公开(公告)号：CN114365044A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202080060616.1

申请日：2020-06-22

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 布奇·伯尼 ,  艾伦·M·舍普 ,  蒂莫西·威廉·威德曼 ,  凯文·利·顾 ,  吴呈昊 ,  卡蒂·林恩·纳尔迪 ,  鲍里斯·沃洛斯基 ,  克林特·爱德华·托马斯 ,  撒德·尼科尔森

IPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/004 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

摘要： 讨论了用于极紫外线敏感(EUV敏感)光致抗蚀剂层的干式沉积的系统和技术。在一些这样的系统中，可以提供特征在于多充气部喷头的处理室，所述多充气部喷头被配置成在一个充气部中接收汽化有机金属前体以及在另一充气部中接收其汽化逆反应物。这两种汽化反应物可以被输送至在处理室内且在支撑该衬底的晶片支撑件上的反应空间。

公开(公告)号：CN116134380A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202180060331.2

申请日：2021-07-16

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 埃里克·卡尔文·汉森 ,  蒂莫西·威廉·威德曼 ,  吴呈昊 ,  林庆煌 ,  基莱·乔丹·布莱克内 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴帕蒂 ,  萨曼塔·S·H·坦 ,  理查德·怀斯 ,  潘阳 ,  李英熙 ,  卡蒂·林恩·纳尔迪 ,  凯文·利·顾 ,  鲍里斯·沃洛斯基

IPC分类号： G03F7/004

摘要： 本发明涉及用金属前体与有机前体形成的膜，以及形成并采用这种膜的方法。该膜可用作可光图案化膜或辐射敏感膜。在特定的实施方案中，该膜包括含金属层与有机层的交替层。在其他实施方案中，该膜包括沉积金属与有机成分的基质。

公开(公告)号：CN114270266A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202080059412.6

申请日：2020-06-24

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 蒂莫西·威廉·威德曼 ,  凯文·利·顾 ,  卡蒂·林恩·纳尔迪 ,  吴呈昊 ,  鲍里斯·沃洛斯基 ,  埃里克·卡尔文·汉森

IPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/004

摘要： 本文的各种实施方案涉及用于在衬底上沉积光致抗蚀剂材料的技术。例如，这些技术可涉及在反应室中提供该衬底；将第一及第二反应物提供至该反应室，其中所述第一反应物为具有化学式M1aR1bL1c的有机金属前体，其中：M1为具有高图案化辐射吸收截面的金属，R1为有机基团，其在所述第一反应物与所述第二反应物之间的所述反应后保留，且能在暴露于图案化辐射下从Ml裂解，L1为与所述第二反应物反应的配体、离子、或其他部分，a≥1，b≥1，且c≥1，且其中满足以下条件中的至少一者：光致抗蚀剂材料包含两或更多高图案化辐射吸收元素、和/或所述光致抗蚀剂材料包含沿着所述光致抗蚀剂材料的厚度的组成梯度。

公开(公告)号：CN112041966A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201980024270.7

申请日：2019-03-22

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 卡蒂·林恩·纳尔迪 ,  尼莉莎·德雷格

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/28

摘要： 一种用于选择性沉积膜的方法包括：a)将衬底布置在处理室中。所述衬底包括第一材料和第二材料，所述第一材料被暴露并且包含氧化硅(SiOz)，所述第二材料被暴露并且选自由硅(Si)和氮化硅(SixNy)组成的组，其中z、x和y是定义元素的化学比的数字。所述方法包括：b)供应包含碳氟化合物物质和氢物质的第一气体混合物；c)激励等离子体持续第一预定时间段以在所述衬底上沉积碳氟化合物层；d)从所述处理室中去除所述第一气体混合物；e)供应惰性气体混合物并激励等离子体持续第二预定时间段以执行激活步骤；以及f)从所述处理室中去除所述惰性气体混合物。

公开(公告)号：CN115362414A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202180026985.3

申请日：2021-03-31

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 蒂莫西·威廉·威德曼 ,  凯文·利·顾 ,  吴呈昊 ,  卡蒂·林恩·纳尔迪 ,  鲍里斯·沃洛斯基

IPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

摘要： 本文公开了用于在光刻图案化操作之前将有机金属氧化物膜暴露于全面性UV处理的方法和装置。全面性UV处理可以用来推移膜的溶解度曲线，从而可以使用较低的EUV剂量来对膜进行图案化。此外，全面性UV处理可以在显影之后使用，以进一步固化膜。

公开(公告)号：CN114730133A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080081121.7

申请日：2020-10-01

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 卡蒂·林恩·纳尔迪 ,  蒂莫西·威廉·威德曼 ,  吴呈昊 ,  凯文·利·顾 ,  鲍里斯·沃洛斯基

IPC分类号： G03F7/09

摘要： 本公开涉及一种具有辐射吸收层和成像层的图案化结构及其方法和设备。在特定的实施方案中，辐射吸收层提高了成像层的辐射吸收率和/或图案化性能。

公开(公告)号：CN114631062A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202080058274.X

申请日：2020-06-25

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 丹尼尔·彼得 ,  李达 ,  蒂莫西·威廉·威德曼 ,  鲍里斯·沃洛斯基 ,  吴呈昊 ,  卡蒂·林恩·纳尔迪 ,  凯文·利·顾 ,  利昂·塔莱 ,  萨曼莎·西亚姆华·坦 ,  游正义 ,  薛萌

IPC分类号： G03F7/36 ,  G03F7/16 ,  G03F7/004 ,  H01J37/32

摘要： 含金属光致抗蚀剂膜可使用干式沉积技术沉积在半导体衬底上。在沉积、斜面和背侧清洁、烘烤、显影或蚀刻操作期间，非预期的含金属光致抗蚀剂材料可能形成在处理室的内表面上。原位干式室清洁可通过暴露于蚀刻气体来执行，以去除非预期的含金属光致抗蚀剂材料。干式室清洁可以在升高的温度且未激励等离子体下执行。在一些实施方案中，干式室清洁可包括抽排/清扫及调节操作。

公开(公告)号：CN114026497A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202080047683.X

申请日：2020-06-24

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 蒂莫西·威廉·威德曼 ,  吴呈昊 ,  卡蒂·林恩·纳尔迪 ,  鲍里斯·沃洛斯基 ,  凯文·利·顾

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/16

摘要： 本文中的各种实施方案涉及在反应性气体物质的存在下，将位于半导体衬底上的含金属进行烘烤的方法、装置和系统。例如，所述方法可包括将所述衬底接收于处理室中，所述衬底具有位于其上方的所述光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层包括含金属光致抗蚀剂材料；使反应性气体物质从气体源流动、通过气体输送管线、进入所述处理室中，以及将所述衬底暴露于所述处理室中的所述反应性气体物质；以及当将所述衬底暴露于所述反应性气体物质时，对所述光致抗蚀剂层进行烘烤。