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公开(公告)号：CN105990476A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610016212.8
申请日：2016-01-11
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 半导体发光元件包含基体、第1～6半导体层、第1～3导电层、构造体及第1绝缘层。第1半导体层与基体相隔。第2半导体层设置在第1半导体层与基体之间。第3半导体层设置在第1半导体层与第2半导体层之间。第1导电层与第2半导体层电连接。第4半导体层与基体相隔，与第1半导体层并排。第5半导体层设置在第4半导体层与基体之间。第6半导体层设置在第4半导体层与第5半导体层之间。第2导电层与第5半导体层电连接。构造体与基体相隔。构造体的一部分设置在第1半导体层与第4半导体层之间。第3导电层与第4半导体层电连接。第3导电层包含第1区域、第2区域及第3区域。第1绝缘层的一部分设置在第3导电层与第5半导体层之间。
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公开(公告)号：CN102194942A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010275579.4
申请日：2010-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括包含氮化物半导体的n型半导体层、包含氮化物半导体的p型半导体层、发光部以及层叠体。所述发光部被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间并包括势垒层和阱层。所述阱层与所述势垒层层叠。所述层叠体被设置在所述发光部与所述n型半导体层之间并包括第一层和第二层。所述第二层与所述第一层层叠。所述层叠体的平均In组成比高于所述发光部的平均In组成比的0.4倍。所述势垒层的层厚度tb为10nm或更小。
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公开(公告)号：CN104465935B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410602442.3
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠结构体、第一电极、第二电极以及介电体部件。所述层叠结构体包括第一半导体层，所述第一半导体层具有第一部分和与所述第一部分并置的第二部分、在所述第二部分上提供的发光层、在所述发光层上提供的第二半导体层。所述第一电极包括设置在所述第一部分上并与所述第一层接触的接触部件。所述第二电极包括第一部件和第二部件，所述第一部件设置在所述第二半导体层上并与所述第二层接触，所述第二部件与所述第一部件电连接并包括当从所述第一层向所述第二层的方向看时覆盖所述接触部件的部分。所述介电体部件被设置在所述接触部件和所述第二部件之间。
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公开(公告)号：CN102790165A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210017796.2
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠结构体、第一电极、第二电极以及介电体部件。所述层叠结构体包括第一半导体层，所述第一半导体层具有第一部分和与所述第一部分并置的第二部分、在所述第二部分上提供的发光层、在所述发光层上提供的第二半导体层。所述第一电极包括设置在所述第一部分上并与所述第一层接触的接触部件。所述第二电极包括第一部件和第二部件，所述第一部件设置在所述第二半导体层上并与所述第二层接触，所述第二部件与所述第一部件电连接并包括当从所述第一层向所述第二层的方向看时覆盖所述接触部件的部分。所述介电体部件被设置在所述接触部件和所述第二部件之间。
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公开(公告)号：CN102623605A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210018042.9
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/42
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/42
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，半导体发光器件包括第一和第二导电层、第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、以及发光部件。在第一导电层和第一半导体层之间提供第二半导体层。在第一半导体层和第二半导体层之间提供发光部件。第二导电层在第二半导体层和第一导电层之间并与第二半导体层和第一导电层接触。第一和第二导电层能够透射从发光部件发出的光。第一导电层包括具有第一平均晶粒直径的多晶体。第二导电层包括具有小于等于150纳米的第二平均晶粒直径的多晶体，第二平均晶粒直径小于第一平均晶粒直径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102194942B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201010275579.4
申请日：2010-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括包含氮化物半导体的n型半导体层、包含氮化物半导体的p型半导体层、发光部以及层叠体。所述发光部被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间并包括势垒层和阱层。所述阱层与所述势垒层层叠。所述层叠体被设置在所述发光部与所述n型半导体层之间并包括第一层和第二层。所述第二层与所述第一层层叠。所述层叠体的平均In组成比高于所述发光部的平均In组成比的0.4倍。所述势垒层的层厚度tb为10nm或更小。
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公开(公告)号：CN102623605B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210018042.9
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/42
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/42
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，半导体发光器件包括第一和第二导电层、第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、以及发光部件。在第一导电层和第一半导体层之间提供第二半导体层。在第一半导体层和第二半导体层之间提供发光部件。第二导电层在第二半导体层和第一导电层之间并与第二半导体层和第一导电层接触。第一和第二导电层能够透射从发光部件发出的光。第一导电层包括具有第一平均晶粒直径的多晶体。第二导电层包括具有小于等于150纳米的第二平均晶粒直径的多晶体，第二平均晶粒直径小于第一平均晶粒直径。
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公开(公告)号：CN104465935A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410602442.3
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L33/0075 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠结构体、第一电极、第二电极以及介电体部件。所述层叠结构体包括第一半导体层，所述第一半导体层具有第一部分和与所述第一部分并置的第二部分、在所述第二部分上提供的发光层、在所述发光层上提供的第二半导体层。所述第一电极包括设置在所述第一部分上并与所述第一层接触的接触部件。所述第二电极包括第一部件和第二部件，所述第一部件设置在所述第二半导体层上并与所述第二层接触，所述第二部件与所述第一部件电连接并包括当从所述第一层向所述第二层的方向看时覆盖所述接触部件的部分。所述介电体部件被设置在所述接触部件和所述第二部件之间。
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公开(公告)号：CN106531758A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610137827.6
申请日：2016-03-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/156 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/36 , H01L33/62 , H01L27/15 , H01L33/64
Abstract: 实施方式的半导体发光装置包括：导电性的衬底；及2个以上的发光体，并列设置在所述衬底上，且分别包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层。2个以上的发光体包含电连接于所述衬底的第1发光体、及串联连接于所述第1发光体的第2发光体。此外，本发明包括：第1电极，设置在所述第1发光体与所述衬底之间，且电连接于所述第1发光体的第1半导体层及所述衬底；第2电极，设置在所述第2发光体与所述衬底之间，且电连接于所述第2发光体的第1半导体层；及第1配线，将所述第1发光体的第2半导体层与所述第2电极电连接。
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公开(公告)号：CN102790165B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201210017796.2
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠结构体、第一电极、第二电极以及介电体部件。所述层叠结构体包括第一半导体层，所述第一半导体层具有第一部分和与所述第一部分并置的第二部分、在所述第二部分上提供的发光层、在所述发光层上提供的第二半导体层。所述第一电极包括设置在所述第一部分上并与所述第一层接触的接触部件。所述第二电极包括第一部件和第二部件，所述第一部件设置在所述第二半导体层上并与所述第二层接触，所述第二部件与所述第一部件电连接并包括当从所述第一层向所述第二层的方向看时覆盖所述接触部件的部分。所述介电体部件被设置在所述接触部件和所述第二部件之间。
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