公开(公告)号：CN114631062A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202080058274.X

申请日：2020-06-25

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 丹尼尔·彼得 ,  李达 ,  蒂莫西·威廉·威德曼 ,  鲍里斯·沃洛斯基 ,  吴呈昊 ,  卡蒂·林恩·纳尔迪 ,  凯文·利·顾 ,  利昂·塔莱 ,  萨曼莎·西亚姆华·坦 ,  游正义 ,  薛萌

IPC分类号： G03F7/36 ,  G03F7/16 ,  G03F7/004 ,  H01J37/32

摘要： 含金属光致抗蚀剂膜可使用干式沉积技术沉积在半导体衬底上。在沉积、斜面和背侧清洁、烘烤、显影或蚀刻操作期间，非预期的含金属光致抗蚀剂材料可能形成在处理室的内表面上。原位干式室清洁可通过暴露于蚀刻气体来执行，以去除非预期的含金属光致抗蚀剂材料。干式室清洁可以在升高的温度且未激励等离子体下执行。在一些实施方案中，干式室清洁可包括抽排/清扫及调节操作。