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公开(公告)号：CN100375350C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200410096214.X
申请日：2004-11-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/227
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/0425 , H01S5/222 , H01S5/32325
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有阀值电流小且制作容易的结构，并且具有良好的温度特性和高速应答特性的半导体激光元件，具有n型GaAs基板(101)、n型GaAs基板(101)上形成的n型AlGaInP包覆层(102)、非掺杂量子井活性层(103)、p型AlGaInP第1包覆层(104)、p型GaInP腐蚀阻止层(105)、p型AlGaInP第2包覆层(106)、p型GaInP覆盖层(107)、p型GaAs接触层(108)和n型AlInP阻挡层(109)，具有脊背部和脊背部两侧的突起部，p型GaAs接触层(108)仅形成在脊背部的上面。
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公开(公告)号：CN101505036B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910001675.7
申请日：2009-01-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/2004 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/3202 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/185
Abstract: 稳定实现CW光输出200mW以上的集成型双波长半导体激光器。双波长半导体激光器装置具备：第1半导体激光器元件，具备第1导电型的第1包覆层、由AlGaAs混晶构成的第1引导层、具有由AlGaAs混晶构成的势垒层的第1量子阱活性层、由AlGaAs混晶构成的第2引导层、和第2导电型的第2包覆层；和第2半导体激光器元件，具备第1导电型的第3包覆层、由AlGaInP混晶构成的第3引导层、具有由AlGaInP混晶构成的势垒层的第2量子阱活性层、由AlGaInP混晶构成的第4引导层、和第2导电型的第4包覆层。至少构成第1量子阱活性层的势垒层、第1引导层及第2引导层各自的Al组成大于0.47且0.60以下。
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公开(公告)号：CN101373884B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200810130888.5
申请日：2008-08-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/4025 , H01S5/0201 , H01S5/2201
Abstract: 在半导体基板上，使第1导电型的包覆层、活性层、第2导电型的第1包覆层及第2导电型的第2包覆层依次进行晶体生长，对上述第2导电型的第2包覆层进行加工，形成带状的多个脊形结构部，在与上述脊形结构部的长度方向正交的方向上裂开，形成激光条；将在脊形结构部的长度方向上隔开指定的间隔而排列脊形结构部后的列排列多个；该列和邻接的列，在脊形结构部的长度方向上错开，以使得脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的另一端部在脊形结构部的长度方向上互相重叠；使脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的端部相重叠的区域裂开。采用该方法，就可以提供一种能以简单的方法对每个芯片判别谐振器长度的偏差是否在允许范围内的半导体激光装置的制造方法以及其制造工序中的半导体激光条的检查方法。
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公开(公告)号：CN101064412A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200610163717.3
申请日：2006-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/16 , H01S5/2214 , H01S5/4031 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供一种能够实现高成品率的单片型多波长半导体激光装置及其制作方法。红外激光元件(110)和红色激光元件(120)形成在同一个衬底(101)上。各激光元件(110及120)分别包括由n型包层(103、113)、活性层(104、114)及p型第一包层(105、115)按照上述顺序叠层而成的双重异质结构，以及包含在p型第二包层(107、117)和其上面设置的p型接触层(109、209)的山脊状导波路(150、160)。在各山脊状导波路(150、160)的两侧侧壁及其周围形成了电流阻挡层(132)，并在电流阻挡层(132)上形成了漏电防止层(133)。
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公开(公告)号：CN1622408A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410096214.X
申请日：2004-11-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/0425 , H01S5/222 , H01S5/32325
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有阀值电流小且制作容易的结构，并且具有良好的温度特性和高速应答特性的半导体激光元件，具有n型GaAs基板(101)、n型GaAs基板(101)上形成的n型AlGaInP包覆层(102)、非掺杂量子井活性层(103)、p型AlGaInP第1包覆层(104)、p型GaInP腐蚀阻止层(105)、p型AlGaInP第2包覆层(106)、p型GaInP覆盖层(107)、p型GaAs接触层(108)和n型AlInP阻挡层(109)，具有脊背部和脊背部两侧的突起部，p型GaAs接触层(108)仅形成在脊背部的上面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1937338B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610100361.9
申请日：2006-06-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/40 , H01S5/162 , H01S5/22 , H01S5/4087
Abstract: 本发明揭示一种多波长半导体激光器器件，通过使每一波长的半导体激光器具有对各波长的出射光取得最佳FFP的不同长度的窗区域，能使各波长具有程度相同的光输出依赖性，从而能方便地进行光学系统的设计。
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公开(公告)号：CN101505036A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910001675.7
申请日：2009-01-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/2004 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/3202 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/185
Abstract: 稳定实现CW光输出200mW以上的集成型双波长半导体激光器。双波长半导体激光器装置具备：第1半导体激光器元件，具备第1导电型的第1包覆层、由AlGaAs混晶构成的第1引导层、具有由AlGaAs混晶构成的势垒层的第1量子阱活性层、由AlGaAs混晶构成的第2引导层、和第2导电型的第2包覆层；和第2半导体激光器元件，具备第1导电型的第3包覆层、由AlGaInP混晶构成的第3引导层、具有由AlGaInP混晶构成的势垒层的第2量子阱活性层、由AlGaInP混晶构成的第4引导层、和第2导电型的第4包覆层。至少构成第1量子阱活性层的势垒层、第1引导层及第2引导层各自的Al组成大于0.47且0.60以下。
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公开(公告)号：CN1937338A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610100361.9
申请日：2006-06-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/40 , H01S5/162 , H01S5/22 , H01S5/4087
Abstract: 本发明揭示一种多波长半导体激光器器件，通过使每一波长的半导体激光器具有对各波长的出射光取得最佳FFP的不同长度的窗区域，能使各波长具有程度相同的光输出依赖性，从而能方便地进行光学系统的设计。
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公开(公告)号：CN101399431A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810161749.9
申请日：2008-09-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/162 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0281 , H01S5/32316 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087
Abstract: 一种半导体激光装置，其在半导体基板(1)的一个主面的一部分即第1区域上，形成有第1半导体激光器构造(10)，该第1半导体激光器构造(10)具有从半导体基板侧开始依次层叠的第1下部包层(3)、具有第1量子阱构造的第1活性层(4)、及第1上部包层(5、7)，从而形成第1谐振器；在半导体基板的一个主面的与第1区域不同的第2区域上，形成有第2半导体激光器构造(20)，该第2半导体激光器构造(20)具有从半导体基板侧开始依次层叠的第2下部包层(13)、具有第2量子阱构造的第2活性层(14)、及第2上部包层(15、17)，从而形成第2谐振器。在第1和第2谐振器的端面形成有端面涂膜(31、32)，第1和第2谐振器的端面和端面涂膜之间形成有含氮层(30)。在具有以单块形成的高输出的双波长激光器的半导体激光装置中，可抑制激光器的高输出动作中的COD水平的降低。
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公开(公告)号：CN101394066A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810213599.1
申请日：2008-09-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/22 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/173
Abstract: 本发明提供一种高输出功率、低成本的单片式双波长或其以上的多波长的激光器装置。半导体激光器装置，具备第1半导体激光器元件(12)和第2半导体激光器元件(13)。第1半导体激光器元件(12)，具有作为形成在端面附近的包含第1杂质的区域的第1端面窗构造(41)；第2半导体激光器元件，具有作为形成在端面附近的包含第2杂质的区域的第2端面窗构造(42)。从第1活性层(23)的下端到第1端面窗构造(41)的下端的距离，比从第2活性层(33)的下端到第2端面窗构造(42)的下端的距离短。
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