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公开(公告)号：CN111684587B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201880088817.5
申请日：2018-08-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 半导体装置具备并联连接的多个半导体元件单元。半导体元件单元包括：第一金属部件；第二金属部件，与所述第一金属部件对置；至少一个半导体元件，配置于所述第一金属部件与所述第二金属部件之间；树脂部件，在所述第一金属部件与所述第二金属部件之间密封所述半导体元件；强化部件，以包围所述第一金属部件与所述第二金属部件的方式设置，且比所述树脂部件的强度高。
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公开(公告)号：CN112655285A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201880097289.X
申请日：2018-10-05
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 提供一种即使在内部的半导体芯片的一部分产生了短路故障的情况下也抑制外封装破裂的隐患的半导体封装。半导体封装具备：固定子模块(1)的金属制的冷却器(3)、固定于冷却器(3)的树脂制的外周侧壁(4)以及固定于外周侧壁(4)的金属制的上板(5)。冷却器(3与外周侧壁(4)利用紧固部件(5a)紧固，上板(5)与外周侧壁(4)利用紧固部件(5a)紧固。在子模块内的压力急剧上升了的情况下，上板(5)整体一边大幅弯曲一边变形，防止内压上升所引起的半导体封装的破坏。
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公开(公告)号：CN104882433A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410341174.4
申请日：2014-07-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L23/3735 , H01L23/488 , H01L23/49822 , H01L23/49866 , H01L23/53233 , H01L24/26 , H01L2224/32225
Abstract: 本发明提供一种能够提高耐热性和机械强度的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体元件；具有含铜的布线层的安装基板；以及接合层，设置在上述半导体元件与上述布线层之间，含有铜和铜以外的金属的合金，上述合金的熔点比上述金属的熔点高。
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公开(公告)号：CN110050341B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201780075662.7
申请日：2017-11-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/492 , H01L25/18 , H01L23/367
Abstract: 根据实施方式，半导体装置具备第1金属板、第2金属板和2个以上的半导体单元。上述2个以上的半导体单元配置在上述第1金属板上。上述2个以上的半导体单元分别包含第1金属部件、第2金属部件和半导体元件。上述第1金属部件包含与上述第1主面连接的第1连接面。上述第2金属部件包含与上述第2主面连接的第2连接面。上述半导体元件包含具有与上述第1连接面以及上述第2连接面分别对置的面的有源区域。上述第1连接面的面积大于与上述第1连接面对置的上述有源区域的面的面积。上述第2连接面的面积大于与上述第2连接面对置的上述有源区域的面的面积。
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公开(公告)号：CN102956514A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210282425.7
申请日：2012-08-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: C22C9/02 , C22C28/00 , H01L23/3735 , H01L23/488 , H01L23/562 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/83825 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/15747 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置的制造方法及半导体装置，通过通用性较高、能够得到良好的高温环境下的可靠性的方法进行半导体芯片的安装，能够进行半导体装置的高温动作。在安装基板与半导体芯片之间夹装如下的接合层，并在熔融层的熔点以上的温度下保持，通过液相扩散形成比熔融层熔点高的合金层，使安装基板与半导体芯片接合，上述接合层具有：含有从Cu、Al、Ag、Ni、Cr、Zr、Ti中选择的某种金属或其合金的接合支撑层；和夹着接合支撑层而层叠的、含有从Sn、Zn、In中选择的某种金属或由从该金属中选择的两种以上的金属构成的合金的熔融层，上述接合层至少在最外层形成有熔融层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100512935C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610143936.5
申请日：2006-11-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B01D69/02 , B01D61/14 , B01D2325/021 , C02F1/44 , Y10T428/12153 , Y10T428/249953 , Y10T428/249956 , Y10T428/249975 , Y10T428/249976 , Y10T428/29
Abstract: 本发明提供一种用于流体过滤器的各向异性多孔材料，它可以高度精确地进行大量流体的分离过程、可以实现高流量、并且改善净化性能。各向异性多孔材料包括多个孔隙。每个孔隙具有各向异性形状，其中可以限定出主轴和次轴。孔隙的布置具有定向。
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公开(公告)号：CN101209516A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610130968.1
申请日：2006-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B23K35/26 , B23K35/02 , B23K101/00 , B23K101/36
CPC classification number: C22C13/00 , B23K35/262
Abstract: 本发明提供一种无铅焊料，其具有良好的抗氧化性能，并能容易并良好地进行塑性加工。该无铅焊料及无铅焊料成形制品可提供焊接接合制品，特别是电子部件，其有很高的可靠性，例如，机械强度和连接强度。本发明还提供用该无铅焊料连接而成的焊接接合产品及电子部件。
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公开(公告)号：CN104465578A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410053381.X
申请日：2014-02-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L24/83 , H01L23/24 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/04026 , H01L2224/05582 , H01L2224/05583 , H01L2224/05584 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32013 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/8346 , H01L2224/8384 , H01L2924/00014 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种半导体装置，上述半导体装置包括半导体元件和金属膜。上述半导体元件具有第1面以及与第1面相反的一侧的第2面。上述金属膜设置在上述半导体元件的上述第2面。上述金属膜含Cr。上述半导体元件也可以含有动作确保温度比Si的动作确保温度高的材料。
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公开(公告)号：CN103681527A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310061142.4
申请日：2013-02-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/76841 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29118 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29166 , H01L2224/2917 , H01L2224/29171 , H01L2224/29172 , H01L2224/32225 , H01L2224/32503 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2224/83825 , H01L2924/01322 , H01L2924/1301 , H01L2924/15747 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供耐热性、可靠性高并且能够以低成本制造的半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置(10)具有安装基板(11)、半导体芯片(12)、接合层(13)以及软质金属层(14b)。半导体芯片(12)通过接合层(13)以及软质金属层(14b)来与安装基板(11)接合。接合层(13)具有合金层，该合金层以（A）成分以及（B）成分为主成分来构成，所述（A）成分是选自Sn、Zn、In中的任意一种金属或者Sn、Zn、In的合金，所述（B）成分是选自Cu、Ni、Ag、Cr、Zr、Ti、V中的任意一种金属或者选自Cu、Ni、Ag、Cr、Zr、Ti、V中的任意一种金属与选自Sn、Zn、In中的任意一种金属的合金。软质金属层(14b)包含选自Cu、Al、Zn、Ag中的任意一种金属。
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公开(公告)号：CN101737422B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200910225237.9
申请日：2009-11-18
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B22F7/08 , F16C17/06 , F16C33/203 , F16C33/208 , F16C2208/02 , F16C2208/58 , F16C2240/06 , F16C2240/60 , F16C2300/14 , F16C2300/34 , Y10T428/12021
Abstract: 本发明涉及一种复合轴承构件(10)，其包括：其表面接触旋转部分的轴承滑动材料(20)；用与构成轴承滑动材料(20)的材料不同的材料制成的轴承基座材料(30)；和结合轴承滑动材料(20)和轴承基座材料(30)的结合层(40)。此外，轴承滑动材料(20)具有使旋转部分在其表面滑动的滑动层(50)。此外，轴承滑动材料(20)具有在滑动层(50)和结合层(40)之间的组份递变层(60)，该组份递变层(60)分散地包含与构成结合层(40)的金属材料相同的金属材料，在组份递变层(60)中金属材料的含量向着结合层(40)增加。
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