一种用于选择性沉积膜的方法包括：a)将衬底布置在处理室中。所述衬底包括第一材料和第二材料，所述第一材料被暴露并且包含氧化硅(SiOz)，所述第二材料被暴露并且选自由硅(Si)和氮化硅(SixNy)组成的组，其中z、x和y是定义元素的化学比的数字。所述方法包括：b)供应包含碳氟化合物物质和氢物质的第一气体混合物；c)激励等离子体持续第一预定时间段以在所述衬底上沉积碳氟化合物层；d)从所述处理室中去除所述第一气体混合物；e)供应惰性气体混合物并激励等离子体持续第二预定时间段以执行激活步骤；以及f)从所述处理室中去除所述惰性气体混合物。