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公开(公告)号：CN101013586B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200710003356.0
申请日：2007-02-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/0013 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变光盘，其具有基片(1a，1b)和包括干涉膜、相变记录膜、分界面膜和反射膜的多层结构(19，20)，在该相变光盘中可使用光可逆地把信息记录到记录膜上或从记录膜上擦除，构成相变记录膜的元素(例如，锗或碲)从接触相变记录膜(13a，13b)的部分(21a，21b)起在记录膜的厚度方向上具有偏析分布或浓度分布。
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公开(公告)号：CN100543175C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200610103049.5
申请日：2006-07-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/3414 , G11B7/252 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 一种溅射靶，包含Si和C作为其主要成分，并包括其中Si相以网状连续地存在于SiC晶粒间的间隙中的结构。Si相的平均直径被控制到1000nm或更小。在含氧气体中溅射所述溅射靶，从而淀积包含作为其主要成分的硅(Si)和氧(O)，以及除主要成分以外的第三元素的光学薄膜，所述第三元素的总量在10至2000ppm的范围内。
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公开(公告)号：CN101013586A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710003356.0
申请日：2007-02-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/0013 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变光盘，其具有基片(1a，1b)和包括干涉膜、相变记录膜、分界面膜和反射膜的多层结构(19，20)，在该相变光盘中可使用光可逆地把信息记录到记录膜上或从记录膜上擦除，构成相变记录膜的元素(例如，锗或碲)从接触相变记录膜(13a，13b)的部分(21a，21b)起在记录膜的厚度方向上具有偏析分布或浓度分布。
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公开(公告)号：CN1891853A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610103049.5
申请日：2006-07-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/3414 , G11B7/252 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 一种溅射靶，包含Si和C作为其主要成分，并包括其中Si相以网状连续地存在于SiC晶粒间的间隙中的结构。Si相的平均直径被控制到1000nm或更小。在含氧气体中溅射所述溅射靶，从而淀积包含作为其主要成分的硅(Si)和氧(O)，以及除主要成分以外的第三元素的光学薄膜，所述第三元素的总量在10至2000ppm的范围内。
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