博文 ,  执行直之 ,  安田圣治

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L27/0266 ,  H01L29/7833

Abstract: ESD保护器件具有场效应晶体管。该场效应晶体管具有在半导体区域中形成的源/漏扩散层、在上述源/漏扩散层间的沟道区上形成的栅绝缘膜和在上述栅绝缘膜上形成的栅电极。在上述源/漏扩散层的一部分区域上形成了硅化物层。在上述源/漏扩散层中未形成上述硅化物层的区域的半导体区域中形成扩散层。该扩散层的结深度比上述源/漏扩散层的结深度浅。