公开(公告)号：CN1516275A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN200310120418.8

申请日：1999-06-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中尾圭策 ,  佐佐井洋一 ,  十代勇治 ,  野间淳史

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在覆盖衬底11上的晶体管17的绝缘膜19的接触孔19a中，撇开该接触孔19a的内部和上部，在其壁面和漏极区15上方形成有由铱构成的、膜厚约为0.1μm的底层导电膜20；在接触孔19a的内部和上部填充有铂而形成了插塞21。在绝缘膜19的接触孔19a上，形成有与底层导电膜20及插塞21的上端面接触并包括由铂构成的下部电极25、由SrBi2Ta2O9构成的电容绝缘膜26以及由铂构成的上部电极27的电容元件28。

公开(公告)号：CN1173403C

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN98103420.9

申请日：1998-07-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中尾圭策 ,  松田明浩 ,  井筒康文 ,  伊东丰二 ,  三河巧 ,  那须彻 ,  长野能久 ,  田中圭介 ,  久都内知惠

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L28/55

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法是在半导体基片上形成由下部电极电容绝缘膜及上部电极组成的电容元件。在层间绝缘膜形成下部电极用接触窗及上部电极用接触窗。在上部电极接触窗的底面和壁面以及层间绝缘膜上的上部电极用的接触窗的周边缘部，形成由氮化钛组成的防止扩散用的导电膜。在含有下部电极用接触窗及上部接触窗的内部的层间绝缘膜上，形成由钛膜、第一氮化钛膜、铝膜及第二氮化钛膜组成的金属布线。

公开(公告)号：CN1155092C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN99109287.2

申请日：1999-06-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中尾圭策 ,  佐佐井洋一 ,  十代勇治 ,  野间淳史

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在覆盖衬底(11)上的晶体管(17)的绝缘膜(19)的接触孔(19a)中，撇开该接触孔19a的内部和上部，在其壁面和漏极区(15)上方形成有由铱构成的、膜厚约为0.1μm的底层导电膜(20)；在接触孔(19a)的内部和上部填充有铂而形成了插塞(21)。在绝缘膜(19)的接触孔(19a)上，形成有与底层导电膜(20)及插塞(21)的上端面接触并包括由铂构成的下部电极(25)、由SrBi2Ta2O9构成的电容绝缘膜(26)以及由铂构成的上部电极(27)的电容元件(28)。

公开(公告)号：CN1132246C

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN97119623.0

申请日：1997-09-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  中尾圭策 ,  井上敦雄 ,  吾妻正道 ,  藤井英治

IPC: H01L27/04 ,  G01R31/26

CPC classification number: G11C29/50016 ,  G11C11/22 ,  G11C29/50 ,  G11C2029/5002

Abstract: 在本发明的半导体存储器的加速试验方法中，求出在某个温度T1下的信息保持寿命时间t1等于另一个温度条件T2下的信息保持寿命时间t2的乘幂的关系式，t1＝t2m，而且用与玻尔兹曼因子成比例的温度的函数表示幂指数m。基于该关系式从某个温度T1下的信息保持寿命时间t1来计算另一个温度T2下的信息保持寿命时间t2。