公开(公告)号：CN112041966A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201980024270.7

申请日：2019-03-22

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 卡蒂·林恩·纳尔迪 ,  尼莉莎·德雷格

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/28

摘要： 一种用于选择性沉积膜的方法包括：a)将衬底布置在处理室中。所述衬底包括第一材料和第二材料，所述第一材料被暴露并且包含氧化硅(SiOz)，所述第二材料被暴露并且选自由硅(Si)和氮化硅(SixNy)组成的组，其中z、x和y是定义元素的化学比的数字。所述方法包括：b)供应包含碳氟化合物物质和氢物质的第一气体混合物；c)激励等离子体持续第一预定时间段以在所述衬底上沉积碳氟化合物层；d)从所述处理室中去除所述第一气体混合物；e)供应惰性气体混合物并激励等离子体持续第二预定时间段以执行激活步骤；以及f)从所述处理室中去除所述惰性气体混合物。

公开(公告)号：CN111149194A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201880062640.1

申请日：2018-07-30

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 安德烈亚斯·费希尔 ,  尼莉莎·德雷格

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供了一种用于在半导体衬底上蚀刻金属氧化物层的方法，该方法包括提供多个循环。每个循环包括将金属氧化物层暴露于反应性含氢气体或等离子体中，以将金属氧化物层的一部分转化成金属氢化物层，停止将金属氧化物层暴露于反应性含氢气体或等离子体中，将金属氢化物层加热到至少升华温度以升华金属氢化物层，并且将金属氧化物层冷却到低于升华温度的温度。

公开(公告)号：CN105428231A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510578075.2

申请日：2015-09-11

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 尼莉莎·德雷格 ,  索斯藤·利尔 ,  黛安·海姆斯

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/67 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L43/12 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/45544 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67011 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11502

摘要： 本发明总体上涉及用于新兴存储装置的电介质修复。提供了包括提供包含多个层的非易失性随机存取存储器(NVRAM)堆叠的系统和方法。该多个层包括电介质层和金属层。NVRAM堆叠的金属层被图案化。所述图案化对电介质层的横向侧部造成损害。所述电介质层的横向部分是通过沉积电介质材料在所述电介质层的横向侧部来修复的。

公开(公告)号：CN105374735A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510489712.9

申请日：2015-08-11

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 罗特莎娜·李玛丽 ,  尼莉莎·德雷格 ,  黛安·海姆斯 ,  理查德·戈特斯古

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/02301 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/76224

摘要： 本发明涉及通过未预干燥的湿润表面用旋涂电介质覆盖高深宽比特征，具体提供了一种方法，其包括在湿式清洁了半导体衬底之后并且在湿式清洁之后不执行干燥步骤的情况下沉积膜溶液到半导体衬底的图案化的特征上湿式清洁。膜溶液包括电介质膜前体或包括反应物、溶剂、表面活性剂以及载体流体中的至少一种和所述电介质膜前体。该方法包括通过加热衬底到烘烤温度将至少一种溶剂和未反应的溶液烘烤出由膜溶液形成的膜。该方法包括固化衬底。

公开(公告)号：CN111149194B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN201880062640.1

申请日：2018-07-30

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 安德烈亚斯·费希尔 ,  尼莉莎·德雷格

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供了一种用于在半导体衬底上蚀刻金属氧化物层的方法，该方法包括提供多个循环。每个循环包括将金属氧化物层暴露于反应性含氢气体或等离子体中，以将金属氧化物层的一部分转化成金属氢化物层，停止将金属氧化物层暴露于反应性含氢气体或等离子体中，将金属氢化物层加热到至少升华温度以升华金属氢化物层，并且将金属氧化物层冷却到低于升华温度的温度。

公开(公告)号：CN105428231B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201510578075.2

申请日：2015-09-11

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 尼莉莎·德雷格 ,  索斯藤·利尔 ,  黛安·海姆斯

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L43/12 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/45544 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： 本发明总体上涉及用于新兴存储装置的电介质修复。提供了包括提供包含多个层的非易失性随机存取存储器(NVRAM)堆叠的系统和方法。该多个层包括电介质层和金属层。NVRAM堆叠的金属层被图案化。所述图案化对电介质层的横向侧部造成损害。所述电介质层的横向部分是通过沉积电介质材料在所述电介质层的横向侧部来修复的。